本实用新型为一种便于提取碳化硅晶片的包装盒，属于晶体运输设备领域，是针对现有晶片在存储和运输过程中易损毁、不便提取的缺陷所提出，其包括：盒体内并列开设有多个存放槽、位于存放槽下方的空腔和用来将单个晶片从存放槽内取出的取片机构，存放槽的底...

本发明属于碳化硅晶体领域，公开了一种PVT法碳化硅晶体生长原料的制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)在碳化硅粉中加入淀粉、PVA，充分混合搅拌，形成碳化硅胶体；(2)压制成致密体；(3)将致密体煅烧，得到碳化硅多孔陶瓷体；(4)天然鳞...

本实用新型为一种可连续生长碳化硅晶体改善长晶质量的石墨坩埚装置，属于坩埚技术领域，是针对现有晶体质量在制备过程中受源粉数量的影响所提出，其包括：坩埚主体，在坩埚主体内底设有用来放置原料的原料区，还包括用来存放备用原料的储备原料箱和用来补...

本实用新型涉及一种高质量SiC单晶制备装置，属于晶体生长领域。解决了SiC单晶质量不佳，生长不够均匀，厚度达不到市场需求的问题。包括上盖、籽晶、下盖、坩埚主体、滤网、保温体、动力杆、石英管和加热线圈，所述坩埚主体内放置滤网，坩埚主体的上...

本实用新型涉及一种多梯度的长晶实验装置，属于晶体实验技术领域。解决的是单次实验无法验证多个不同位置的长晶情况，效率低，需多次重复实验的问题。包括坩埚、长晶料、小晶片、晶片托架、加热器和人字型支架，坩埚的下部装有长晶料，坩埚位于加热器内侧...

一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体的生长方法，它属于碳化硅晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为晶体生长过程中减少石墨包裹物的生成。本发明将碳化硅粉料放入石墨坩埚内，然后放入多孔石墨片，然后将将籽晶固定于石墨坩埚内的上盖中心位置，将密封...

本实用新型涉及一种适用于碳化硅晶体运输防撞击保护装置，属于晶体运输技术领域。解决的是现有的碳化硅晶体包装和拆解费时费力，并且不能重复利用，造成浪费的问题。包括盒体和盖体，盒体与盖体可拆卸连接；盒体包括盒本体、压板、滑块、连杆、弹簧和小弹...

一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，它属于PVT法碳化硅晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为通过改变粉料的添加方法来优化晶体生长。本发明第一粉料为纯碳化硅粉料、第二粉料为混合均匀的添加10

一种利用废弃石墨坩埚制备多孔SiC的方法，本发明涉及多孔SiC的制备方法。本发明是要解决现有的SiC多孔陶瓷制备方法步骤繁琐、成本高的技术问题。本发明的方法：对生长SiC晶体用过的废弃石墨坩埚进行破碎、球磨，制备粉料；再经酸洗，烘干，得...

一种测量晶体厚度和直径的装置，属于晶体生长领域。本实用新型包括包括底板、升降支架、支臂、千分表和标尺，底板一侧上表面配合安装有标尺，底板另一侧上表面安装有升降支架，升降支架的升降端安装有支臂，支臂上配合安装有千分表。本实用新型研发目的是...

一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，它属于晶体烧结剩余原料的再利用领域。本发明要解决的技术问题为简单高效利用晶体生长后的剩余烧结原料。本发明将坩埚内碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料取低石墨化区域的剩余烧结原料，制成圆柱形多晶...

一种PVT法高质量体单晶生长热场装置及方法，属于单晶制备技术领域。本发明解决了目前PVT法制备单晶的装置及方法容易造成籽晶损坏、制备出的单晶质量差的问题。本发明的坩埚体倒置，石墨筒通过支撑结构安装在坩埚体内，坩埚体侧壁、坩埚体底面、石墨...

本实用新型涉及一种测量晶片bow值的装置，属于晶片加工技术领域。解决的是频繁拆装影响检测稳定性和成本较高的问题。包括载台基板、支架、立架、限位杆、挡板、千分表和基板连接座，载台基板左侧与基板连接座连接，基板连接座通过立架与支架连接，支架...

一种多孔碳化硅原料的制备方法，它属于多孔碳化硅材料制备技术领域。本发明要解决的技术问题为改善多孔碳化硅原料的孔隙率。本发明称量碳化硅放入球磨罐中，然后放入0.5倍质量的钨钢磨球，进行球磨后的碳化硅用筛子筛分，按照重量份数分别称量25‑3...

一种减少加热器损耗的碳化硅单晶生长方法，它涉及碳化硅单晶生长方法。它是要解决现有的PVT法生长碳化硅单晶的方法中石墨坩埚易产生损耗的技术问题。本发明的方法：一、生长碳化硅单晶的装置包括石墨加热器、石墨坩埚；石墨坩埚由坩埚上盖和坩埚主体组...

一种PVT法单晶扩径生长装置及生长方法，它属于晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为制备更大尺寸的单晶。本发明坩埚下盖上安装有坩埚本体，坩埚本体内放置有多孔石墨筒，第一个圆台结构通过固定结构固定在坩埚下盖的中心位置，第一个圆台结构上...

一种钨片或钨坩埚表面镀钽膜层及其制备方法，它属于钨表面化学镀钽技术领域。本发明要解决的技术问题为钽片或钽坩埚使用寿命短的问题。本发明将钨片或钨坩埚用无水乙醇进行超声清洗后，完全浸入氢氟酸溶液中，浸泡30

本发明涉及一种PVT法单晶批量制备装置及方法，属于晶体生长领域。解决单晶制备效率低，制备成本较高的问题。包括加热器、石墨盖、石墨托、籽晶支撑结构、籽晶、坩埚中段、石墨筒、感应线圈、石墨盘、支撑环、坩埚体和籽晶托，坩埚体与坩埚中段连接，在...

一种降低氮化铝单晶中氧杂质与缺陷的籽晶处理方法，它属于氮化铝籽晶的预处理方法领域。本发明配置表面处理剂，配置好的表面处理剂、氮化铝晶片、清洗剂、固体石蜡、电加热套放入惰性气体保护的手套箱，静置3

一种PVT法使用的氮化铝粉末的预处理方法，它属于氮化铝材料表面处理方法。本发明要解决的技术问题为氮化铝粉末的杂质处理。本发明称取氮化铝粉末、表面处理剂，搅拌一定时间，得到混合物中加入稳定有机溶剂，搅拌一定时间，然后静置沉淀，分离得到的下...