本技术涉及晶体退火用技术领域，且公开了一种晶体退火炉装置，包括退火炉体和配电块，退火炉体内部的底端表面固定连接有滚动装置，滚动装置的上端滑动连接有限位机构，退火炉体内部上端安装有加热装置，加热装置的下端表面安装有连接装置二，限位机构的正...

本技术公开了一种建筑工程施工安全围栏，该安全围栏包括第一立柱、固设于该第一立柱底端的第一底盘、第二立柱、固设于该第二立柱底端的第二底盘、固设于该第一立柱和第二立柱之间的栅栏、以及可转动设置于该栅栏底端的单向门栏，该单向门栏顶端与该栅栏底...

本技术提供一种装配式建筑钢结构，涉及钢结构墙体构件领域。包括钢结构墙板一、钢结构墙板二以及设置在钢结构墙板一和钢结构墙板二之间的装配件，所述装配件包括壳体、设置在壳体内的轴杆、与轴杆同轴固接的圆台、对称设置在圆台两侧的插板，所述轴杆顶部...

本实用新型涉及晶体加工技术领域，且公开了一种晶体加工用快速烘干装置，包括烘干仓和门板，所述门板安装于烘干仓的内部，所述烘干仓的内部安装有放置组件，所述烘干仓的顶部安装有烘干组件，所述放置组件由引水单元和活动单元组成，引水单元位于烘干仓的...

本实用新型涉及晶棒生产技术领域，且公开了一种晶体真空退火炉装置，包括加工台，所述加工台的顶部设置有真空设备，所述加工台的顶部设置有除尘装置，所述加工台的内部设置有辅助装置，所述除尘装置包括放置立板

本实用新型涉及粉尘收集技术领域，且公开了一种晶体加工过程用粉尘收集装置，包括支撑板

一种保护坩埚的低应力籽晶托及利用其制备晶体的方法，它涉及保护坩埚的籽晶托及其应用。它是要解决现有的利用物理气相输送法制备高熔点半导体晶体的成本高、良率低的技术问题。本发明的籽晶托包括保护环、支撑环、籽晶支架、限位环和籽晶盖；支撑环设置在...

一种用于制备高温结构件保护镀层的装置，它涉及镀膜的装置。它是要解决现有的在石墨、碳制品等高温材料表面镀膜的方法复杂的技术问题。本装置包括预处理室、连接管、镀膜室；预处理室包括反应腔体与进气管连接；镀膜室包括镀膜腔体及主气管和支气管；连接...

一种在石墨结构件表面镀碳化物保护层的装置，它涉及镀膜的装置。它是要解决现有的在石墨、碳制品等高温材料表面镀膜的方法复杂的技术问题。本装置包括升华室、钨支撑筒、镀层室；钨支撑筒为真空通道，钨支撑筒将升华室与镀层室连通。利用该装置在石墨结构...

一种可连续生长碳化硅晶体的新型石墨坩埚装置，属于长晶装置领域。本实用新型解决了现有的用于物理气相运输法制备碳化硅晶体的石墨坩埚在生长碳化硅晶体时晶体生长不均匀，无法持续向坩埚内部输送原料影响生长晶体质量的问题。本实用新型包括坩埚、供料仓...

一种适用于PVT法提高晶体质量的石墨坩埚，属于晶体制备领域。本实用新型解决了现有用于物理气相运输法的长晶装置在长晶过程中容易对坩埚内部造成严重的侵蚀，缩短坩埚的使用寿命，且造成制备出的碳化硅晶体质量差的问题。本实用新型的坩埚内设有原料放...

一种改善反应室内气体流场的装置，属于晶体生长技术领域。本实用新型包括坩埚体、石墨上盖和籽晶托，坩埚体顶部安装有石墨上盖，坩埚体和石墨上盖之间设置有籽晶托，籽晶托底部安装有籽晶，还包括气流导向装置，坩埚体内中部安装有气流导向装置，气流导向...

一种晶体生长测温装置，属于晶体生长技术领域。本实用新型筒体内部设置有热场，连接管一端与筒体内部连通设置，连接管另一端设置有视窗，视窗外侧配合安装有转角可视测温仪，所述连接管的侧壁开设有与内部连通的排气管，还包括安装挡板和气流导向筒，气流...

本发明涉及一种碳化硅生长工艺，具体涉及一种电阻式方形碳化硅单晶生长工艺。该生长工艺主要包括：机械泵抽真空阶段、机械泵与分子泵抽高真空阶段、初加热阶段、引晶阶段、生长阶段、降温阶段。其特征在于：首先通过机械泵对单晶炉腔体抽低真空，启动分子...

本发明涉及一种单晶炉的机械系统，具体涉及一种电阻式6英寸碳化硅单晶炉的机械系统。该系统包括底座、机械旋转腔室、支柱、电机、炉体、循环水系统、大炉盖、小炉盖、电极、大炉盖驱动架、小炉盖驱动架、驱动电机、测温装置、真空检测装置、进气孔及出气...

本发明涉及一种碳化硅单晶生长的热场结构，具体涉及一种电阻式方形碳化硅单晶生长的热场结构。该结构整体由底部保温结构、进气孔、侧面保温结构、主加热器、副加热器、电极连板、坩埚、支撑结构及籽晶粘接槽组成。其特征在于底部保温结构呈方形，分为上层...

本发明涉及一种碳化硅籽晶的清洗方法，属于碳化硅制备技术领域。为解决现有碳化硅籽晶清洗方法清洗不当，造成次品率提高的问题，本发明提供了一种碳化硅籽晶的清洗方法，包括碳化硅籽晶抛光后使用清水冲洗碳化硅籽晶表面的抛光液、使用氢氟酸溶液清洗碳化...

本发明涉及PVT法生长碳化硅领域，公开了一种适用于生长大厚度SiC单晶的装置及方法，所述装置包括外坩埚、内坩埚，所述外坩埚套在内坩埚外部，且与上部连接件连接；所述上部连接件上端与电机连接；所述外坩埚外设置上部感应线圈，所述内坩埚外设置下...

一种用于同时碳化不同尺寸钽坩埚的石墨加热器及使用方法，本发明涉及石墨加热器及使用方法。本发明是要解决现有的钽坩埚的碳化过程周期时间长、碳化效率低的技术问题。本发明的用于同时碳化不同尺寸钽坩埚的石墨加热器包括上盖、中间体、至少一个中盖和下...

本发明涉及一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，具体涉及一种PVT法生长大尺寸化硅单晶的改进热场结构。该结构整体由侧面保温结构、底部保温结构、籽晶固定结构、感应线圈两个、si原料用的坩埚、c原料用的坩埚、升华气体输送管道构成，其特征在于：...