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一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，它属于物理气相传输法生长单晶的技术领域。本发明包括坩埚本体，所述的坩埚本体上端设置有上盖，所述的坩埚本体内底部铺设有晶体生长源料，所述的晶体生长源料顶端放置有导流结构，所述的导流结构的上端设置...该专利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司授权不得商用。