一种PVT法使用的氮化铝粉末的预处理方法，它属于氮化铝材料表面处理方法。本发明要解决的技术问题为氮化铝粉末的杂质处理。本发明称取氮化铝粉末、表面处理剂，搅拌一定时间，得到混合物中加入稳定有机溶剂，搅拌一定时间，然后静置沉淀，分离得到的下...

一种提高碳化硅晶体质量的方法，本发明涉及碳化硅晶体的生长方法。本发明是要解决现有的物理气相传输法生长碳化硅单晶的良品率低的技术问题。本方法是：一、在用于生长碳化硅晶体的石墨坩埚中，由下至上装填三层材料，其中：底层为碳化硅粉末层；中间层的...

一种减少氮化铝晶体生长前后热应力的碳化钽复合层的制备方法及其使用方法，它属于减少氮化铝晶体生长前后热应力的方法领域。本发明要解决的技术问题为有效控制氮化铝晶体生长前后热应力。本发明按照重量份数分别称量TaC粉、Ta粉，置于球磨机中球磨，...

一种碳化硅晶体的生长方法，它属于碳化硅晶体生长方法领域。本发明要解决的技术问题为降低碳化硅晶体的热应力。本发明取碳化硅籽晶，粘接于石墨坩埚上盖，将石墨坩埚加装保温材料放置到单晶生长炉内，抽真空到10

一种减少晶体热应力的处理方法，它属于晶体处理技术领域。本发明要解决的技术问题为热应力导致晶体碎裂。本发明将碳化硅晶体置于加热炉中，通入氩气或氮气作为保护气体，控制炉内压力为0.1‑0.2MPa，加热炉加热速率为600‑750℃/h，加热...

本发明涉及一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，属于氮化铝晶体制备技术领域。为解决现有多孔氮化铝原料制备工艺复杂，成本高的问题，本发明提供了一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，包括配制浆料、球磨处理、冻干处理和烧结、酸...

一种碳化硅雷电防护材料及其制备方法，它属于雷电防护材料制备技术领域。本发明要解决的技术问题为提高导热性能。本发明按照重量份数分别称量5

一种利用碳化硅晶体研磨废液制备碳化硼

本发明涉及一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有PVT法制备碳化硅晶体生长速率慢的问题，本发明提供了一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，以不同粒径碳化硅粉混合制备碳化硅粉料，真空条...

本发明涉及一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有碳化硅粉料容易使碳化硅晶体产生缺陷的问题，本发明提供了一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，先用氢氟酸浸泡碳化硅粉料，再将粉料加入100℃...

本发明涉及一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有籽晶预处理方法不能提供长期稳定保护而使制备的碳化硅晶体产生缺陷的问题，本发明提供了一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法，先用氢氟酸浸泡碳化硅籽晶，...

一种碳化硅精磨后的金刚石磨料资源的回收方法，它属于金刚石磨料回收领域。本发明要解决的技术问题为小颗粒金刚石回收的问题。本发明将碳化硅精磨后的金刚石磨料中加入纯水，进行清洗，然后用800目方孔筛进行一级过滤得到的一级颗粒加入盐酸溶液，搅拌...

一种精确控制PVT法温场变化的装置，属于晶体生长设备领域。本实用新型研发目的是为了解决在线圈的同一位置，很难实现同一炉次炉内温度分布发生变化，甚至得到温度梯度反转的功能的问题，本实用新型包括包括第一线圈、第二线圈、第三线圈、第一升降机构...

一种提取坩埚装置，属于坩埚夹持、提取装置领域。本实用新型解决了目前现有的对于较大尺寸的坩埚进行取出和放置时浪费时间，对工作人员具有危险性的问题。本实用新型包括升降千斤顶、装置移动车、运送车、升降杆支撑柱、升降杆、链轮、手柄、传动链轮、从...

一种用于碳化硅单晶生长的籽晶背部镀膜的装置与方法，它涉及籽晶处理的装置与方法。它是要解决现有的籽晶在SiC晶体生长过程中容易出现平面六方空洞缺陷的技术问题。该装置包括炉体、石墨坩埚、石墨支架、感应线圈、真空泵、测温仪和鼓泡器；石墨坩埚上...

PVT法高温生长设备用热电偶护套的制备方法，它涉及一种电偶护套的制备方法。本发明是为了解决高温热电偶钨铼丝极易被氧化、易弯曲的技术问题。本方法如下：将Si3N4、ZrO2和Y2O3放入三维振动混合器中充分混合放入预制好的模具压制，然后烧...

本实用新型涉及一种坩埚保温软毡包裹装置，属于晶体制备技术领域。本实用新型研发解决的是坩埚缠绕包裹难度大、软毡缠绕松紧不一的问题。包括下平盘、上平盘、卷轴、卷轴上托盘、卷轴下托盘和软毡，上平盘转动连接在下平盘上侧，卷轴上托盘转动连接在卷轴...

本发明涉及一种高效生长低应力碳化硅单晶体的方法，属于碳化硅单晶体制备技术领域。为解决现有方法生长的碳化硅晶体内部内应力大，生长效率低的问题，本发明提供了一种高效生长低应力碳化硅单晶体的方法，用带有孔洞的石墨片将坩埚内部由上至下分为原料区...

本发明涉及一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法，属于碳化硅晶体生长技术领域。为解决现有碳化硅晶体生长炉石英管不易清理的问题，本发明提供了一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法，将K

本发明涉及一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法。为避免碳化硅晶体金刚线切割废液中SiC粉体与金刚石颗粒的浪费，本发明提供了一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，步骤包括一级过滤、二级过滤、清洗干燥、制备胚...