EUVL扫描仪制造技术

本发明专利技术涉及一种EUVL扫描仪(10)。该EUVL扫描仪包括：EUV光源(110)；掩膜版(120)；安装在掩膜版(120)的前面并包括EUV透射膜(132)的薄膜(130)，在使用中，该透射膜将透射光散射成具有主轴(114)的椭圆散射图案(112)；以及变形高高NA成像系统(140)，其被配置为将由掩膜版(120)反射的光通过薄膜(130)投射到目标晶片(150)上；其中成像系统(140)的接收锥(160)的横截面(162)具有主轴(164)，并且其中薄膜(130)相对于成像系统(140)被布置，使得散射图案(112)的主轴(114)相对于成像系统(140)的接收锥(160)的横截面(162)的主轴(164)成一角度定向。

【技术实现步骤摘要】
EUVL扫描仪
本专利技术涉及一种EUVL扫描仪。专利技术背景在半导体制造中，在定义器件和电路图案的过程中广泛使用各种光刻工艺。取决于要定义的特征的尺寸，可以使用不同的光学光刻工艺。在光刻工艺中，存在于光掩模或掩膜版上的图案可以通过照射掩膜版而转移到光敏光致抗蚀剂涂层。通常，光由掩膜版图案调制并成像到涂有光敏光致抗蚀剂的晶片上。在传统的光刻法中，薄膜通常被放置在掩膜版上，以便在处理和曝光期间保护掩膜版免受污染。薄膜将保护掩膜版免受不需要的颗粒的影响，否则这些颗粒会对掩膜版上的图案的保真度产生负面影响，并且因此将图案转移到晶片上。随着图案变得更小，对利用较短波长存在兴趣。在极紫外光刻中，EUVL经常使用约13.5nm的波长。向更短波长的转变已经引发了对新型薄膜设计的探求，这种薄膜设计为EUV辐射提供了高透射率，并且可以承受EUVL扫描仪中通常苛刻的条件。
技术实现思路
本专利技术构思基于这样的认识，即用于EUVL扫描仪的典型薄膜设计可能导致透过该薄膜的光的不可忽略的散射。如果由薄膜散射的光被EUVL扫描仪的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种EUVL扫描仪(10)，包括：/nEVU光源(110)；/n掩膜版(120)；/n安装在所述掩膜版(120)的前面并包括EUV透射膜(132)的薄膜(130)，在使用中，所述透射膜(132)将透射光散射成具有主轴(114)的椭圆散射图案(112)；以及/n变形高NA成像系统(140)，被配置为将由所述掩膜版(120)反射的光通过所述薄膜(130)投射到目标晶片(150)上；/n其中所述成像系统(140)的接收锥(160)的横截面(162)具有主轴(164)，并且其中所述薄膜(130)相对于所述成像系统(140)被布置，使得所述散射图案(112)的所述主轴(114)相对于所述成像系统(1...

【技术特征摘要】
20181228 EP 18248203.41.一种EUVL扫描仪(10)，包括：
EVU光源(110)；
掩膜版(120)；
安装在所述掩膜版(120)的前面并包括EUV透射膜(132)的薄膜(130)，在使用中，所述透射膜(132)将透射光散射成具有主轴(114)的椭圆散射图案(112)；以及
变形高NA成像系统(140)，被配置为将由所述掩膜版(120)反射的光通过所述薄膜(130)投射到目标晶片(150)上；
其中所述成像系统(140)的接收锥(160)的横截面(162)具有主轴(164)，并且其中所述薄膜(130)相对于所述成像系统(140)被布置，使得所...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·加拉赫，JH·弗兰克，I·波兰迪亚，M·蒂默曼斯，M·马里亚诺朱斯特，
申请(专利权)人：IMEC非营利协会，鲁汶天主教大学，
类型：发明
国别省市：比利时;BE