【技术实现步骤摘要】
一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架
本技术涉及一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架,属于晶体制备装置
技术介绍
氮化铝属于第三代半导体材料之一,它具有高禁带宽度、高击穿场强、高热导率、高饱和电子飘逸速率以及化学稳定性强等优异特性,在高温、高频、高功率、抗辐射器件和深紫外光电击器件等方面均具有广阔的应用前景;目前,在氮化铝设备长晶时需要热场能上下移动和旋转,使加温均匀和达到长晶所需的工艺要求,现有工艺是用石墨做支撑支架,连接热场和传动系统,支撑支架是圆形结构,现有的支撑支架存在以下几点问题:1.如使用硬毡材质的支架时,由于热场过重,硬毡强度不够,在加热状态上使用会缩短支架寿命,仅使用一次就需要更换支架,浪费材料和时间;2.使用高强度石墨做支架时,在感应加热的状态下圆筒形石墨材料会产生大量的感应电流发热,影响热场原有设计,致使支架也变成了加热器,对长晶过程影响非常大。综上所述,亟需一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架用以解决目前的支架存在的问题。
技术实现思路
本技术解决了目前在制备氮化铝设备中的支架寿命短,硬度差,隔热效果不好的缺陷问题,针对现有技术的不足,本技术刚开了“一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架”。在下文中给出了关于本技术的简要概述,以便提供关于本技术的某些方面的基本理解。应当理解,这个概述并不是关于本技术的穷举性概述。它并不是意图确定本技术的关键或重要部分,也不是意图限定本技术的范围。本技术的技术方案:一种 ...
【技术保护点】
1.一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架,其特征在于:包括上支撑块(1)、中间支撑块(2)和下支撑块(3),上支撑块(1)和下支撑块(3)通过中间支撑块(2)连接;/n所述上支撑块(1)包括上支撑板(11)、第一中间支撑板(12)、支撑坩埚板(13)和上支架连接螺栓(14),上支撑板(11)的上端面与第一中间支撑板(12)的下端面接触,第一中间支撑板(12)的上端面与支撑坩埚板(13)的下端面接触,上支撑板(11)、第一中间支撑板(12)和支撑坩埚板(13)通过上支架连接螺栓(14)固定连接;/n所述中间支撑块(2)包括多个支撑立板(21),多个支撑立板(21)通过正反方向互插式安装形成中间支撑块(2);/n所述下支撑块(3)包括下支撑连接板(31)、第二中间支撑板(32)、下支撑板(33)和下支架连接螺栓(34),下支撑连接板(31)的下端面与第二中间支撑板(32)的上端面接触,第二中间支撑板(32)的下端面与下支撑板(33)的上端面接触,下支撑连接板(31)、第二中间支撑板(32)和下支撑板(33)通过下支架连接螺栓(34)固定连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架,其特征在于:包括上支撑块(1)、中间支撑块(2)和下支撑块(3),上支撑块(1)和下支撑块(3)通过中间支撑块(2)连接;
所述上支撑块(1)包括上支撑板(11)、第一中间支撑板(12)、支撑坩埚板(13)和上支架连接螺栓(14),上支撑板(11)的上端面与第一中间支撑板(12)的下端面接触,第一中间支撑板(12)的上端面与支撑坩埚板(13)的下端面接触,上支撑板(11)、第一中间支撑板(12)和支撑坩埚板(13)通过上支架连接螺栓(14)固定连接;
所述中间支撑块(2)包括多个支撑立板(21),多个支撑立板(21)通过正反方向互插式安装形成中间支撑块(2);
所述下支撑块(3)包括下支撑连接板(31)、第二中间支撑板(32)、下支撑板(33)和下支架连接螺栓(34),下支撑连接板(31)的下端面与第二中间支撑板(32)的上端面接触,第二中间支撑板(32)的下端面与下支撑板(33)的上端面接触,下支撑连接板(31)、第二中间支撑板(32)和下支撑板(33)通过下支架连接螺栓(34)固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架,其特征在于:所述上支撑板(11)为圆形薄板,上支撑板(11)上开有多个通孔,上支撑板(11)上开有方孔。
3.根据权利要求1所述的一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架,其特征在于:所述第一中间支撑板(12)为圆形薄板,第一中间支撑板(12)上开有多个通孔。
4.根据权利要求1所述的一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:黑龙江;23
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