替代金属栅极集成制造技术

一种用于形成半导体器件的方法(100)，所述方法包括：提供(110)具有至少一个鳍(1)或纳米线的基材；形成伪栅极(3、4)；在至少一个鳍(1)或纳米线和伪栅极(3、4)上提供(120)间隔物(5)；实施(130)第一RMG模块，其中，高k材料(7)设置在间隔物(5)之间的至少一个鳍(1)或纳米线上；一个或多个退火步骤；在间隔物(5)之间提供(132)牺牲塞(9)；在至少一个鳍(1)或纳米线中外延生长(140)源极(11、13)和漏极(11、13)；去除(134)牺牲塞(9)；实施(136)第二RMG模块，其中，使WFM(14)沉积在至少部分间隔物之间，以使得WFM覆盖至少一个鳍或纳米线的高k材料。使得WFM覆盖至少一个鳍或纳米线的高k材料。使得WFM覆盖至少一个鳍或纳米线的高k材料。

【技术实现步骤摘要】
替代金属栅极集成


[0001]本专利技术涉及用于形成半导体器件的方法的领域。更具体地，其涉及在形成 半导体器件的过程中对替代金属栅极模块进行集成。

技术介绍

[0002]已采用不同技术来生产MOSFET晶体管。在栅极第一集成中，首先沉积高k 材料和金属栅极。研究替代金属栅极(RMG)第一集成，以获得超陡连接件 (ultra-steep junction)并提高器件性能(例如用于FinFET/纳米片材/叉板 (Forksheet))。首先实施RMG的优点在于避免了外延生长后的高温步骤(例如 在850℃至900℃进行可靠性退火)。
[0003]然而，在该流程中，栅极堆叠体进行源极/漏极掺杂激活退火。该源极/漏 极激活退火在高于550℃的温度下进行，并且对于金属功函数是有害的。
[0004]因此，在一些现有技术方法中，RMG模块最后实施。然而，在该情况下， 退火步骤在沉积栅极堆叠体之后实施。这是所谓的可靠性退火，其应当优选不是 在外延生长后进行。
[0005]鉴于在热预算水平方面的这种困境，需要改进的RMG集成方案。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成半导体器件的方法(100)，所述方法包括：-提供(110)基材，在该基材上具有一个或多个鳍(1)，并且在一个或多个鳍(1)上或由一个或多个鳍形成的一个或多个纳米线上形成伪栅极(3、4)；-在一个或多个鳍(1)或纳米线和伪栅极(3、4)上提供(120)间隔物(5)；-实施(130)第一替代金属栅极模块，其中，将高k材料(7)设置在间隔物(5)之间的一个或多个鳍(1)的至少一个上、或由一个或多个鳍(1)形成的一个或多个纳米线上，随后实施一个或多个退火步骤；-在实施第一替代金属栅极模块后，在间隔物(5)之间提供(132)牺牲塞(9)；-在一个或多个鳍(1)或一个或多个纳米线中外延生长(140)源极(11、13)和漏极(11、13)；-去除(134)牺牲塞(9)；-实施(136)第二替代金属栅极模块，其中，使功函数金属(14)沉积在至少部分间隔物之间，以使得功函数金属覆盖一个或多个纳米线或一个或多个鳍中的至少一些的高k材料。2.如权利要求1所述的方法(100)，其中，第一替代金属栅极模块(130)另外包括功函数调谐集成方案。3.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，第一替代金属栅极模块(130)包...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：IMEC非营利协会，
类型：发明
国别省市：