本实用新型涉及一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉，石英管上部安装坩埚托盘，坩埚托盘上部安装坩埚，坩埚内为氮化铝原料粉体，坩埚上部安装籽晶支架，籽晶支架上部安装第一晶片压环、第二晶片压环，第一晶片压环、第二晶片压环上部为原料籽晶，保温...

本实用新型公开了一种碳化硅颗粒分选装置，包括箱体，所述箱体一侧顶部固定连接有进料管，所述箱体内部顶端固定设有筛选机构；所述筛选机构包括过滤桶，所述过滤桶固定连接于箱体内部顶端，所述进料管一端延伸入过滤桶内部，所述过滤桶内部设有中心轴，所...

本发明涉及一种高质量SiC单晶制备装置及方法，属于晶体生长领域。解决了SiC单晶质量不佳，生长不够均匀，厚度达不到市场需求的问题。包括上盖、籽晶、下盖、坩埚主体、滤网、保温体、动力杆、石英管和加热线圈，所述坩埚主体内放置滤网，坩埚主体的...

本实用新型涉及一种美纹纸测量直径尺，一种美纹纸测量直径尺，美纹纸上面印有周长与直径的换算尺寸，美纹纸为两层：粘接层1和标尺层2。标尺层2显示的每1毫米相当于直尺的3.14毫米。本实用新型成本低，在任意位置都可截断，现场测绘方便实用。本实...

本实用新型涉及一种可拆分式新型钽坩埚，属于晶体制备技术领域。解决的是坩埚在多次高温后出现裂缝的问题。包括坩埚盖、坩埚底和多个坩埚侧壁拼接片，坩埚侧壁拼接片的上下两端分别与坩埚盖和坩埚底可拆卸连接，坩埚侧壁拼接片依次连接形成一个圆筒，石墨...

本发明涉及一种粉料平整与孔隙率控制的装置与方法，属于坩埚辅助设备技术领域。为解决现有粉料压平方法无法控制孔隙率的问题，本发明提供了一种用于坩埚中粉料平整与孔隙率控制的装置，包括：固定结构、滑动杆、固定环、压盘和配重块，固定结构包括圆环和...

一种PVT法氮化铝晶体生长用坩埚材料的制备方法，它属于晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为氮化铝晶体生长用坩埚材料的使用寿命短的问题。本发明称量一定质量的碳化钽粉、钨粉、氧化钇粉加入三维振动混合器中，混合均匀后得到的混合粉体加入聚...

一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法，它涉及碳化硅膜的制备方法。它是要解决现有的碳化硅薄膜的制备方法碳化硅薄膜厚薄不均的技术问题。本方法：将粗、细两种碳化硅粉末混合后，加入到加入到无水非极性溶剂中，再加二三价金属醇盐，搅拌混合得到碳化硅分...

用于PVT法生长碳化硅单晶的碳化硅粉料的预处理方法，它涉及碳化硅粉料的预处理技术。它是要解决现有的PVT法碳化硅单晶生长过程中因粉料烧结影响气体输运技术问题。本方法：将碳化硅粉料放入带搅拌的真空感应炉中在，抽真空状态下加热到处理；然后再...

一种碳化硅晶体砂浆线切割废液的回收方法，它属于碳化硅晶体加工技术领域。本发明经过一级过滤、二级过滤后将二级悬浮液加入真空蒸馏装置，蒸馏温度110～130℃，蒸馏后得到回收的聚乙二醇蒸馏液，纯水清洗、酸洗处理、干燥后筛分，用1000目方孔...

本发明涉及一种氮化铝晶体生长用多孔原料的制备方法，属于氮化铝晶体原料制备技术领域。为解决现有氮化铝原料较为致密，不利于原料挥发和晶体生长的问题，本发明提供了一种氮化铝晶体生长用多孔原料的制备方法，将经过抗水解预处理的氮化铝粉体加入海藻酸...

本发明涉及一种晶体生长的热场设备及方法，属于晶体制备领域。解决晶体生长尺寸单一，效率低难量产的问题。包括冷却保护系统、抽真空系统、仪表控制系统、工艺供气系统、坩埚升降系统、热场保温系统、感应加热系统、红外检测系统、感应加热升降系统、电源...

本发明涉及一种碳化钽片的装置及方法，属于半导体材料制备技术领域。为解决现有钽片碳化装置无法分清碳化前和碳化后的钽片碳化情况的不足，本发明提供了一种能同时碳化多个钽片的装置，包括：坩埚体、坩埚上盖、钽片托架、保温层垫块和保温层壳体，多个钽...

本发明涉及一种PVT法中碳化硅粉源的回收方法，属于晶体生长原料回收技术领域。为解决现有PVT法中碳化硅粉源无法回收再利用的问题，本发明提供了一种PVT法中碳化硅粉源的回收方法，首先通过静电分离将PVT法碳化硅晶体生长过程中产生的固体混合...

一种碳化硅晶体金刚线多线切割废液中碳化硅粉的回收方法，它属于碳化硅晶体加工技术领域。本发明将碳化硅晶体金刚线多线切割废液搅拌后，用过滤器进行2次分离，得到一级颗粒、二级颗粒混合后，加入纯水后搅拌，然后将混合溶液打入压滤机，进行固液分离，...

本发明涉及一种PVT工艺高质量晶体制备装置及方法，属于晶体制备技术领域。本发明研发解决的是晶体生长过程中，无法满足晶体生长界面对温度和温度梯度等沉积条件的需要，不利于制备高质量单晶的问题。包括反应室、感应线圈、坩埚体、托板和升降电机，反...

一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架，属于晶体制备装置技术领域。本实用新型解决了而目前用于晶体制备装置的支架寿命短，硬度差，隔热效果不好的缺陷问题。本实用新型包括上支撑块、中间支撑块和下支撑块，上支撑块和下支撑块通过中间支撑块连接...

本发明属于半导体辅助工具技术领域，具体为一种组合式保温毡盘及保温毡盘结构件，是针对现有保温毡开孔结构在使用中存在精度不准，定位偏差的缺陷所提出，组合式保温毡盘，包括环形保温毡组和可拆卸地安装在环形保温毡组上的实心保温毡，所述实心保温毡转...

一种可连续高效清洗炉体内壁的装置及方法，属于晶体生长领域。本发明包括出液装置、密封收集装置和清洁头，清洁头包覆安装在出液装置顶部，密封收集装置滑动安装在出液装置中部，出液装置与密封收集装置之间设置有密封圈。本发明研发目的是为了解决坩埚使...

本发明涉及一种降低晶体缺陷的碳化硅单晶制备方法，属于碳化硅单晶制备技术领域。为解决现有碳化硅晶体制备过程容易引入杂质形成缺陷晶体的问题，本发明提供了一种降低晶体缺陷的碳化硅单晶制备方法，包括将碳化硅籽晶柱粘接在坩埚盖上，以碳化硅多晶体为...