一种形成垂直场效应晶体管器件的方法技术

根据本发明专利技术构思的一个方面，提供一种形成垂直场效应晶体管器件的方法。该方法包括：在基材上形成垂直半导体结构，该垂直半导体结构在基材上方突出并且包括下源极/漏极部分、上源极/漏极部分以及设置在所述下源极/漏极部分和所述上源极/漏极部分之间的通道部分；在通道部分上形成封闭所述通道部分的外延半导体应力体层，其中，所述应力体层与所述通道部分晶格失配；形成绝缘层和牺牲结构，其中，所述牺牲结构封闭通道部分，在所述通道部分上形成应力体层，并且，绝缘层包埋半导体结构和牺牲结构；在绝缘层中形成暴露牺牲结构表面部分的开口；通过绝缘层中的开口对牺牲结构进行蚀刻，由此形成腔室，该腔室暴露出封闭通道部分的应力体层；在对牺牲结构进行蚀刻之后，蚀刻腔室中的应力体层；在蚀刻应力体层后，在腔室中形成栅极堆叠体，该栅极堆叠体封闭垂直半导体结构的通道部分。

【技术实现步骤摘要】
一种形成垂直场效应晶体管器件的方法
本专利技术构思涉及一种形成垂直场效应晶体管器件的方法。
技术介绍
垂直场效应晶体管(VFET)是一种器件，其包括在基材上方突出的垂直半导体结构，例如垂直纳米线或纳米片。VFET具有限定半导体结构的通道部分中的垂直取向通道，该通道部分在下源极/漏极部分和上源极/漏极部分之间延伸。因此，VFET可以称为垂直通道器件。VFET的栅极通常以全方位的方式围绕通道部分延伸。与栅极长度由栅极的线宽限定的水平通道器件(如平面FET和finFET)相比，沿栅极层的厚度方向限定VFET的栅极长度。因此，其中VFET是用于密集电路实施的推动器(enabler)。应变工程涉及通过将应变引入例如半导体通道部分中来改进器件性能，例如载流子迁移率。尽管已经将许多注意力投入了水平通道器件应变工程技术的发展，但仍需要用于VFET的新型应变工程技术。
技术实现思路
本专利技术构思的目的是解决该需求。可从下文中理解其它目的或另外一些目的。根据本专利技术构思的一个方面，提供一种形成垂直场效应晶体管器件的方法，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成垂直场效应晶体管器件的方法，所述方法包括如下步骤：/n在基材(110)上形成垂直半导体结构(120)，该垂直半导体结构(120)在基材(110)上方突出并且包括下源极/漏极部分(122)、上源极/漏极部分(126)以及设置在所述下源极/漏极部分(122)和所述上源极/漏极部分(126)之间的通道部分(124)；/n在通道部分(124)上形成封闭通道部分(124)的外延半导体应力体层(150)，其中，所述应力体层(150)与所述通道部分(124)晶格失配；/n形成绝缘层(130)和牺牲结构(160)，其中，所述牺牲结构(160)封闭通道部分(124)，在所述通道部分(124)上形成有...

【技术特征摘要】
20190605 EP 19178418.01.一种形成垂直场效应晶体管器件的方法，所述方法包括如下步骤：
在基材(110)上形成垂直半导体结构(120)，该垂直半导体结构(120)在基材(110)上方突出并且包括下源极/漏极部分(122)、上源极/漏极部分(126)以及设置在所述下源极/漏极部分(122)和所述上源极/漏极部分(126)之间的通道部分(124)；
在通道部分(124)上形成封闭通道部分(124)的外延半导体应力体层(150)，其中，所述应力体层(150)与所述通道部分(124)晶格失配；
形成绝缘层(130)和牺牲结构(160)，其中，所述牺牲结构(160)封闭通道部分(124)，在所述通道部分(124)上形成有应力体层(150)，并且，绝缘层(130)包埋半导体结构(120)和牺牲结构(160)；
在绝缘层(130)中形成暴露牺牲结构(160)表面部分的开口(172)；
通过绝缘层(130)中的开口(172)对牺牲结构(160)进行蚀刻，由此形成腔室(174)，该腔室(174)暴露出封闭通道部分(124)的应力体层(150)；
在对牺牲结构(160)进行蚀刻之后，蚀刻腔室(174)中的应力体层(150)；以及
在蚀刻应力体层(150)后，在腔室(170)中形成栅极堆叠体(180)，该栅极堆叠体(180)封闭垂直半导体结构(120)的通道部分(124)。


2.如权利要求1所述的方法，其中，绝缘层(130)包括：
在牺牲结构(160)之前形成的下绝缘层部分(134)，所述下绝缘层部分(134)至少部分包埋下源极/漏极部分(122)并使得通道部分(124)暴露；以及
在牺牲结构(160)之后形成的上绝缘层部分(136)，所述上绝缘层部分(136)至少部分包埋牺牲结构(160)和上源极/漏极部分(126)，
其中，牺牲结构(160)形成于下绝缘层部分(134)上。


3.如权利要求2所述的方法，其中，形成牺牲结构(160)包括如下步骤：
在下绝缘层部...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·维洛索，G·埃内曼，
申请(专利权)人：IMEC非营利协会，
类型：发明
国别省市：比利时;BE