一种使第一基材与第二基材直接结合的方法，所述第一基材和第二基材包含电介质结合层，其中所述结合通过使电介质结合层互相接触形成基材组件并对该组件进行结合后退火来进行，其中两个结合层在结合之前都进行预处理，所述预处理包括按照所述的顺序进行的以...

提供了有源矩阵显示器中的阈值电压补偿的方法。显示器包括像素，每个像素都包括：具有驱动器栅极和校准栅极的驱动晶体管、选择性地连接到驱动器栅极的第一数据线、选择性地连接到校准栅极的第二数据线。该方法包括：以校准测量模式驱动显示器以测量像素的...

本发明涉及一种组合物，其包含溶解于溶剂混合物的一种或多种钙钛矿前体，所述溶剂混合物包含：i)一种或多种极性非质子溶剂，它们各自经选择，从而在其它组分不存在时使用的情况下，使所述一种或多种钙钛矿前体溶解，ii)通式CnH2n+1OH的一种...

一种用于在制造半导体结构期间阻断一条或多条沟槽(700)的一个或多个部分的方法，所述方法包括：a.提供包括一条或多条沟槽(700)、以及介电材料(130)的基材(100)；b.提供第一覆盖层(300)，由此填充一条或多条沟槽(700)；...

根据本发明概念的一个方面，提供了一种用于形成导电路径和通道的方法，所述方法包括：在安置在下部金属化层次之上的电介质层之上形成硬掩模层，在硬掩模层中形成包括沟道的图案，在所述硬掩模层之上形成第二掩模层，在第二掩模层中形成开口，通过穿过开口...

一种用于形成掺杂的TiO2纳米微粒的非水性组合物，所述组合物包含：i.包含有机化合物的极性溶剂，所述有机化合物在其化学结构中具有一个或多个氧原子；ii.卤化钛(IV)；以及iii.选自过渡金属卤化物和镧系元素卤化物的掺杂剂前体。

用于电力电子器件的基于III‑N的基材，其包括：基底、在基底上的III‑N层叠体、以及在基底和III‑N层叠体之间的缓冲层结构。缓冲层结构至少包括第一超晶格层叠体、以及在第一超晶格层叠体上的第二超晶格层叠体。第一超晶格层叠体包括由多个第...

依据本发明的一个方面，提供一种形成磁阻器件的方法，该方法包括：在基板上方形成磁性隧道结结构，该磁性隧道结结构在自底向上的方向上包括自由层、隧道势垒层和参考层，在磁性隧道结结构上方形成钉扎层，用于钉扎参考层的磁化方向，在钉扎层上方形成含C...

一种形成水平纳米线的方法，该方法包括提供基板，所述基板包括电介质层和鳍结构，所述鳍结构包括从电介质层突出的部分，所述突出的部分是部分未掩蔽的，且包含由第一材料层交替且重复地与第二材料层叠置构成的多层堆叠；通过进行一个循环来形成水平纳米线...

一种FET器件包括具有绝缘表面的衬底、基本上垂直于衬底(100)的绝缘表面的，由绝缘材料制成或被绝缘材料覆盖的结构、由包围垂直结构以及衬底的绝缘表面的至少一部分的2D材料构成的薄层、与2D材料的薄层电接触的两个电极，所述电极之一在直立结...

一种形成包含水平纳米线的半导体器件的方法(100)。该方法包括提供(110)包含至少一个鳍片的半导体结构，所述鳍片包含交替的牺牲材料(4)层和纳米线材料(3)层的堆叠，所述半导体结构包含部分覆盖层堆叠的伪栅极(7)；至少部分地除去(13...

一种形成包含水平纳米线的半导体器件的方法。该方法包括在基片上沉积(410)多层堆叠，该多层堆叠包括交替的第一牺牲层(150)和纳米线材料(140)的层；在多层堆叠中形成(420)至少一个鳍片；围绕鳍片施加(430)额外的牺牲层(510)...

一种在半导体器件的纳米线之间形成内间隔的方法(100)。该方法(100)包括：‑提供(110)包含至少一个鳍片的半导体结构，所述至少一个鳍片包含交替的牺牲材料(4)层和纳米线材料(3)层的堆叠，所述半导体结构包含部分覆盖至少一个鳍片的层...

一种用于制造与半导体器件的源极或漏极区的触点(900)的方法，包括：a.提供具有至少一个源极或漏极区的所述半导体器件，所述源极或漏极区具有暴露区域，b.部分蚀刻所述源极或漏极区使得所述暴露区域增大，以及c.提供至少覆盖所述源极或漏极区的...

一种形成III族氮化物材料层的方法，该方法包括提供具有主表面的基板，所述主表面包含第一III族氮化物材料层。所述基板在其主表面上还包括具有暴露所述第一III族氮化物材料的开口的电介质层。在对基板施加包含含氮气体的气体混合物的同时进行热处...

一种用于制造掩模层的方法，所述方法包括：a.在基材上提供图案化层，所述图案化层至少包括具有第一特性的有机材料的第一组线，所述线具有线高度，并且通过空隙或具有第二特性的材料分开；b.用金属或陶瓷材料浸润至少第一组线的顶部部分，所述金属或陶...

本申请涉及用于形成过渡金属二硫属化物(TMDC)材料层的方法。本发明概念涉及用于在布置在分子束外延生长工具(100)的加工室(102)中的基材(152)上形成过渡金属二硫属化物(TMDC)材料层(150)的方法(200)。方法(200)...

本发明涉及一种用于将芯片粘合到着陆晶片的方法。根据本发明的方法，一定体积的对准液被分配在芯片的可润湿表面上以便变得附着到所述表面，此后芯片被朝向晶片的粘合位置移动，所述粘合位置同样设置有可润湿表面。液桥被形成在芯片和基板晶片上的粘合位置...

本发明涉及一种用于生成沿输出磁性总线传播的磁畴壁流的方法(100)。该方法包括提供(101)一种包括磁传播层的设备(10)。该层包括多条磁性总线，包括用于引导传播磁畴壁的输出磁性总线。该层还包括多条磁性总线在其中汇聚并被接合在一起的中央...

一种用于承载至少一个辐射束(103)的辐射载体(100)，在其表面(102)上具有至少一个激发光栅(101)，用于将至少一个激发辐射束(104)定向地引导出辐射载体，从而照亮感兴趣的区域(105)；以及用于重定向从感兴趣的区域放射出的发...