一种碳化硅籽晶的镀膜方法技术

一种碳化硅籽晶的镀膜方法，它属于碳化硅籽晶的镀膜技术领域。本发明专利技术要解决的技术问题为提高镀膜成品率。本发明专利技术将碳化硅抛光片的C面贴一层保护膜；匀胶机中通入保护气体，通过托盘吸住碳化硅抛光片贴有保护膜的一面；在碳化硅抛光片的Si面上涂具有碳化硅成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到一层薄膜上涂光刻胶，然后通过匀胶机旋涂，得到二层薄膜上涂具有石墨成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到三层薄膜，将具有三层薄膜的碳化硅抛光片，在置于恒温加热器中，加热后冷却至室温，得到一种碳化硅籽晶镀膜。本发明专利技术成品率高，不容易产生融化现象。生融化现象。生融化现象。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅籽晶的镀膜方法


[0001]本专利技术属于碳化硅籽晶的镀膜
；具体涉及一种碳化硅籽晶的镀膜方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料具有宽禁带、高热导率、高临界击穿场强、高电子迁移率等特性，而成为高温、高频、大功率、抗辐射电子器件的首选材料，目前尽管SiC功率器件取得了突破性的进展，但是还存在着成本和技术上的问题阻碍了其商业化的进程。以物理气相传输(PVT)法制备的SiC晶片含有位错、微管、热分解空腔以及六方空洞等缺陷，这些缺陷的存在减少SiC晶片的有效利用面积，有关热分解腔和六方空洞的成因，其中，较多数认为是跟籽晶背面的升华有关。
[0003]在晶体生长过程中由于籽晶与籽晶台之间粘接的不紧密，并且所用粘接剂内含一定水分，在粘接加热过程中，若粘接剂热解的过快便会发生局部沸腾的现象，而沸腾所引起的气泡会使局部粘接剂难以有效连接籽晶与籽晶台，即在籽晶与籽晶台的界面会存在一个局部空洞，此空洞的存在导致在晶体生长过程中，籽晶与籽晶台之间会有一个温度差，该温度差主要是在晶体生长过程中局部空洞在籽晶台上的温度分布作用下由于石墨与SiC之间的热导率差异及籽晶台的散热而引起的。这个温度差会使籽晶背面发生分解升华现象,从而导致热分解空腔和六方空洞的产生。

