一种将分析物识别分子(1)固定在用化学基团Y

本公开涉及磁性多数决定门器件(1)，其包括磁性传播层(2)和至少一个输入换能器(6)。磁性传播层(2)包括多个磁总线，用于沿磁总线的纵向方向引导传播磁畴壁。多个磁总线包括具有用于接收相应的输入磁畴壁的相应输入站点的多个输入磁总线(4)。...

本发明涉及包括嵌入在用已知的FO‑WLP或eWLB技术可获得的重构晶片中的第一管芯的一种封装。除了第一管芯以外，穿基板通孔插入件被嵌入在晶片中，TSV插入件是分开的元件，可能是具有将插入件的前侧和背侧上的各触点互连的金属填充通孔的硅管芯...

描述一种用于局部涂覆流体通道的内表面的流体设备(100)。流体设备(100)包括在公共接合点(105)处相交的第一流体通道(101)、第二流体通道(102)和第三流体通道(103)。第一流体通道可连接到涂层流体贮存器，并且第三流体通道可...

提出了一种用于提取对象(106)的至少一个对象特性的设备，该设备包括：用于记录对象的全息图的光传感器(101)，以及处理单元(102)，该处理单元耦合至光传感器并被配置成用于从全息图中提取至少一个对象特性；其特征在于：处理单元被配置成用...

一种用于感测分析物的设备(1)，该设备(1)至少包括：用于接收样本的样本入口(10)；被选择成具有与分析物的优先结合的亲和探针(111)；对分析物和/或附连到分析物的标记的特性敏感的换能器(11)，该换能器不是FET换能器；以及用于对所...

本申请涉及对基材进行湿处理的方法。对结构进行湿处理的方法，该方法包括：获得包括第一表面的结构，所述结构包括至少在第一端与第一表面固定并从其突出的特征件，其中，特征件的侧壁朝向第二表面并与其间隔开间隙g；对结构进行湿处理，之后对结构进行干...

提供了一种用于接触和电连接至少一个光伏电池的方法，该方法包括：提供至少一个光伏电池(20；70；90)，其中所述至少一个光伏电池在其单个表面上包括至少第一极性的第一金属触点(21)以及第二相反极性的第二金属触点(22)；提供编织织物(1...

所公开的技术一般涉及半导体器件，更具体而言涉及具有堆叠布局的半导体器件，并且还涉及制造这样的器件的方法。在一个方面，半导体器件包括被形成在衬底上并且至少部分地沿垂直方向堆叠的第一存储器器件和第二存储器器件。第一和第二存储器器件中的每一个...

提供了用于电接触光伏电池且用于电互连这样的电池的方法。该方法包括提供机织织物，该机织织物包括被设置在经向和纬向中的单个方向上的多条导电线，该机织织物还包括被设置在经向和纬向中的至少另一个方向上的多条聚合物纱线。使机织织物与包括多个金属触...

本公开提供了一种用于制造完全自对准双栅极金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法。该方法包括：在衬底的前侧上提供为栅极区域定界的第一栅电极；提供第一栅极介电层；提供经图案化的金属氧化物半导体层；提供第二栅极介电层；提供第二栅极导电层；提供光致抗...

一种用于在半导体器件中形成一个或多个自对准栅极触点(560)的方法，包括：向衬底(100)提供包括栅极介电层(420)和栅极电极(550)的至少一个栅极堆叠(520)，以及涂覆所述至少一个栅极堆叠(520)的侧边缘的间隔体材料(320)...

本发明涉及一种包括光电集成电路(2)的成像设备(1)。此光电集成电路包括用于引导光信号(5)的集成波导(4)、光学耦合至集成波导(4)以及适配成用于将光信号(5)作为光束(9)定向出该光导(4)的平面的光耦合器(8)、以及用于包含浸没于...

一种用于将光信号(5)从集成波导(4)光学向外耦合到自由空间中的光耦合器(8)，该光耦合器包括多个微结构(202)。该多个微结构(202)在形状和位置上被适配成补偿该光信号(5)在该光耦合器(8)中传播时的衰减并且提供该光信号(5)在自...

本发明涉及用金属或陶瓷材料硬化的图案。在第一方面中，本发明涉及一种图案化的结构，其包括：i)基片(100)，ii)位于该基片(100)顶部的第一层(200)，其包括填充材料(220，240)和引导材料(210，230)，其中至少该第一层...

根据本发明构思的一个方面，提供一种图案化目标材料层的方法。该方法包括：在所述目标材料层上形成第一特征件和第二特征件；在面对第二特征件的第一特征件的侧壁上形成第一间隔体，在面对第一特征件的第二特征件的侧壁上形成第二间隔体；在第一和第二特征...

提供了一种用于电连接位于光伏电池表面上的多个接触区的方法，所述方法包括：在所述光伏电池的所述表面上定位电连接器，由此用所述电连接器覆盖所述多个接触区，并且将所述电连接器电连接到所述多个接触区，其中所述电连接器包括导电芯和电绝缘包封部，所...

一种用于偏转液体中的物体的微流体装置(100)，该装置包括：用于在其上提供包含物体的液体的衬底(101)；以及具有至少一个微泡产生元件(例如，至少一个微加热器)(103)的微泡产生器(例如，加热元件)(102)，其位于衬底的表面上并且当...

公开了一种隧道场效应晶体管(TFET)，其包括半导体材料的源极‑沟道‑漏极结构。该源极‑沟道‑漏极结构包括n型或p型掺杂的源极区，与该源极区相反掺杂的漏极区和位于该源极区和该漏极区之间的固有或低掺杂的沟道区。该TFET进一步包括覆盖该沟...

一种Si基高迁移率CMOS装置的制造方法及所得装置。该方法包括：提供硅基材，该硅基材具有在顶部的第一绝缘层和延伸入硅中的沟槽；通过以下步骤来在第一绝缘层上方制造III‑V半导体通道层：沉积牺牲材料的第一假层，用第一氧化物层覆盖第一假层，...