本发明涉及一种氮化铝晶体生长所用的大尺寸复合籽晶及其制备方法，属于复合籽晶及其制备方法领域。为解决现有技术生长大尺寸氮化铝籽晶困难及现有生长氮化铝晶体条件苛刻的问题，本发明提供了一种氮化铝晶体生长所用的大尺寸复合籽晶及其制备方法。大尺寸...

本发明涉及一种能自动测量干锅内长晶粉料高度的装置，属于晶体生长领域。操作简单，效率高，可自动使坩埚不断摇晃，使粉料均匀和平整，对摇晃后的粉料高度进行自动检测。包括平衡球、平衡体、坩埚、红外测距仪、平台和支架，平衡球放置在平衡体内，平衡球...

本发明涉及一种AlN籽晶精确扩径的装置及方法，属于晶体生长领域。操作简单，效率高，根据需要制作相应尺寸的AlN晶体。AlN籽晶精确扩径的装置包括石墨加热器、坩埚和生长组合，坩埚位于石墨加热器的内部，生长组合位于坩埚的内部，碳化硅籽晶垫圈...

本发明涉及一种PVT法生长高质量晶体的装置，属于氮化铝或碳化硅晶体生长技术领域。提高原料利用率，保证原料升华的蒸气中组分比率及压力，并解决了晶体固定及拆卸的困难，避免了晶体内部应力的产生，得到高质量晶体。包括坩埚体、承托盘、轴、过滤板、...

本发明涉及一种基于碳化硅石墨烯材料的气体检测装置与制备方法，在碳化硅层2上形成石墨烯层3形成复合碳化硅石墨烯层，复合碳化硅石墨烯材料石墨烯层3上镀矩阵式接触金属层，金属层上涂氧化锌颗粒层5未接触金属层石墨烯上形成有金纳米颗粒7，复合碳化...

一种能自动清洗碳化硅长晶炉积炭的装置，属于碳化硅长晶炉技术领域。本发明为了解决目前在清理长晶炉石英管管壁时存在的问题。本发明包括升降机构、升降机构托盘架、托盘、支架、旋转电机、联轴器、夹紧机构和刮板，所述升降机构托盘架安装在升降机构上，...

一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，它属于物理气相传输法生长单晶的技术领域。本发明包括坩埚本体，所述的坩埚本体上端设置有上盖，所述的坩埚本体内底部铺设有晶体生长源料，所述的晶体生长源料顶端放置有导流结构，所述的导流结构的上端...

一种PVT法双籽晶单晶制备方法及热场，属于半导体制作技术领域。本发明目的是为了提高晶体的制备效率。本发明包括坩埚筒，坩埚筒的上下分别安装有坩埚上盖和坩埚下盖，在坩埚筒的内壁上分别卡装有源料上孔板和源料下孔板，源料上孔板和源料下孔板形成源...

一种行星式多坩埚PVT法晶体沉积反应炉，涉及单晶体反应设备技术领域，具体包括反应平台：反应平台上加工有一组安装凹槽，安装凹槽底部设置有安装轴承，每个安装轴承内分别与一个从动转轴，从动转轴上方设置有一组反应坩埚，所有从动转轴下方均与一组旋...

一种新型隔热材料结构PVT单晶体生长装置，涉及单晶体生长设备技术领域，具体包括设备壳体：设备壳体顶端设置有顶温层升降器，顶温层升降器的活动端与顶部保温层固定连接，设备壳体底端设置有一组底温层升降器，低温层升降器与底部保温层固定连接，设备...

一种碳化硅单晶生长中的籽晶固定装置，属于碳化硅材料技术领域。本实用新型包括上盖、上旋转定位机构、下旋转支撑机构和反应室，反应室的内壁上设置有支撑台，上旋转定位机构安装在下旋转支撑机构上，旋转定位机构置于支撑台上，上盖与反应室螺纹连接，上...

一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚，涉及坩埚技术领域，具体包括第一层坩埚和第二层坩埚，所述第一层坩埚内壁上加工有台阶肩，所述台阶肩上放置有第二层坩埚，所述第二层坩埚放置在所述第一层坩埚内部，所述第一层坩埚顶部设置有坩埚盖，...

本实用新型属于碳化硅材料加工技术领域，具体涉及一种调整碳化硅晶体生长过程中温场分布的装置，是针对现有碳化硅晶体生长过程中旋转坩埚会导致温度场分布不均匀所提出的，其包括旋转装置和升降装置，旋转装置和升降装置位于生长腔的外部，所述旋转装置与...

一种精确控制电阻式加热温梯的PVT法单晶生长装置，属于碳化硅晶体生长技术领域，本实用新型为了解决现有碳化硅晶体生长装置保温效果差，电功耗过高，且无法精确测量坩埚各个部分温度的问题。主体内设置有保温组件，坩埚升降组件的顶端穿过主体的底部和...

一种新型隔热材料结构PVT单晶体生长装置，涉及单晶体生长设备技术领域，具体包括设备壳体：设备壳体顶端设置有顶温层升降器，顶温层升降器的活动端与顶部保温层固定连接，设备壳体底端设置有一组底温层升降器，低温层升降器与底部保温层固定连接，设备...

一种碳化硅单晶生长中的籽晶固定装置，属于碳化硅材料技术领域。本发明包括上盖、上旋转定位机构、下旋转支撑机构和反应室，反应室的内壁上设置有支撑台，上旋转定位机构安装在下旋转支撑机构上，旋转定位机构置于支撑台上，上盖与反应室螺纹连接，上旋转...