本技术涉及石墨加热器装置技术领域，且公开了一种新型可替换电阻炉石墨加热器装置，包括设备主体，还包括：升降机构、旋转机构和石墨锅机构，所述设备主体的顶端与升降机构的底端固定连接，所述旋转机构的底端与升降机构的顶端活动连接，所述石墨锅机构的...

本技术涉及镀层制备装置技术领域，且公开了一种喷涂式抛光片镀层制备装置，包括工作柜，所述工作柜的顶部固定连接有支架，所述支架的内表面活动连接有旋转杆，所述旋转杆的外表面开设有放置槽，所述放置槽的顶部固定连接有外框，所述外框的内表面活动连接...

本技术涉及半导体制备技术领域，且公开了一种用于大尺寸晶体切割装置，所述切割工作台底部四角位置均固定连接有支撑柱，所述支撑柱远离切割工作台的一端均固定连接有防滑垫片，所述切割工作台表面一侧固定连接有吸尘箱，所述吸尘箱顶部固定连接有连接管道...

本发明涉及切割设备技术领域，且公开了一种大尺寸晶体的切割设备，包括切割装置机箱，所述切割装置机箱的内部开设有废水过滤箱，所述废水过滤箱的内部固定连接收水斜坡板，所述收水斜坡板的底部固定连接过滤网套筒，所述过滤网套筒的内部活动套接水质过滤...

本技术涉及晶体加工装置技术领域，且公开了一种用于大尺寸晶体加工装置，包括设备箱，所述设备箱的正面活动连接有防护门，所述设备箱的两侧固定连接有打磨器，所设备箱底部的后端固定连接有蓄水箱，所述设备箱的底部固定连接有放置板，所述设备箱的顶部固...

本技术涉及蒸镀技术领域，且公开了一种碳化钽蒸镀炉装置，包括装置底座，还包括承载机构，所述装置底座的顶部背面固定连接有真空炉，所述真空炉的内部底部的中部固定连接有蒸发组件，所述真空炉的内部底部的背面固定连接有承载机构，所述承载机构包括立杆...

本发明涉及多晶硅碳制备装置技术领域，且公开了一种重结晶废料合成特定形状多晶硅碳制备装置，包括还原炉，其特征在于：还原炉的顶部固定连接有保护架，保护架的内部固定连接有传动机构，传动机构包含有传动杆，传动杆的外表面活动连接有立柱，立柱的内侧...

本技术涉及复合籽晶技术领域，且公开了一种低成本碳化硅复合籽晶，包括籽晶机构，还包括：测量机构和安装机构，所述籽晶机构的侧面与安装机构的侧面内壁活动连接，所述测量机构的侧面内壁与安装机构的侧面固定连接，所述籽晶机构包括籽晶主体，所述籽晶主...

本发明涉及电阻炉技术领域，且公开了一种余热再利用的高效能碳化硅电阻炉，包括炉体，所述炉体的底部固定连接有安装电控系统的装置底座，所述炉体的正面活动连接有炉门，所述炉门的一侧中部固定连接有连接机构，所述炉体包括炉壳、炉衬、炉膛、存放槽、进...

本发明涉及倒角加工技术领域，且公开了一种减少崩边的大尺寸晶片倒角设备及其方法，包括底座及吸附晶片的真空夹具和用来倒角的倒角组件，所述底座的顶部一侧固定连接有安装有真空夹具的驱动装置，所述底座的顶部另一侧中部固定连接有移动装置，所述移动装...

本发明涉及碳化硅晶体技术领域，更具体的公开了一种用于大尺寸碳化硅晶体的加工方法，晶体制备：首先，通过物理气相传输法生长碳化硅晶体，是以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉，在特殊温场下，采用物理气相传输法生长不同尺寸的碳化硅晶锭，晶锭加...

本发明属于晶体切割技术领域，具体地说是一种改善面型参数持续切割晶体的方法，S1：将待切割的晶体放置在旋转台上，并固定；S2：晶体的预设切割路线上放置切割线；S3：驱动旋转台旋转，同时驱动切割线沿预设切割路径移动，从而对晶体进行持续循环切...

本发明公开了海星式晶体制备方法及装置，属于晶体制备领域。常规竖直放置的方式存在空间限制存在制备效率低的技术问题。原料腔形状为筒状或者3分支筒状或者4分支筒状的生长腔，原料腔内装有原料，每个生长腔通过籽晶腔封口，籽晶腔截面呈π字形，籽晶腔...

本技术涉及保温毡技术领域，且公开了一种碳化硅晶体坩埚的保温毡盘，所述下保温盘顶端中部位置固定连接有隔热垫板，所述隔热垫板顶端中部固定连接有上保温盘，所述上保温盘顶端靠近外侧位置开设有第二保温空腔，所述上保温盘顶端靠近中心位置四周开设有第...

本发明属于温度控制技术领域，具体的说是一种电阻设备温度及温梯精确调控系统，包括电控柜、电控柜内部安装有供电模块、感应加热模块、电阻加热模块、测温模块、控制端、温度控制单元；所述电控柜和供电模块之间通过电性连接；通过感应线圈、电阻加热模块...

本发明属于籽晶制备技术领域，具体地说是一种4H碳化硅复合籽晶制备方法，包括碳化硅籽晶本体；所述碳化硅籽晶本体包括高质量碳化硅单晶籽晶层、键合层和低质量碳化硅晶体层；所述碳化硅籽晶本体为层叠式设置；所述一种4H碳化硅复合籽晶制备方法包括以...

本技术涉及热场装置技术领域，且公开了一种用于碳化硅晶体生长的热场装置，包括安装底座，所述安装底座的顶部一侧开设有安装槽，所述安装底座的正面设有转动机构，所述转动机构包括电机安装座，所述电机安装座的顶部设有驱动电机，所述驱动电机的一端设有...

本发明属于半导体材料技术领域，具体的说是提高籽晶径向均匀的高质量晶体生长方法，包括以下步骤：S1、将原料、石墨环、绝热层依次放入反应容器内；S2、将籽晶小心放入对应尺寸籽晶固定结构和导热柱中间并固定，整体通过反应容器顶部固定在坩埚上方；...

本发明属于半导体碳化硅晶体的制备技术领域，具体的说是气体引入稳定晶体生长台阶流的长晶方法，该制备方法包括以下步骤：在对碳化硅进行制备过程中，需要使用到高温化学气象沉积法来进行提炼，在提炼过程中，需要准备反应容器坩埚来进行制备；设置带有合...

本技术公开了一种卧式方形碳化硅晶体生长装置，包括底座，所述底座的上表面上固定连接有支撑板，所述底座的上方设置有反应管所述反应管的一端设置有反应槽，所述支撑板的侧面上设置有用于夹持反应管的夹持机构，设有夹持机构，当需要对反应管进行夹持固定...