一种用于碳化硅晶体生长的模块化坩埚装置及其生长方法，它属于碳化硅晶体生长装置领域。本发明要解决的技术问题为如何提供稳定的长晶热场。本发明装置包括坩埚底，所述的坩埚底连接坩埚体，所述的坩埚体的上端设置有坩埚支架，坩埚支架的上层放置有籽晶，...

本发明涉及一种基于互联网多个长晶炉异常报警系统，各个长晶炉均与报警装置PLC电连接，报警装置PLC输出端连接报警软件系统软件APP，报警装置PLC与报警软件系统软件APP数据端进行集成后将信号输出到报警软件系统软件APP，报警软件系统软...

一种PVT法原料批量提纯装置及方法，属于PVT法制备领域。本发明包括感应线圈、炉体、加热器和坩埚，感应线圈设置在炉体外壁，炉体内安装有加热器，坩埚设置在加热器内部，其提纯方法为：在坩埚内装载反应原料；将多个装好反应原料的坩埚放进加热器；...

本发明涉及一种精确控制PVT法晶体生长气体压力的系统及方法，属于PVT法晶体生长技术领域。为解决现有PVT法晶体生长无法精确控制气体压力的问题，本发明提供了一种精确控制PVT法晶体生长气体压力的系统，包括与晶体生长炉连通的氮气气源支路、...

本发明涉及一种基于云计算的PVT法长晶系统自动预警系统。本发明首先需要工程师输入工艺参数到长晶系统，检测到系统采集系统相关的数据参数，并作为数据源上传到数据计算中心，计算中心将原始数据包装后进行集中存储，分别存储在本地磁盘和云端空间，并...

本发明涉及一种高纯碳化硅粉制备方法，属于碳化硅粉制备方法技术领域。为解决现有制备方法所得碳化硅粉纯度低的问题，本发明提供了一种高纯碳化硅粉制备方法，以晶体硅为硅源制备硅微粉，以葡萄糖为碳源制备葡萄糖溶液，将硅微粉与葡萄糖溶液混合均匀，经...

一种炉体长晶数据多重备份方法，属于晶体制备用炉体的工艺参数处理技术。本发明采集本地炉体长晶数据源，将数据分离为炉体温度数据、长晶分析数据，炉体温度数据存储于炉体温度数据库，长晶分析数据存储于长晶分析数据库，炉体温度数据库中的数据、长晶分...

一种可视的保温材料用除尘装置及方法，属于保温材料除尘技术领域，本发明为了解决传统除尘设备不能针对不同尺寸的保温材料进行除尘，且效率低，有死角，过程不可视的问题。设备外壳的底部设有气体入口，气体入口的一侧设有尾气出口，气体入口通过锥型筒与...

本发明公开了一种边缘便于识别的无损单晶片及其标记方法和专用砂轮，属于半导体加工技术领域，是针对现有单晶片标记方法加工效率低的缺陷所提出，晶片本体包括上表面和下表面，在晶片本体的边缘处加工有用于识别的倒角，倒角包括上斜面和下斜面，上斜面与...

本发明公开了一种石英管悬吊夹紧装置，属于吊装工具技术领域，为克服现有石英管与密封圈在安装过程中费时费力的缺陷所提出，其包括：位于框架内侧的悬吊装置和用来与石英管配合的夹紧装置，所述悬吊装置对称设置在夹紧装置的两侧，悬吊装置的顶端分别悬挂...

本发明涉及一种长晶设备降噪的隔音装置，隔声软帘由若干个隔声单元采用隔音棉错缝粘接而成，根据单个隔音单元5侧边形状使用树脂密封胶粘接隔音单元侧边，使其紧密无缝隙连接，根据设备尺寸大小，软帘内层缝隙填入隔音棉6填充，并粘接在隔音单元周围，隔...

一种高效的晶体退火装置及其退火方法，它属于晶体生长加工领域。本发明包括坩埚本体，坩埚盖，坩埚本体内底部设置有支架卡槽、粉料筒卡槽，支架卡槽连接组合支架，粉料筒卡槽连接粉料筒，坩埚本体顶端设置有坩埚盖，粉料筒底部设置有第一定位键，组合支架...

本发明属于晶体材料制备技术领域，尤其涉及一种去除籽晶残余应力的退火装置及退火方法。为解决PVT法制备AlN籽晶过程中产生的残余应力容易造成晶体内大量裂纹和缺陷的问题，本发明提供了一种去除籽晶残余应力的退火装置及退火方法。该退火装置包括多...

一种用于晶体生长的防遮挡测温装置，属于坩埚温控技术领域，本发明为了解决传统坩埚测温结构上的测温窗表面容易被遮蔽，影响测温，影响晶体生长质量的问题。坩埚上设有坩埚盖，测温法兰通过导向筒与坩埚内部连通，测温法兰内设有测温通路，测温通路顶部设...

本发明涉及一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法，属于单晶材料制备技术领域。为解决氮化铝单晶生长用原料杂质含量较高的问题，本发明提供了一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法，包括使用混合酸对氮化铝原料粉体进行酸洗、超声波水洗粉体、将粉体...

本发明公开了一种大小可调的组合式坩埚热场，属于熔炼设备技术领域，是针对现有坩埚无法适应籽晶尺寸的变化，热场不能调整的缺陷所提出，其包括：坩埚上盖、组合式坩埚筒、侧支撑组件和坩埚底，组合式坩埚筒为两端开口的筒体，组合式坩埚筒的底部安装在坩...

本发明涉及一种非粘接籽晶氮化铝晶体生长装置与制备方法，第一半圆环片4和第二半圆环片5两个形状完全相同钽材质半圆环，两个半圆环拼在一起形成一个完整的圆环片，圆环片厚度为0.5mm，本发明还提供了采用钽坩埚整体装置制备氮化铝单晶晶体的方法，...

一种非粘接籽晶式钽坩埚的设计与应用方法，属于半导体制造和工艺技术领域。本发明解决了目前使用物理气相运输法制备氮化铝单晶晶体时存在的缺陷，本发明包括钽圆片、钽坩埚圆筒、十字钽薄片、石墨保温结构、原料放置区、晶体生长区、氮化铝原料和籽晶，所...

一种用于制备PVT法AlN籽晶的化学气相沉积外延装置及方法，属于晶体生长领域。本发明包括进气口、上旋转电机、上碳化钽导流台、壳体、线圈、固定支架、升降块限位孔、升降块、可伸缩波纹管、下碳化钽导流台、旋转升降装置、旋转杆和多个生长装置。本...

本发明涉及一种氮化铝晶体生长所用的大尺寸复合籽晶及其制备方法，属于复合籽晶及其制备方法领域。为解决现有技术生长大尺寸氮化铝籽晶困难及现有生长氮化铝晶体条件苛刻的问题，本发明提供了一种氮化铝晶体生长所用的大尺寸复合籽晶及其制备方法。大尺寸...