EUV防护膜制造技术

根据一方面，提供了一种EUV防护膜，其包括：防护膜框架；以及防护膜隔膜，该防护膜隔膜安装在该防护膜框架上并且包括CNT束的膜，其中，在该膜的任意2μm×2μm区域内：每束的CNT平均数量为至少5，平均束直径在6至16nm的范围内，平均面密度在0.4至6μg/cm<supgt;2</supgt;的范围内，束间间距为250nm或更小，并且每根CNT的壁数为6或更少。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及极紫外(euv)防护膜(pellicle)。

技术介绍

1、为了实现使用极紫外光刻(euvl)进行大量的集成电路制造，需要防护膜来保护光罩免受任何落下的颗粒的影响。包括碳纳米管(cnt)隔膜的euv防护膜是有前景的防护膜解决方案，其足够透明以限制成像和吞吐量影响，同时足够坚固以承受处理并能够阻挡颗粒。

2、然而，旨在用于euvl的典型的防护膜设计可能会导致通过该防护膜透射的光的不可忽略的散射。如果euvl扫描仪的成像系统收集了防护膜散射的光，这可能会降低转移到目标晶圆的图像的保真度。

3、euv防护膜开发中的另一个挑战是防护膜隔膜(pellicle membrane)的热稳定性，其可能需要承受高于例如200w的euv源功率。在euvl扫描仪的真空环境中，辐射热是从防护膜隔膜传递到周围环境的热量的主要机制。因此，发射率(表面以热辐射形式发射能量的效率)是用于高功率euvl应用的防护膜隔膜的关键指标之一。防护膜隔膜的发射率与光透射率之间的关系描述了其热-光特性。

4、此外，防护膜隔膜的机械强度及其在euvl扫描仪的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种EUV防护膜，包括：

2.根据权利要求1所述的EUV防护膜，其中，该防护膜隔膜是未涂覆的防护膜隔膜。

3.根据权利要求2所述的EUV防护膜，其中，平均面密度在1μg/cm2至6μg/cm2的范围内。

4.根据权利要求2所述的EUV防护膜，其中，平均面密度在0.5μg/cm2至3μg/cm2的范围内。

5.根据权利要求1所述的EUV防护膜，其中：

6.根据权利要求5所述的EUV防护膜，其中，该防护膜隔膜的涂层包含选自以下项的组的涂层材料：Al、B、C、Hf、La、Mo、Nb、Ru、Si、Ti、Y或Zr；或其碳化物、氮化物或...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种euv防护膜，包括：

2.根据权利要求1所述的euv防护膜，其中，该防护膜隔膜是未涂覆的防护膜隔膜。

3.根据权利要求2所述的euv防护膜，其中，平均面密度在1μg/cm2至6μg/cm2的范围内。

4.根据权利要求2所述的euv防护膜，其中，平均面密度在0.5μg/cm2至3μg/cm2的范围内。

5.根据权利要求1所述的euv防护膜，其中：

6.根据权利要求5所述的euv防护膜，其中，该防护膜隔膜的涂层包含选自以下项的组的涂层材料：al、b、c、hf、la、mo、nb、ru、si、ti、y或zr；或其碳化物、氮化物或氧化物。

7.根据权利要求5至6中任一项所述的euv防护膜，其中，平均面密度在0.4μg/cm2至4.0μg/cm2的范围内。

8.根据权利要求7所述的euv防护膜，其中，该涂层的平均厚度为2.0nm或更小，并且该涂层在该膜上的覆盖度为至少80％。

9.根据权利要求7所述的euv防护膜，其中，该涂层的平均厚度为1.0nm或更小，并且该涂层在该膜上的覆盖度为至多50％。

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【专利技术属性】
技术研发人员：玛丽娜·蒂默曼斯，伊万·波伦蒂尔，塞德里克·于热巴尔，埃米莉·加拉格尔，
申请(专利权)人：IMEC非营利协会，
类型：发明
国别省市：