【技术实现步骤摘要】
一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法
[0001]本专利技术属于晶体烧结剩余原料的再利用领域；具体涉及一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法。
技术介绍
[0002]碳化硅作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等特点。可应用于诸如新能源汽车、光伏逆变器、充电桩等领域，以实现降低功耗、提高开关频率、降低总体成本等目标。
[0003]由于碳化硅在常压下在加热到熔点之前就会分解，无法直接使用类似于硅晶体生长的方法。目前大尺寸碳化硅晶体生长方法主要有两种：一种是加入助熔剂形成含有碳化硅的熔液，并利用该熔液生长晶体。另一种是PVT法，该方法是将碳化硅粉料放入坩埚底部，将碳化硅籽晶(碳化硅单晶晶片，作为晶体生长的种子)粘贴于坩埚顶部，之后对反应容器抽真空，并加热到1000℃左右，期间保持真空度。之后充入适量的氩气，进一步加热到2000℃左右，在此高温与惰性气氛的条件下使原料发生分解，分解后产生的气相受温度梯度的控制沉积到籽晶上面生长出晶体。
[0004]由于第一种方法助溶剂会进入到制...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、将坩埚内碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料划分为石墨化区域(1)、部分石墨化区域(2)、低石墨化区域(3)，待用；步骤2、取低石墨化区域(3)的剩余烧结原料，制成圆柱形多晶棒，待用；步骤3、称量步骤2得到的圆柱形多晶棒的质量，然后称量1
‑
1.5倍质量的碳化硅粉末，待用；步骤4、将步骤3称量好的碳化硅粉末放入坩埚内，之后缓慢将圆柱形多晶棒插入坩埚中心位置，圆柱形多晶棒的插入深度为使得圆柱形多晶棒上端与碳化硅粉末顶部平齐，完成坩埚内粉料的添加；步骤5、在坩埚盖上粘接籽晶，盖上坩埚盖，将坩埚放入晶体生长炉内进行晶体生长，生长过程中温度为2100
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2400℃，压力10
‑1‑
10
‑3atm的氩气氛，生长时间为60
‑
80h。2.根据权利要求1所述的一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，其特征在于：步骤1中低石墨化区域(3)为以坩埚中心点为圆心的圆柱体，圆柱体的半径长度为0.1
‑
0.75倍...
【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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