提供了一种用于量子计算的集成系统(201)，至少包括：至少一个半导体自旋量子比特qubit(210)；馈线(240)，其被配置成用作用于所述至少一个量子比特的控制的电子自旋共振ESR天线；至少一个共振器(220_j)，以及所述馈线和所述...

本发明涉及生产用于晶圆重构的裸片的方法和系统。所述方法包括以下步骤：检查(602)外延晶圆(701，901，1004)以检测一个或多个缺陷(703，706，904，906，907)；在具有检测到的所述缺陷(703，706，904，906...

公开了改进SiO2层的偏置温度不稳定性。在第1方面中，本发明涉及改进SiO2层的偏置温度不稳定性的方法，所述方法包括：(a)将SiO2层暴露于原子氢。露于原子氢。露于原子氢。

本发明的实施方式涉及一种形成半导体产品的方法，该方法包括：提供包括埋入式电源轨的基材；在埋入式电源轨上的接触表面处形成牺牲塞；应用线路前端模块，用于在半导体基材中形成器件；提供通孔，其穿过前端模块所施加的层，连接埋入式电源轨上的牺牲塞；...

本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括提供基材，其包含半导体层并具有包含特征图案的主表面，该特征包含第一金属，具有与主表面共面的顶表面，被包含与第一金属不同的第二金属的层包嵌在第一沟槽中，并且至少部分地被填充材料分离，其中，...

根据本发明构思的一方面，提供了一种场效应晶体管以及一种用于控制这种场效应晶体管的方法。该晶体管包括：半导体层；源极端子、漏极端子和单个栅极。该源极端子和该漏极端子布置在该半导体层的第一侧上，并且该栅极布置在该半导体层的与该第一侧相反的第...

本公开的方法包括如下步骤：在数字域中生成(104)沿至少一个发射路径的雷达信号，所述雷达信号包括乘以渐进相位旋转的、长度为Lc的码序列的数目M个周期性重复，其中Lc和M是整数，K是整数或非整数，且n是与码速率相对应的离散时间索引。该方法...

提供了一种用于促进对IQ不平衡稳定的雷达检测的方法。该方法包括在数字域中生成雷达信号的步骤，该雷达信号包括与渐进相位旋转相乘的具有长度Lc的码序列的M次周期性重复，其中Lc和M是整数，K是整数或非整数，且n是离散整数变量。该方法进一步包...

用于形成源极/漏极接触部的方法，包括在形成于衬底的第一和第二器件区中的第一和第二层堆上沉积材料层，每个层堆包括多个半导体沟道层且层堆被填充有绝缘材料的沟槽分隔以在层堆之间和器件区之间形成绝缘壁；在绝缘壁上方位置在材料层中形成接触分隔沟槽...

本发明的方法用于制造互连通孔(16)，其将下导线(6)与横向取向的上导线(21)相连，其中，该方法使得通孔自对准于下导线的宽度以及至少上导线的线端。该构造通过使用不同的层间介电材料(ILD)来产生，其可以相对于彼此选择性蚀刻。沉积第一I...

提供了一种用于自愈系统架构的初级单元，包括第一输入和第二输入、至少一个输出、以及至少一个功能块，其中该单元可被配置成以第一状态或第二状态操作，以及：如果以第一状态操作，则：使用该功能块以便在一时间段期间使用多个功能中的第一功能来基于第一...

提供了一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括：形成器件层堆叠体，该器件层堆叠体包括下部牺牲层和沟道层的交替序列、以及在最顶部沟道层上方的顶部牺牲层，其中该顶部牺牲层比每个下部牺牲层厚；蚀刻该顶部牺牲层以在牺牲栅极结构下方形成顶部牺牲层...

本发明涉及一种驱动器电路，该驱动器电路用于通过根据输入电压向压控电光调制器提供输出电压来驱动该电光调制器。该驱动器电路包括用于接收具有正电源电压电平的直流电源电压的电源输入端和用于接收输入电压的输入端，其中该输入电压在低输入电平和高输入...

根据本发明构思的一方面，提供了一种量子比特设备(100)，包括：半导体衬底层(110)；一组控制栅(112，114，116)，该组控制栅被配置成沿着该衬底层(110)限定一行静电限制量子点(122)，每个量子点(122)适于保持量子比特...

本申请涉及栅极间隔物图案化，具体地，涉及一种用于在形成FinFET结构时保护栅极间隔物的方法(100)，所述方法包括：提供(110)鳍片(1)，其具有至少一个与鳍片(1)交叉的伪栅极(2)，其中栅极硬掩模(3)存在于伪栅极(2)的顶部；...

本发明一般涉及图像处理。特别地，本发明涉及一种用于对电子显微镜(EM)图像进行去噪的方法和设备。该方法包括选择EM图像的补丁的步骤，其中该补丁包括多个像素，其中对该补丁执行以下步骤：i)用来自同一EM图像的不同的、优选为随机选择的像素的...

用于形成第一和第二晶体管结构的方法，其中第一和第二晶体管结构由绝缘壁间隔开，包括：在衬底的半导体层上形成第一和第二半导体层堆叠，每个层堆叠在自底向上的方向上包括牺牲层和沟道层，其中层堆叠由延伸到半导体层衬底中的沟槽间隔开，沟槽填充有绝缘...

本发明的方法应用光谱测量来确定微结构的侧壁中的横向凹陷深度。该结构被形成在更大的衬底上且该侧壁相对于该衬底处于直立位置，并且该凹陷与该衬底基本上平行地延伸。该凹陷可以是蚀刻深度。能量束被定向在该结构处。落在该结构上的入射束产生光谱响应。...

本公开提出了一种雪崩光电二极管(APD)器件，具体而言，横向分离式吸收电荷倍增(SACM)APD器件，以及一种用于制造该APD器件的方法。该APD器件包括在半导体层中形成的第一接触区和第二接触区。此外，该APD器件包括形成在该半导体层上...

本公开提出了一种用于加工雪崩光电二极管(APD)器件，具体而言是分离式吸收电荷倍增(SACM)APD器件的方法。该方法包括在半导体层中形成第一接触区域和第二接触区域。此外，该方法包括在半导体层的至少第一区域上方与该第一接触区域相邻地形成...