用于形成互连结构的方法技术

形成互连结构的方法包括：在基板上形成第一介电层图案；用金属覆盖第一介电层图案并将金属平坦化以暴露第一介电层图案的上表面并形成第一金属层图案；在第一介电层图案和第一金属层图案上形成第二介电层图案；用金属覆盖第二介电层图案并将金属平坦化以暴露第二介电层图案的上表面并形成第二金属层图案；在第二介电层图案和第二金属层图案上形成掩模材料的掩模图案；以及将掩模图案的第一、第二和第三子图案转移到第一金属层图案的第一部分中以形成一组下部金属特征，将第二子图案转移到第二金属层图案的第一部分和第一金属层图案的第二部分中以形成一组堆叠金属特征，并将第三子图案转移到第二金属层图案的第二部分中以形成一组上部金属特征。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种用于形成互连结构的方法。

技术介绍

1、现代电路制造包括，例如在后道工序(beol)中形成用于将功能电路中的半导体器件进行互连的电互连结构的工艺。互连结构可包括形成在支撑有源器件区的基板上的一个或多个互连级或层级。互连级包括布置在绝缘材料层中的水平导电路径或线路。不同互连级的导电线可通过垂直延伸穿过绝缘层的导电通孔(via)来互连。

2、用于形成互连级的传统办法是“双镶嵌工艺”。根据这一办法，水平地延伸的沟槽在绝缘层中被蚀刻。此外，垂直地延伸的通孔洞被形成在绝缘层中。此后，用导电材料同时填充沟槽和通孔洞，以在沟槽中形成导电线，并在通孔洞中形成导电通孔。可重复该过程以形成诸互连级的堆叠。

3、用于形成互连级的另一办法是使用诸如光刻和蚀刻、自对准双图案化(sadp)或四重图案化(saqp)等单图案化或多重图案化技术来在金属层中直接蚀刻金属线。通孔可以使用经图案化金属线的减法蚀刻来被形成，其中通孔可以由金属线的未开槽部分来限定。与双镶嵌工艺相比，直接金属蚀刻办法可以通过避免与用金属可靠地填充窄沟槽等相关的挑战，从而便于以更激本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于形成互连结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一子图案被进一步转移到所述第二介电层图案的所述部分以形成一组介电特征，其中所述一组下部金属特征由所述一组介电特征封盖。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，形成所述第一介电层图案和所述第二介电层图案中的一者包括形成介电层并在所述介电层中图案化一组开口，并且其中形成所述第一介电层图案和所述第二介电层图案中的另一者包括形成介电层并在所述介电层中图案化一组介电块。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，还包括沉积层间电介质以嵌入和覆盖所述一...

【技术特征摘要】

1.一种用于形成互连结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一子图案被进一步转移到所述第二介电层图案的所述部分以形成一组介电特征，其中所述一组下部金属特征由所述一组介电特征封盖。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，形成所述第一介电层图案和所述第二介电层图案中的一者包括形成介电层并在所述介电层中图案化一组开口，并且其中形成所述第一介电层图案和所述第二介电层图案中的另一者包括形成介电层并在所述介电层中图案化一组介电块。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，还包括沉积层间电介质以嵌入和覆盖所述一组金属特征和所述一组掩模图案，以及平坦化所述层间电介质以便暴露所述掩模图案的上表面。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述掩模图案包括所述掩模材料的掩模线的图案。

6.根据权利要求4-5中的任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求4-6中的任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求4-7中的任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求8所述的方法，当从属...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·古普塔，Z·托克，S·德克斯特，
申请(专利权)人：IMEC非营利协会，
类型：发明
国别省市：