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哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司专利技术
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司共有155项专利
一种新式钽坩埚碳化的石墨加热器制造技术
一种新式钽坩埚碳化的石墨加热器,属于钽坩埚制作领域。本实用新型解决了现有的钽坩埚碳化装置一次仅能碳化一个钽坩埚,且受到钽坩埚尺寸的限制需要不同的碳化装置进行碳化,导致钽坩埚碳化效率低的问题。本实用新型包括底盖、石墨容器、上盖和石墨片,石...
一种用于碳化硅晶棒切割时的保护装置制造方法及图纸
一种用于碳化硅晶棒切割时的保护装置,属于晶体切割技术领域。本实用新型包括罗拉、限位装置、调节夹、定位螺栓、转轴和防窜挡柱,罗拉外侧面加工有钢丝限位槽,钢丝缠绕安装在钢丝限位槽内,罗拉两端均加工有限位环槽,限位装置底部滑动安装在限位环槽内...
一种碳化硅晶棒切割过程中砂浆的流液装置制造方法及图纸
一种碳化硅晶棒切割过程中砂浆的流液装置,属于碳化硅晶棒切割技术领域。本实用新型包括搅拌回流箱、上盖、水泵和搅拌装置,搅拌回流箱顶部安装有上盖,上盖上安装有水泵,水泵的抽水管与搅拌回流箱内部连通,水泵的出水管设置在上盖的回水口上侧,搅拌回...
一种碳化硅晶棒粘接装置制造方法及图纸
一种碳化硅晶棒粘接装置,属于晶体定向粘料设备技术领域。本实用新型包括底座、立柱和横梁,所述底座上固定安装有两根立柱,横梁与两根立柱配合安装,横梁与立柱构成“门形架”结构,所述横梁的中心位置安装有定位锥,定位锥的两侧分别安装有第一千分表和...
一种碳化硅籽晶粘贴剂的制备方法技术
本发明属于碳化硅晶体领域,公开了一种碳化硅籽晶粘贴剂的制备方法,所述方法包括以下步骤:(1)以重量份计,取氮化硅粉料90
一种减少4H-SiC多型缺陷产生的装置及方法制造方法及图纸
一种减少4H
一种降低氮掺杂整体不均匀性的n型碳化硅晶体的生长方法技术
一种降低氮掺杂整体不均匀性的n型碳化硅晶体的生长方法,它属于碳化硅晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为晶体生长中掺杂的均匀性。本发明在坩埚中填入碳化硅粉料并安装碳化硅籽晶,将坩埚放入晶体生长炉中,将晶体生长炉抽真空到10
一种可调节长晶装置制造方法及图纸
一种可调节长晶装置,属于长晶设备领域。本实用新型解决了现有的长晶装置内部原料加热形成气相后无法聚集到籽晶上,籽晶上生长的晶体厚度薄、质量差的问题。本实用新型包括坩埚、原料压环、导流罩、籽晶架和隔板,坩埚内设置有原料,原料上设置有原料压环...
一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体生长方法技术
本发明属于碳化硅晶体领域,公开了一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体生长方法,所述方法包括以下步骤:(1)在石墨坩埚的粉料区与生长区之间增加多孔石墨制成的多孔石墨圆片;(2)将增加了多孔石墨圆片的石墨坩埚放入单晶生长炉内,抽真空真至1
一种晶体生长用石墨坩埚的水平调节装置制造方法及图纸
一种晶体生长用石墨坩埚的水平调节装置,它涉及水平调节装置。它是要解决现有的长晶用石墨坩埚的水平度和稳定性不易控制的技术问题。本实用新型的晶体生长用石墨坩埚的水平调节装置包括固定平台、支柱、调节平台、固定石墨螺丝和调节石墨螺丝;其中固定平...
