用于制造完全自对准双栅极薄膜晶体管的方法技术

本公开提供了一种用于制造完全自对准双栅极金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法。该方法包括：在衬底的前侧上提供为栅极区域定界的第一栅电极；提供第一栅极介电层；提供经图案化的金属氧化物半导体层；提供第二栅极介电层；提供第二栅极导电层；提供光致抗蚀剂层；图案化该光致抗蚀剂层；图案化第二栅极导电层，由此形成第二栅电极；以及图案化第二栅极介电层。对光致抗蚀剂层进行图案化包括执行后侧照明步骤、前侧照明步骤和光致抗蚀剂显影步骤，其中后侧照明步骤包括使用第一栅电极作为掩模从衬底的后侧对光致抗蚀剂层的照明，并且其中前侧照明步骤包括仅在边缘部分中使用对栅极区域中的光致抗蚀剂层进行曝光的掩模来从前侧对光致抗蚀剂层的照明。

Method for manufacturing fully self-aligned dual gate thin-film transistors

The present disclosure provides a method for manufacturing fully self-aligned dual gate metal oxide semiconductor thin film transistors. The method includes: the substrate on the front side to the first gate electrode gate region and bound; provide the first gate dielectric layer; the metal oxide semiconductor layer is provided; second gate dielectric layer; second grid conductive layer; providing a photoresist layer; patterning the photoresist layer second; the patterned gate conductive layer, thereby forming a second gate electrode; and the second patterned gate dielectric layer. The photoresist layer is patterned after the front steps, including the implementation of lighting lighting steps and photoresist developing steps, the rear lighting steps include as a mask from the rear side of the substrate on the photoresist layer lighting using the first gate electrode, and the front side illumination includes only in the edge part in the use of the gate region of the photoresist layer is exposed to the mask from the front side of the photoresist layer lighting.

【技术实现步骤摘要】
用于制造完全自对准双栅极薄膜晶体管的方法
本公开涉及用于制造非晶金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法。更具体而言，本公开涉及用于制造完全自对准双栅极薄膜晶体管的方法。
技术介绍
近年来，非晶金属氧化物半导体(诸如举例而言非晶铟镓锌氧化物(IGZO))作为用于薄膜晶体管(TFT)应用的材料已接收到极大的关注。这些材料已被研究作为例如在主动式矩阵液晶显示器(AMLCD)和主动式矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)的上下文中的非晶硅(a-Si:H)和低温多晶硅(LTPS)TFT的替代物。高速操作被要求，以增强基于TFT的电子系统的性能。提高速度性能的常见解决方案是高迁移率材料的使用和晶体管沟道长度(L)的减小。实现增强的性能的另一解决方案是双栅极(DG)晶体管结构的使用。在TFT架构的上下文中，自对准(SA)栅极-源极/漏极TFT结构(其中栅极自对准到源极和漏极)与背沟道蚀刻(BCE)和蚀刻停止层(ESL)结构相比具有零栅极-源极/漏极重叠电容，并且在与ESL结构相比时具有更小的占地面积。有报道称，针对具有双栅极(DG)操作的a-IGZOTFT电路，取得了更好的对沟道的控制，从而得到改进的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造完全自对准双栅极金属氧化物半导体薄膜晶体管(100)的方法(200、300、400)，所述方法包括：在衬底(10)的前侧(101)上提供(201、301、403)为栅极区域(120)定界的第一栅电极(12)；在所述衬底(10)和所述第一栅电极(12)上提供(202、302、404)第一栅极介电层(13)；在所述第一栅极介电层(13)上提供(203、303、405)经图案化的金属氧化物半导体层(14)，所述图案化的金属氧化物半导体层(14)为与所述栅极区域(120)的一部分部分地重叠并且延伸超过所述栅极区域(120)的两个相对的边缘的半导体区域(140)定界；在所述经图案化的金属氧化...

【技术特征摘要】
2016.04.18 EP 16165832.31.一种用于制造完全自对准双栅极金属氧化物半导体薄膜晶体管(100)的方法(200、300、400)，所述方法包括：在衬底(10)的前侧(101)上提供(201、301、403)为栅极区域(120)定界的第一栅电极(12)；在所述衬底(10)和所述第一栅电极(12)上提供(202、302、404)第一栅极介电层(13)；在所述第一栅极介电层(13)上提供(203、303、405)经图案化的金属氧化物半导体层(14)，所述图案化的金属氧化物半导体层(14)为与所述栅极区域(120)的一部分部分地重叠并且延伸超过所述栅极区域(120)的两个相对的边缘的半导体区域(140)定界；在所述经图案化的金属氧化物半导体层(14)上提供(204、304、406)第二栅极介电层(15)；提供(205、305、407)第二栅极导电层(16)；提供(206、306、408)光致抗蚀剂层(21)；通过执行后侧照明步骤(207a、307a)、前侧照明步骤(207b、307b)和光致抗蚀剂显影步骤(207c、307c)来对所述光致抗蚀剂层(21)进行图案化(207、307、408)，由此形成经图案化的光致抗蚀剂层，其中所述后侧照明步骤(207a、307a)包括使用所述第一栅电极(12)作为掩模来从所述衬底(10)的后侧(102)对所述光致抗蚀剂层(21)的照明，并且其中所述前侧照明步骤(207b、307b)包括仅在边缘部分(162)中使用对所述栅极区域(120)中的所述光致抗蚀剂层(21)进行曝光的掩模(22)来从所述前侧(101)对所述光致抗蚀剂层(21)的照明；对所述第二栅极导电层(16)进行图案化(208、308、409)，由此形成第二栅电极(161)；以及对所述第二栅极介电层(15)进行图案化(209、309、409)，由此形成经图案化的第二栅极介电层(151)，其中所述光致抗蚀剂层(21)包括正性光致抗蚀剂，其中所述第二栅极导电层(16)被提供在所述第二栅极介电层(15)上，并且其中所述光致抗蚀剂层(21)被提供在所述第二栅极导电层(16)上；或者其中所述光致抗蚀剂层(21)包括负性光致抗蚀剂，其中所述光致抗蚀剂层(21)被提供在所述第二栅极介电层(15)上，并且其中所述第二栅极导电层(16)在已图案化所述光致抗蚀剂层(21)之后被提供在所述光致抗蚀剂层上并且被提供在所述第二栅极介电层(15)上。2.根据权利要求1所述的方法(200、400)，其特征在于，其中所述光致抗蚀剂层(21)包括正性光致抗蚀剂，并且其中提供(205、4...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·纳格，
申请(专利权)人：IMEC非营利协会，荷兰应用自然科学研究组织TNO，
类型：发明
国别省市：比利时,BE