【技术实现步骤摘要】
一种不同取向单变体氧化钇稳定氧化锆外延膜的制备方法
本专利技术涉及外延薄膜生长领域，特别涉及一种不同取向单变体氧化钇稳定氧化锆外延膜的制备方法。
技术介绍
氧化锆陶瓷作为最强同时最韧的单相氧化物陶瓷(‘陶瓷钢’)，同时具有低热导率、耐腐蚀性以及生物相容性等优点，被广泛应用于工业各个领域。金属材料由于其金属键结构属性具有大量可滑移的位错，位错的存在使金属材料能够承受更大的变形进而提高金属材料的韧性；同时晶界的存在又可以有效阻碍位错的运动进而提高金属材料的强度。由于构成陶瓷材料的通常为共价键和离子键，导致陶瓷中滑移系较少，位错在陶瓷材料中难以进行滑移，导致陶瓷材料很难利用位错来提高其韧性，故大多数陶瓷材料通常显示脆性特征，这也是长久以来制约陶瓷材料应用和发展的一大瓶颈。氧化钇稳定的氧化锆(以下简称YSZ)由于具有相变增韧和铁弹变形等机制存在，可显著提高YSZ的强度和韧性，但YSZ的马氏体相变伴随约4％的体积应变和7％的剪切变形，导致YSZ在服役过程中产生较大的应力引起陶瓷的开裂失效，对YSZ的应用和发展带来巨大阻碍。不同于YSZ...
【技术保护点】
1.一种不同取向单变体氧化钇稳定氧化锆外延膜的制备方法，其特征在于，包括：/n将氧化钇稳定的氧化锆置入腔室中的靶材托上，并将所述腔室抽真空；/n将钛酸锶基底处理后置入所述腔室，并将所述腔室抽真空；/n将所述腔室内的所述钛酸锶基底加热至第一预设温度后，通入氧气，并将腔室内的压强维持在第一预设压强范围内；/n开启激光器进行薄膜沉积；/n沉积后以第一预设速率对所述腔室降温，降温至第二预设温度后，得到与所述钛酸锶基底成外延关系的具有不同取向单变体的外延氧化钇稳定的氧化锆薄膜。/n
【技术特征摘要】
1.一种不同取向单变体氧化钇稳定氧化锆外延膜的制备方法，其特征在于，包括：
将氧化钇稳定的氧化锆置入腔室中的靶材托上，并将所述腔室抽真空；
将钛酸锶基底处理后置入所述腔室，并将所述腔室抽真空；
将所述腔室内的所述钛酸锶基底加热至第一预设温度后，通入氧气，并将腔室内的压强维持在第一预设压强范围内；
开启激光器进行薄膜沉积；
沉积后以第一预设速率对所述腔室降温，降温至第二预设温度后，得到与所述钛酸锶基底成外延关系的具有不同取向单变体的外延氧化钇稳定的氧化锆薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化钇稳定的氧化锆的掺杂成分为6％-8％wtY2O3和92％-94％wtZrO2。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化钇稳定的氧化锆的掺杂成分为7％wtY2O3和93％wtZrO2。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钛酸锶基底是...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨丽，李俊宝，周益春，朱旺，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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