一种导流式石墨坩埚制造技术
本实用新型为一种导流式石墨坩埚,属于坩埚技术领域,是针对现有坩埚在使用过程中受热不均的缺陷所提出,其包括:坩埚本体,在坩埚本体内设有用来放置原料的原料区,在原料区的中心位置设有呈倒圆台型的石墨导流件,石墨导流件的顶部与原料持平,石墨导流...
一种用于碳化硅长晶炉的可调节测温装置制造方法及图纸
一种用于碳化硅长晶炉的可调节测温装置,它涉及测温装置。它是要解决现有的红外测温仪监控PVT法生长碳化硅单晶过程的温度时,固定调整时费时费力、不能改变测温点、测量误差大的技术问题,本实用新型的可调节测温装置包括底座、电动旋转装置、连接支架...
一种晶体外包装加工装置制造方法及图纸
一种晶体外包装加工装置,属于晶体包装设备领域。本实用新型解决了目前晶体外包装收缩膜加热收缩时需要大量的人工操作、操作不当会产生较多的残次品,影响晶体外包装效率且提高了晶体的包装成本的问题。本实用新型包括工作台、传动机构、铰接架、热风机承...
一种高质量氮化铝晶体生长装置制造方法及图纸
一种高质量氮化铝晶体生长装置,属于晶体生长装置领域。本实用新型解决了现有的用于物理气相运输(PVT)法生长氮化铝晶体装置的粉料原料提纯困难,纯度较低的粉料原料生长出的氮化铝晶体质量差的问题。本实用新型的坩埚体上阵列有多个坩埚籽晶室,坩埚...
一种快速生长高质量碳化硅的方法技术
本发明涉及一种快速生长高质量碳化硅的方法,属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有气相传输法制备碳化硅晶体生长速度下降的问题,本发明提供了一种快速生长高质量碳化硅的方法,首先制备不同孔径和孔隙率的多孔碳化硅原料片,然后在坩埚底部依次铺设常...
一种提高PVT法生长晶体的径向均匀性的装置及方法制造方法及图纸
一种提高PVT法生长晶体的径向均匀性的装置及方法,它涉及生长晶体的装置及方法。它是要解决现有的PVT法晶体生长装置的热场径向不均匀的技术问题。该装置包括坩埚体、坩埚上盖、第一保温层、第二保温层、固定件、支撑件、电机、加热体、长晶炉壳体、...
一种高纯碳化硅原料的合成方法技术
一种高纯碳化硅原料的合成方法,它属于碳化硅原料的合成方法。本发明要解决的技术问题为提高碳化硅原料的合成纯度。本发明用第一石墨件将石墨坩埚底部分成两个物料区,将硅粉、碳粉分别加入第一物料区、第二物料区中,然后再用第二石墨件密封第一物料区、...
一种碳化硅籽晶的镀膜方法技术
一种碳化硅籽晶的镀膜方法,它属于碳化硅籽晶的镀膜技术领域。本发明要解决的技术问题为提高镀膜成品率。本发明将碳化硅抛光片的C面贴一层保护膜;匀胶机中通入保护气体,通过托盘吸住碳化硅抛光片贴有保护膜的一面;在碳化硅抛光片的Si面上涂具有碳化...
一种氮化铝籽晶粘接装置制造方法及图纸
一种氮化铝籽晶粘接装置,它涉及籽晶粘接装置,它是要解决现有的AlN籽晶与衬底的胶粘方法在高温下易脱落的技术问题。本实用新型的氮化铝籽晶粘接装置包括箱体、升降装置、旋转装置、第一真空管,第一抽气泵、第一真空阀、第二真空管、第二真空阀、第二...
一种可精确调节温梯的装置制造方法及图纸
一种可精确调节温梯的装置,属于晶体生长领域。本实用新型的坩埚内侧壁设置有一圈安装凸台,支撑环放置在安装凸台顶部,旋转安装装置一端安装有籽晶托架,籽晶托架顶部与旋转安装装置底部之间放置有籽晶,旋转安装装置另一端穿过支撑环与锁紧螺母配合安装...
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