一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置制造方法及图纸

一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，它属于物理气相传输法生长单晶的技术领域。本发明专利技术包括坩埚本体，所述的坩埚本体上端设置有上盖，所述的坩埚本体内底部铺设有晶体生长源料，所述的晶体生长源料顶端放置有导流结构，所述的导流结构的上端设置有多个卡槽，所述的卡槽固定连接套筒结构的底部，所述的套筒结构的顶端设置有套筒盖，籽晶固定于所述的套筒结构的上端位置。本发明专利技术采用导流结构，将在一个坩埚本体内部放置了多个套筒结构，每个套筒结构上方分别放置了籽晶，坩埚本体在制备晶体时可以通过旋转机构绕轴旋转，保证了温场分布的均一性，实现了一个坩埚本体内多个籽晶上同时长晶，成倍提高了制备速率。

A kind of multi seed crystal crucible device based on physical gas phase transportation

【技术实现步骤摘要】
一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置
本专利技术属于物理气相传输法生长单晶的
；具体涉及一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置。
技术介绍
第三代半导体材料是以碳化硅SiC、氮化铝AlN等为代表的宽禁带半导体材料，由于其具有宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的热稳定性、耐腐蚀和耐辐射等优良的物理和化学特性，广泛应用于高频、微波功率器件、发光器件等领域。目前，物理气相传输法(PVT，PhysicalVaporTransport)被公认是生长SiC、AlN等晶体最成熟的方法之一。以物理气相传输法生长碳化硅为例，生长碳化硅的腔室中，坩埚由上部的盖和下部的锅组成，上部的盖用于固定籽晶，通常称之为籽晶托，下部的锅用于装碳化硅粉末。在生长碳化硅晶体之前，先将碳化硅籽晶通过粘合剂粘到籽晶托上，或者以紧贴方式直接机械固定在籽晶托上。晶体生长时，使生长室保持一定的温度梯度，碳化硅原料处于高温区，籽晶处于低温区。将坩埚温度升至2200℃～2500℃，使得碳化硅粉末升华，升华所产生的气相物质分解，在温度梯度的作用下从原材料表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：包括坩埚本体(1)，所述的坩埚本体(1)上端设置有上盖(2)，所述的坩埚本体(1)内底部铺设有晶体生长源料(3)，所述的晶体生长源料(3)顶端放置有导流结构(4)，所述的导流结构(4)的上端设置有多个卡槽(8)，所述的卡槽(8)固定连接套筒结构(5)的底部，所述的套筒结构(5)的顶端设置有套筒盖(6)，籽晶(7)固定于所述的套筒结构(5)的上端位置。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：包括坩埚本体(1)，所述的坩埚本体(1)上端设置有上盖(2)，所述的坩埚本体(1)内底部铺设有晶体生长源料(3)，所述的晶体生长源料(3)顶端放置有导流结构(4)，所述的导流结构(4)的上端设置有多个卡槽(8)，所述的卡槽(8)固定连接套筒结构(5)的底部，所述的套筒结构(5)的顶端设置有套筒盖(6)，籽晶(7)固定于所述的套筒结构(5)的上端位置。


2.根据权利要求1所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的坩埚本体(1)为圆柱形筒状结构，所述的坩埚本体(1)的上盖(2)通过螺纹连接或者卡接于所述的坩埚本体(1)的上端。


3.根据权利要求1所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的坩埚本体(1)的材料为石墨、金属钨、BN、金属Ta中的一种，所述的坩埚本体(1)的上盖(2)材料为石墨、金属钨、BN、金属Ta中的一种。


4.根据权利要求1所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的导流结构(4)为薄层结构，所述的导流结构(4)的底部与所述的晶体生长源料(3)紧密连接，所述的导流结构(4)的底部两端与所述的坩埚本体(1)的内部侧面边缘紧密连接，所述的导流结构(4)为圆台形筒状结构或者圆柱形筒状结构，所述的卡槽(8)的个数与所述的套筒结构(5)的个数相同。


5.根据权利要求4所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的导...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽丽，张胜涛，范国峰，袁文博，
申请(专利权)人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙;23