本公开提供了一种铁电存储器器件，其包括具有铁电电容器的存储器单元和连接到该存储器单元的电荷传感器。本公开提供了一种用于非破坏性地读出该存储器单元的方法。该方法包括经由电压线向铁电电容器的电容器板施加电压，其中该电压的值始终低于改变铁电电...

本公开涉及一种存储器器件，其包括铁电存储器单元和连接到该存储器单元的读出电路。本公开还涉及一种用于非破坏性地读出该存储器器件的铁电存储器单元的方法。该存储器器件包括具有铁电电容器的存储器单元。字线和位线分别连接到该存储器单元。该存储器器...

提供了一种半导体器件，包括：多个电路单元，每个电路单元包括：在第一单元方向上平行延伸的第一有源区和第二有源区；至少第一栅极结构，其在横向于第一单元方向的第二单元方向上延伸以与第一有源区和第二有源区中的每一者的相应第一沟道区交叠，其中第一...

本发明涉及一种用于形成集成电路或其中间物的方法。该方法包括在第一导电线上提供第二导电层并与之电接触，随后蚀刻该第二层以形成具有底表面、小于或等于该底面的暴露的顶表面和侧壁的导电通孔的一部分。然后在该通孔上形成第三导电层，连接该第一导电线...

本披露涉及用于在纳米孔传感中使用的新识别分子及其系统、以及用于检测样品中的靶分子的方法，所述识别分子具有包含密集间隔的修饰的短骨架。

一种用于干蚀刻包含至少两种金属的化合物的方法，涉及将反应物和载气注入含有所述化合物的蚀刻室中，其中每种金属都可以被至少一种反应物的等离子体蚀刻。所述方法包括停止注入一种或更多种反应物以降低其浓度，在此降低期间在室内点燃等离子体。

一种半导体器件，包括第一单元，该第一单元包括具有通孔的半导体衬底、底表面中的细胞培养室、穿过顶表面的微流体通道、以及附着于其的传感器/致动器。第二单元具有位于覆盖有透明层的顶表面上方的细胞培养室，以及用于液体的入口/出口。第一单元的底表...

本公开涉及使用孔场效应晶体管(FET)器件的分子感测。更具体地说，所提出的技术涉及在感测分子时实现大带宽、高信号强度和低噪声的孔(FET)器件，这是通过器件的独特特性实现的，例如具有孔的宽管腔部分以允许足够大的电极，以及窄孔口部分。本公...

在根据本发明的组件——例如集成电路芯片或中介层芯片(2)——中，提供了一种介电层(5)，所述介电层具有平坦的上表面(9)和穿过上表面形成的第一沟槽(10)，该沟槽具有基底(11)和直立的侧壁(12)。导体(4)被布置在沟槽中，该导体包括...

一种用于制造包括屏蔽结构(5)的垂直III族氮化物半导体器件的中间体的方法，所述方法包括：a.在气相外延反应器的反应室中获得叠层(3)，所述叠层(3)包括：III族氮化物半导体堆叠(1)，以及经图案化的掩模层(2)，所述图案包括包含掩模...

本发明涉及用于高或超数值孔径范围内的极紫外(EUV)光刻工艺的掩模100。该掩模100包括从两个子布局120、130的叠加中导出的掩模图案。第一子布局120包括旨在印刷的多个掩模特征，其中至少一个特征沿着掩模布局的第一方向取向。第二子布...

本发明涉及一种用于液滴操控的仪器，包括：驱动模块，被配置用于接收控制信号并操作被配置用于操控液滴的介质上电润湿芯片；液滴检测系统，包括光源和被配置用于获得包括介质上电润湿芯片中的液滴的至少一个图像的无透镜成像设备；以及控制单元，被配置用...

本公开涉及生物传感器场效应晶体管(bio‑FET)和生物传感器器件。本公开提出了一种生物传感器器件，其包括一个或多个bio‑FET和一个或多个读出电路，其中每一读出电路被连接到一个bio‑FET的源极节点。每一读出电路被配置成基于该bi...

本发明总体上涉及一种用于液滴操控的方法和系统，并且更具体地说，涉及一种使用电润湿技术进行液滴操控的方法和系统。本文描述的方法和系统对于分析细胞‑细胞的相互作用，更具体地说，对于筛选肿瘤细胞的免疫细胞介导的细胞裂解来说特别有意义。

本发明涉及一种基于全环绕栅极(GAA)晶体管结构制成的GAA器件，该结构包括沿第一方向交替地布置的多个半导体沟道层和一个或多个第一栅极层的堆叠。每一沟道层由栅极介电层包封，并且每一第一栅极层被依次布置在两个沟道层之间。GAA晶体管结构还...

在一方面，提供了一种铁电存储器器件，包括：布置在所述存储器器件的后道工序互连结构中的存储器阵列，包括：水平延伸的板线的垂直堆叠；以及柱结构，该柱结构垂直延伸穿过板线堆叠并包括金属芯和存储层堆叠，存储层堆叠包括在周向上围绕金属芯的氧化物半...

提供了一种交叉点存储器器件，包括：限定多个交叉点的第一存取线和第二存取线；存储器单元，其在每个交叉点处连接在第一存取线和第二存取线之间，并包括可在第一电阻状态和第二电阻状态之间切换的电阻存储器元件；其中每条第一存取线包括金属层和半导体层...

在一方面，提供了一种用于VCMA‑MRAM器件的存储器堆叠，包括：MTJ层结构；辅磁性层结构，所述辅磁性层结构包括第二硬磁性层和辅磁性层；以及中介层结构，所述中介层结构插入在MTJ层结构的自由层和辅磁性层结构的辅磁性层之间并且包括第二势...

本发明提供了一种用于形成半导体结构(100)的方法，该方法包括：在基板(102；202)上形成层堆叠(110；210)，所述层堆叠包括：第一子堆叠、在第一子堆叠上的第二子堆叠(130；230)、在第二子堆叠上的第三子堆叠(140；240...

提供了一种基于III‑V和/或II‑VI和/或IV族半导体的电光器件。该电光器件包括支撑区和从该支撑区延伸的脊结构。该脊结构包括：底部区，该底部区设置在支撑区上并且包括至少一层具有第一导电类型的第一半导体材料；设置在底部区上并且包括活性...