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一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，它属于晶体烧结剩余原料的再利用领域。本发明要解决的技术问题为简单高效利用晶体生长后的剩余烧结原料。本发明将坩埚内碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料取低石墨化区域的剩余烧结原料，制成圆柱形多晶棒，...该专利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司授权不得商用。