本公开提供了一种薄膜光伏模块，其包括在电绝缘基板上的多个串联连接的薄膜光伏电池，并包括与薄膜光伏模块集成并位于薄膜光伏模块的侧向边缘处的至少一个电子设备。该至少一个电子设备的第一设备电极借助于第一导电线被电连接到第一薄膜光伏电池的透明前...

本发明的方法在基板上执行，上述基板在其表面上包括平行半导体翅片的阵列和至少一个伪栅极，该伪栅极横向于翅片取向，并在每侧上由间隔物和层间电介质区域侧接。对基板应用替换金属栅极处理，栅极电介质和金属栅极堆叠替换伪栅极。根据本发明，金属栅极堆...

本发明涉及一种用于测量诸如集成电路管芯的后道工艺部分的分层金属化结构中机械应力的传感器。该传感器用作包括栅电极(1)、栅极介电(5)、沟道(6)以及源极和漏极(7、8)的场效应晶体管，其中，栅电极是第一金属化层的导体(1)，而源极和漏极...

一种用于对象(110)的同轴全息成像的成像设备，包括：一组光源(102)，其中每个光源(102)被配置为以受限的照明锥形输出光；图像传感器(120)，其包括用于检测入射光的一组光检测元件(122)，其中该组光源(102)被配置为输出光以...

根据本发明构思的一方面，提供了一种用于形成半导体器件的栅极的方法，该方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括基板和在所述基板上方突出的沟道结构，在沟道结构上形成栅极介电层，在栅极介电层上形成栅极功函数金属层，沉积硅的牺牲材料以形成初...

提供一种方法，用于将至少部分阀金属层转变为包括多个间隔(纳米)通道的模板。所述方法包括：第一阳极化步骤，由此，形成包括多个(纳米)通道的阀金属氧化物多孔层；保护处理，由此将疏水性表面引入(纳米)通道壁和(纳米)通道底部；保护处理后的第二...

在导电基材上形成功能材料层。提供一种用于在导电基材上形成功能材料层的方法。该方法包括：在基材上沉积中间层，在中间层上沉积功能材料前体层，并且使功能材料前体层活化，从而在中间层上形成功能材料层。该方法可以涉及将至少部分阀金属层转变成包括多...

提供了包括形成有序网络的多根互连的线(101、102)的多孔固体材料。多孔固体材料(100)的预定体积表面积为2m

本发明涉及一种用于形成互连部的方法和溶液，具体涉及一种用于铂族金属无电沉积的无氧或贫氧溶液，其包含：a.具有第一氧化电势的钌(II)胺络合物，以及b.铂族金属化合物，其还原电势大于钌(II)胺络合物的氧化电势相反数。

根据本发明构思的一方面，提供一种形成III‑V半导体器件的方法，包括：形成III‑V半导体层堆叠，其在自底向上方向上包括：漏极接触层、漂移层、沟道层、体接触层和源极接触层，其中漏极接触层、漂移层和源极接触层具有第一导电类型，而沟道层和体...

描述了用于区分细胞的细胞区分系统。该系统包括：用于接收基于处于悬浮状态的细胞的全息图像的细胞经重构的图像的输入装置，以及用于从该细胞经重构的图像确定细胞表征特征用于该细胞的表征的细胞识别装置。该细胞识别装置于是被配置成用于将图像矩确定为...

提供了制造固态电池组电池和电池组的方法，以及由此制造的固态电池组电池和电池组。这些方法可以涉及将至少部分阀金属转变成包括多个间隔的(纳米)通道的模板，和/或在模板的(纳米)通道内形成多个间隔结构。这些方法还可以涉及在导电基材上形成功能材...

提供了一种用于产生太阳能电池中交指状图案的方法(100)，包括：提供(S110)具有一个或多个覆盖区域以及一个或多个暴露区域的基材，所述的覆盖区域被第一钝化层堆叠体覆盖，而第一钝化层堆叠体被第一硬掩膜覆盖。包括至少一个层的第二钝化层堆叠...

一种使膜与基材层离的方法。该方法包括：提供(210)第一材料的基材(101)，在其顶部上具有第二材料的膜(102)；使用粘合剂(106)将膜(102)粘合到载体(108)；将超临界流体引入膜(102)和基材(101)之间，其中，超临界流...

一种用于形成半导体结构的方法，所述方法包括：a)提供硅基材(1)，其具有分别属于第一基材区域(13)和第二基材区域(14)的第一平坦顶表面(11)和第二平坦顶表面(12)，第一平坦顶表面(11)低于第二顶表面(12)，由此形成划分第一基...

本发明的方法在表面上包含双堆叠半导体鳍片的基材(2)上进行，各鳍片包括单晶基底部分(1)、多晶部分(4)和掩模部分(5)。鳍片之间的沟槽填充有STI氧化物(10)以及多晶材料(12)，随后使表面平面化。然后，在平面化的表面上产生第二掩模...

一种在多个翅片上形成栅极触点和/或接触线的方法(100)。该方法包括提供(110)包括半导体结构的晶片，所述半导体结构包括多个翅片。该方法还包括在翅片上图案化(120)至少一个连续沟槽，并用金属填充(130)至少一个沟槽以获得与翅片接触...

根据一个方面，提供了一种图案化方法，包括：使用第一掩模层作为蚀刻掩模来在上记忆层中图案化一组上沟槽；在下记忆层中图案化第一组下沟槽，所述图案化包括将经图案化的上记忆层、间隔件层和第一块图案用作为蚀刻掩模，其中所述第一下沟槽的至少一个子集...

一种像素架构包括：被配置成响应于入射光来生成电荷的吸收层(112)；半导体电荷传输层(118)，该半导体电荷传输层(118)被配置成传输所生成的电荷穿过电荷传输层(118)，其中一个或多个掺杂区域(122)被布置在电荷传输层(118)中...

一种图像传感器(100)，包括：用于检测入射在像素上的光的像素(110)的阵列，其中阵列中的每个像素(110)包括光电探测器(112)和像素内相关双采样CDS电路系统(114)以便输出表示光积分信号和复位信号之差的CDS信号；沿着阵列中...