本发明涉及视力矫正显示器。一种用于生成具有与图像像素的实际深度不同的图像像素的感知深度的图像的显示器，包括：微透镜阵列，该微透镜阵列具有沿着第一方向的第一间距；在该微透镜阵列下面的多个光源阵列102，光源阵列102具有沿着第一方向的第二...

本发明涉及一种用于电测试IC的探测器件，包括半导体基板以及附连到该基板的各向异性导电接触器。基板包括集成电路部分，集成电路部分包括在基板表面上的接触垫阵列。接触器附连到垫阵列并且包括探针阵列，每一个探针与一个垫接触。IC部分包括用于选择...

根据本发明的一方面，提供了一种用户设备，包括：相机，其被适配成获取落入该相机的视野内的景象的至少一个图像；分光计模块，其被适配成获取来自景象内的一区域的光谱信息，该区域落入该分光计模块的视野内；以及处理单元，其被适配成基于将分光计模块的...

本发明涉及分光计模块(10)，包括：多个分开的电子电路模块(20)，每一电子电路模块包括集成传感器电路，所述集成传感器电路包含占据所述集成传感器电路的区域的一部分的光敏区(22)，所述集成传感器电路被布置成检测入射光，其中所述多个分开的...

公开了一种多栅极器件，包括：一组有区别的输入区域；一个输出区域；每一个区域包括夹在自由层叠层和硬层之间的非磁性层，自由层叠层包括籽层上的主体PMA层；在主体PMA层上，磁性层与非磁性层接触；以及每一个区域至少共享主体PMA层和籽层。主体...

一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：a)提供半导体表面(6’)，b)在所述表面(6’)上生长III‑V半导体纳米结构的第一部分(8)，c)用第一材料的层(9)覆盖所述第一部分(8)，d)去除所述第一材料的层(9)的顶部部分...

根据本发明概念的一个方面，提供了一种在基材上形成目标材料特征件的方法，所述方法包括：在基材上形成牺牲材料特征件；以及通过沉积工艺形成目标材料的所述特征件,在该过程中通过用沉积工艺前体形成挥发性反应产物来从所述基材上去除牺牲材料的特征件，...

本申请涉及Ge场效应晶体管(FET)和制造方法。揭示了场效应晶体管(FET)，其包括：包含锗(Ge)的有源区；以及有源区上的栅堆叠。栅堆叠包括：包含Si的钝化层；钝化层上的界面电介质层，其包含SiOx，其中x是大于0的整数；界面电介质层...

根据本发明的方法将多个晶圆结合以形成晶圆堆叠体，所述晶圆各自包含多个集成电路管芯。该堆叠体中，通过现有的直接接合技术将管芯接合在一起。根据本发明，在各个结合步骤之前，沿着所要结合的两个管芯的周界制作单片化槽，以达到下述程度：在单片化槽中...

提供存在于半导体结构中开口的表面上的蚀刻隔离层的部分的等离子体处理方法。该方法包括提供在外部表面中包含开口的半导体结构,限定开口的表面和半导体结构的外部表面至少部分地被隔离层覆盖，将包含在等离子体处理过程中形成保护性聚合物的第一组分以及...

心率检测系统(100)包括：随机采样模块(10)，该随机采样模块被配置成用于低于Nyquist速率地提供生物信号的非均匀随机样本(S1)，该生物信号包含心率信息；以及，心率检测模块(30)，该心率检测模块被配置成用于在预定时间窗口期间接...

一种用于将半导体管芯共同接合到目标晶片的卡盘，包括多个管芯放置部位，所述管芯放置部位包括位于它们的表面上的碳纳米管(CNT)制的弹性薄膜。管芯放置部位可以具有不同的深度以补偿多个管芯之间的高度差。CNT薄膜是弹性的，并且因此将一定程度的...

一种无结垂直三维半导体器件。本发明涉及一种垂直三维半导体器件(10)，包括：位于衬底(104)上的源极层(102)；位于源极层(102)上的重复序列的水平的层堆叠(106)，每个序列包括电隔离层(108)和导电栅极层(110)。层堆叠(...

本发明涉及一种光伏模块(1)，包括光伏电池的网格、形成电池串(5)的非可重配置互连、以及可重配置互连(6)。每一个电池串(5)包括串联连接的至少四个电池，第一电池和最后一个电池位于网格的同一条边上，最后一个电池与相邻电池串的第一电池相邻...

本申请涉及单晶硅基材的织构化。制备单晶硅基材表面用于后续织构化步骤的方法，该方法包括：a.通过使表面与清洁溶液接触来从表面去除污染物；b.用包含12‑19重量％的KOH和/或NaOH的水性溶液对经预清洁的表面进行蚀刻；c.在7‑10的p...

本申请涉及全门N纳米丝器件以及该器件的制造方法。本发明揭示了GAA纳米丝半导体器件和制造该GAA纳米丝半导体器件的方法。GAA纳米丝半导体器件包括：具有主表面的半导体基材；在基材上的纳米丝的垂直堆叠；纳米丝具有平行于主表面的纵向方向；垂...

本申请涉及应变的第IV族通道。半导体结构包括：a.具有顶表面的单晶基材(1)，b.位于所述单晶基材上的非晶体结构(2)，其包括宽度小于10微米的开口并且将所述单晶基材的顶表面的部分暴露出来，c.缓冲结构(3)，其具有与所述部分毗邻的底表...

提供了一种器件制作方法，该器件包括：在单个基板上的第一位置处的第一图案化器件层(31)和在第二位置处的第二图案化器件层(32)。该方法包括：在基板上沉积第一夹层(21)；图案化第一夹层(21)，由此去除在第一位置处的第一夹层；沉积第一器...

提供了用于生成自旋波的方法(500)和器件(100，200，300，400)。器件(100，200，300，400)包括：磁致伸缩薄膜(102)、响应于激励而改变物理尺寸的变形薄膜(104)及声波隔离(106)，该磁致伸缩薄膜(102)...

提供了一种薄膜电路的制造方法，该方法包括：(a)获取包括具有输出的至少一个逻辑门电路的薄膜电路，至少一个逻辑门电路包括多个驱动晶体管和多个负载元件，至少一个负载元件电连接到输出；(b)将一系列预定电压图案顺序地提供给多个驱动晶体管，电压...