【技术实现步骤摘要】
低温薄膜结晶方法以及由其制备的产品本申请为分案申请,原申请的申请日是2014年3月14日、申请号是201410094184.2、专利技术名称为“低温薄膜结晶方法以及由其制备的产品”。
本公开涉及至少部分结晶的薄膜以及形成所述薄膜的方法。具体而言,所述方法包括将多个结晶纳米颗粒引导至衬底;将非晶形材料的薄膜沉积在多个结晶纳米颗粒的至少一部分上并且诱导至少一部分薄膜非晶形材料的结晶,以及由其得到的膜和装置。
技术介绍
可用于能量收集装置的某些金属氧化物(即,氧化锌、铟锡氧化物(ITO))的结晶具有大量能量障碍,一般需要高温(425-1200摄氏度)来引发。因此,如果不能用可随后结晶的非晶形膜直接涂布低温衬底(例如,电子器件、聚合物膜等),则其是困难的。低温沉积方法一般导致无序的(非晶形)结构,这限制需要或期望其它形式的结晶结构的先进装置的性能和效力。
技术实现思路
根据本专利技术的方面提供了制造至少部分结晶的薄膜的方法。所述方法包括将多个结晶纳米颗粒引导至衬底;将非晶形材料的薄膜沉积在多个结晶纳米颗粒 ...
【技术保护点】
1.制造至少部分结晶的薄膜的方法,所述方法包括:/n引导多个结晶纳米颗粒至聚合物衬底;/n将非晶形材料的薄膜沉积在所述多个结晶纳米颗粒的至少一部分上;并且/n以少于能够引起所述衬底的化学、熔化或结构变化的量施加热,从而诱导所述薄膜非晶形材料的至少一部分结晶,其中所施加的热在250℃以下;/n其中所述多个结晶纳米颗粒充当所述薄膜非晶形材料结晶的晶种。/n
【技术特征摘要】
20130315 US 13/836,6461.制造至少部分结晶的薄膜的方法,所述方法包括:
引导多个结晶纳米颗粒至聚合物衬底;
将非晶形材料的薄膜沉积在所述多个结晶纳米颗粒的至少一部分上;并且
以少于能够引起所述衬底的化学、熔化或结构变化的量施加热,从而诱导所述薄膜非晶形材料的至少一部分结晶,其中所施加的热在250℃以下;
其中所述多个结晶纳米颗粒充当所述薄膜非晶形材料结晶的晶种。
2.权利要求1所述的方法,其中所述聚合物衬底是导电聚合物。
3.权利要求1所述的方法,其中所述诱导结晶提供所述非晶形材料的薄膜的横向外延生长。
4.权利要求1所述的方法,其中所述诱导结晶是所述非晶形材料的薄膜的异相成核。
5.权利要求1所述的方法,其中所述多个结晶纳米颗粒的一个或多个是Janus颗粒。
6.权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·N·兰阿德,M·A·玛图斯,G·M·纽布鲁姆,
申请(专利权)人:波音公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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