一种用于获得对象的图像的图像传感器包括：在衬底上形成的光敏区(104)的阵列(102)，其中每个光敏区(104)是该衬底内的连续区域；干扰滤波器(106)的阵列，其中每个干扰滤波器(106)被配置成选择性地传送波长带，其中干扰滤波器(1...

本公开涉及离子嵌入型电池的电极层和电极层材料，其中电极层材料具有良好的电子传导性和良好的离子传导性，并且其中电极层提供良好的速率性能和高存储容量。本公开还涉及包括这种电极层(例如作为阳极)的离子嵌入型电池单元和电池。本公开还涉及用于形成...

在第一方面，本发明涉及用于制造掩模层的方法，所述方法包括：a.提供其上具有图案化层(400)的基材(100,200,300)，该图案化层(400)包括至少一个开口(500)，该开口(500)暴露基材(100,200,300)并具有宽度，...

本发明涉及一种用于确定在半导体量产晶片(即，在制造工艺中使用的晶片以在该晶片上产生多个芯片)上产生的芯片的图案化层中的特征的尺寸的方法和装置。图案化层的产生包括光刻步骤和蚀刻步骤，其中，为了产生图案化层而施加的光刻掩模被提供有一个或多个...

一种形成包含至少一个Ge纳米线的半导体装置的方法(100)，所述方法(100)包括：提供(110)包含至少一个鳍片(200)的半导体结构，所述至少一个鳍片包含至少一个Ge层(220)与SiGe层(210)交替的堆叠；将SiGe(210)...

根据本发明概念的一个方面，提供一种光刻掩模板系统，其包括：掩模板，安装在掩模板前的第一防尘薄膜，以及安装在第一防尘薄膜前的第二防尘薄膜，其中，第一防尘薄膜设置在掩模板和第二防尘薄膜之间，并且其中，第二防尘薄膜相对于第一防尘薄膜和掩模板可...

本发明构思涉及形成用于极紫外线光刻掩模板(410)的碳纳米管防护件薄膜(102、202)的方法，所述方法包括：通过将至少一个碳纳米管薄膜(104、204a、204b)压制在第一按压表面(106、206)和第二按压表面(108、208)之...

揭示了一种用于限定垂直晶体管器件中的沟道区的方法。该方法包括在衬底上提供由第一层(501)、第二层(502)和第三层(503)的堆叠形成的鳍(504、505、506)，其中第二层被置于第一层以上，并且第三层被置于第二层以上，选择性地在该...

根据本发明的概念的一方面，提供了一种用于在半导体结构上形成互连的垂直沟道器件的方法，该互连的垂直沟道器件包括从第一底电极区延伸的第一垂直沟道结构以及从第二底电极区延伸的第二垂直沟道结构，第一和第二垂直沟道结构从覆盖第一和第二底电极区的介...

根据本发明概念的一方面，提供了一种用于形成垂直沟道器件的方法，该方法包括：提供包括衬底和多个垂直沟道结构的半导体结构，提供具有环绕栅极的垂直沟道结构，形成嵌入各栅极并暴露每个垂直沟道结构的顶部的第一介电层，在每个顶部上形成顶电极，在顶电...

根据本发明概念的一方面，提供了一种用于形成垂直沟道器件的方法，该方法包括：提供包括衬底和多个垂直沟道结构的半导体结构，提供具有环绕栅极的垂直沟道结构，在所述垂直沟道结构的至少一个子集的每个垂直沟道结构的顶部上选择性地生长经掺杂半导体材料...

公开了一种用于形成垂直晶体管器件中的柱的方法。该方法包括：在基板上提供由第一层(501)、第二层(502)和第三层(503)的堆叠形成的鳍(504、505、506)，其中，第二层被置于第一层上方，并且第三层被置于第二层上方，提供栅极层(...

本发明构思涉及一种形成用于极紫外光刻的防尘薄膜的方法，所述方法包括：在碳纳米管防尘薄膜膜片的主表面的外周区域上形成第一材料的涂层，所述防尘薄膜片包括碳纳米管膜，将所述碳纳米管防尘薄膜膜片置于防尘薄膜框架上，并且所述外周区域面向所述防尘薄...

一种用于分析集成电路的设计的方法，包括：接收(100)集成电路的设计布局；形成所述设计布局的各部分的多个图像，并且对于所述设计布局的一部分的每个图像：计算(104)该图像的傅里叶变换表示；以及从所述傅里叶变换表示中提取(106)预定义参...

在第一方面，本发明涉及用于在半导体器件中将Si1‑xGex结构(200)与Si1‑x’Gex’结构(110)共同集成的方法，包括：a.提供包括多个Si1‑xGex结构(200)的器件，其中0≤x

本公开涉及用于半导体制造工艺的度量方法。公开了一种用于监视在一工艺步骤中产生在基板上的1维和/或2维部件的图案中的临界尺寸的方法和装置，所述工艺步骤作为用于产生半导体器件的制造工艺的一部分或与所述制造工艺相关，所述工艺步骤根据预定义图案...

一种在纳米线之间形成内间隔的方法(100)：提供(110)鳍片，所述鳍片包含交替的牺牲材料(4)的层与纳米线材料(3)的层的堆叠；选择性地除去(130)部分牺牲材料(4)，从而形成凹陷(5)；将电介质材料(10)沉积(140)到凹陷(5...

根据本发明的一个方面，提供一种使得目标层图案化的方法，该方法包括：在目标层上形成数根间隔开的平行材料线，以使得在材料线之间形成曝露目标层的纵向间隙，用牺牲材料填充所述间隙，通过沿着所述间隙中的一条间隙的一部分去除牺牲材料来形成孔，所述孔...

依据本发明的一个方面，提供一种在电介质层中形成导电路径图案的方法，该方法包括：在电介质层上方形成掩模层，在掩模层上方形成心轴组，每个心轴具有一对侧壁间隔物，对掩模层进行蚀刻，其中所述心轴组和侧壁间隔物作为蚀刻掩模，以在掩模层中形成第一组...

依据本发明的一个方面，提供一种限定介电层中用于导电路径的图案的方法，该方法包括：在介电层上形成掩模层；在掩模层上形成一组纵向且平行延伸的掩模特征件，各掩模特征件包括具有一对侧壁间隔体的芯轴，掩模特征件是隔开的，以使得在掩模特征件之间形成...