技术实现思路

[0004]本专利技术目的是提供了一种成品率高的碳化硅籽晶的镀膜方法。
[0005]本专利技术通过以下技术方案实现：
[0006]一种碳化硅籽晶的镀膜方法，包括如下步骤：
[0007]步骤1、将碳化硅抛光片的C面贴一层保护膜；
[0008]步骤2、匀胶机中通入保护气体，通过托盘吸住碳化硅抛光片贴有保护膜的一面；
[0009]步骤3、在碳化硅抛光片的Si面上涂具有碳化硅成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到一层薄膜；
[0010]步骤4、在步骤3得到的一层薄膜上涂光刻胶，然后通过匀胶机旋涂，得到二层薄膜；
[0011]步骤5、在步骤4得到的二层薄膜上涂具有石墨成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到三层薄膜；
[0012]步骤6、将步骤5得到的具有三层薄膜的碳化硅抛光片，在置于恒温加热器中，加热后冷却至室温，得到一种碳化硅籽晶镀膜。
[0013]本专利技术所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤1中的保护膜为3M胶带，胶带厚度为0.1
‑
1mm。
[0014]本专利技术所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤1中的碳化硅抛光片的Si面用乙醇清洗3次后，用氮气气枪吹干。
[0015]本专利技术所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤2中的保护气体为氮气，匀胶机的转速为3000
‑
6000r/min。
[0016]本专利技术所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤3中具有碳化硅成分的胶水为加入碳化硅含量为75wt％的光刻胶，匀胶机转速设置为2000
‑
4000r/min，旋涂时间为20
‑
25s。
[0017]本专利技术所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤4中光刻胶的型号为AZP4620，匀胶机转速设置为3000
‑
6000r/min，旋涂时间为10
‑
30s。
[0018]本专利技术所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤5中具有石墨成分的胶水为加入石墨的含量为95wt％的光刻胶，匀胶机转速设置为5000
‑
8000r/min，旋涂时间为30s
‑
50s。
[0019]本专利技术所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤6中加热步骤在超净间进行，恒温加热器的初始温度为100℃，每隔30min升温30℃，加热时间为5h。
[0020]本专利技术所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，成品率高，不容易产生融化现象。
[0021]本专利技术所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，操作简单，镀膜的厚度方便控制。
[0022]本专利技术所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，成品率能够达到为99.5％左右。
附图说明
[0023]图1为具体实施方式一方法制备的碳化硅籽晶的镀膜。
具体实施方式
[0024]具体实施方式一：
[0025]一种碳化硅籽晶的镀膜方法，包括如下步骤：
[0026]步骤1、将碳化硅抛光片的C面贴一层保护膜；
[0027]步骤2、匀胶机中通入保护气体，通过托盘吸住碳化硅抛光片贴有保护膜的一面；
[0028]步骤3、在碳化硅抛光片的Si面上涂具有碳化硅成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到一层薄膜；
[0029]步骤4、在步骤3得到的一层薄膜上涂光刻胶，然后通过匀胶机旋涂，得到二层薄膜；
[0030]步骤5、在步骤4得到的二层薄膜上涂具有石墨成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到三层薄膜；
[0031]步骤6、将步骤5得到的具有三层薄膜的碳化硅抛光片，在置于恒温加热器中，加热后冷却至室温，得到一种碳化硅籽晶镀膜。
[0032]本实施方式所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤1中的保护膜为3M胶带，胶带厚度为0.1mm。
[0033]本实施方式所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤1中的碳化硅抛光片的Si面用乙醇清洗3次后，氮气气枪吹干。
[0034]本实施方式所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤2中的保护气体为氮气，匀胶机的转速为3000r/min。
[0035]本实施方式所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤3中具有碳化硅成分的胶水为加入碳化硅含量为75wt％的光刻胶，匀胶机转速设置为2000r/min，旋涂时间为20s。
[0036]本实施方式所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤4中光刻胶的型号为
AZP4620，匀胶机转速设置为3000r/min，旋涂时间为10s。
[0037]本实施方式所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤5中具有石墨成分的胶水为加入石墨的含量为95wt％的光刻胶，匀胶机转速设置为5000r/min，旋涂时间为30s。
[0038]本实施方式所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤6中加热步骤在超净间进行，恒温加热器的初始温度为100℃，每隔30min升温30℃，加热时间为5h。
[0039]本实施方式所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，制备的所述的一种碳化硅籽晶的镀膜如图1所示，从图1能够看出，膜层表面均匀。
[0040]本实施方式所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，成品率高，不容易产生融化现象。
[0041]本实施方式所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，操作简单，镀膜的厚度方便控制。
[0042]本实施方式所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，成品率达到99.5％。
[0043]具体实施方式二：
[0044]一种碳化硅籽晶的镀膜方法，包括如下步骤：
[0045]步骤1、将碳化硅抛光片的C面贴一层保护膜；
[0046]步骤2、匀胶机中通入保护气体，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、将碳化硅抛光片的C面贴一层保护膜；步骤2、匀胶机中通入保护气体，通过托盘吸住碳化硅抛光片贴有保护膜的一面；步骤3、在碳化硅抛光片的Si面上涂具有碳化硅成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到一层薄膜；步骤4、在步骤3得到的一层薄膜上涂光刻胶，然后通过匀胶机旋涂，得到二层薄膜；步骤5、在步骤4得到的二层薄膜上涂具有石墨成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到三层薄膜；步骤6、将步骤5得到的具有三层薄膜的碳化硅抛光片，在置于恒温加热器中，加热后冷却至室温，得到一种碳化硅籽晶镀膜。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：步骤1中的保护膜为3M胶带，胶带厚度为0.1
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1mm。3.根据权利要求1或2所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：步骤1中的碳化硅抛光片的Si面用乙醇清洗3次后，用氮气气枪吹干。4.根据权利要求3所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：步骤2中的保护气体为氮气，匀胶机的转速为3000
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【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：