SiC单晶制造装置和SiC单晶的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的SiC单晶制造装置是在配置于坩埚内的籽晶的生长面上进行结晶生长从而制造SiC单晶的SiC单晶制造装置，坩埚(1)包含坩埚下部(1A)和坩埚上部(1B)，坩埚下部(1A)能够在内部收纳SiC单晶用原料(M)，且具有底部(1Aa)和侧部(1Ab)，坩埚上部(1B)具有顶部(1Ba)和侧部(1Bb)，顶部(1Ba)设有用于设置籽晶(SD)的籽晶设置部(1Bc)，在坩埚下部(1A)的侧部(1Ab)的外周(1AA)设置阳螺纹(1AAa)，在坩埚上部(1B)的侧部(1Bb)的内周(1BB)设置与阳螺纹螺合的阴螺纹(1BBa)，SiC单晶制造装置具备旋转机构(10)，旋转机构(10)使坩埚上部(1B)和坩埚下部(1A)中的至少一者旋转，使坩埚上部(1B)和坩埚下部(1A)相对地上下移动。

Device for manufacturing SiC single crystal and method for manufacturing SiC single crystal

【技术实现步骤摘要】
SiC单晶制造装置和SiC单晶的制造方法
本专利技术涉及SiC单晶制造装置和SiC单晶的制造方法。本申请基于2018年11月14日在日本提出申请的专利申请2018-213902号主张优先权，将其内容引用于此。
技术介绍
碳化硅(SiC)的绝缘击穿电场比硅(Si)大1个数量级，带隙比硅(Si)大3倍。另外，SiC具有热传导率比Si高3倍左右等特性。因此，期待SiC应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。作为制造SiC单晶的方法之一，众所周知的是升华法。升华法是在坩埚内将碳化硅原料加热到高温产生升华气体，在温度相对低的SiC单晶构成的籽晶上使该升华气体再结晶化从而生长SiC单晶的方法。为了降低与结晶生长相伴的成本，希望进行生长的高速化和长尺寸化。现有技术文献专利文献1：日本特开2009-23880号公报
技术实现思路
在升华法中，通过使碳化硅原料与籽晶或单晶的生长面的距离接近，能够谋求结晶生长的高速化，但距离随着结晶生长而缩短，所以无法兼顾SiC单晶的长尺寸化。>专利文献1中，作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC单晶制造装置，是在配置于坩埚内的籽晶的生长面上进行结晶生长从而制造SiC单晶的SiC单晶制造装置，/n所述坩埚包含坩埚下部和坩埚上部，所述坩埚下部具有底部和侧部，且能够在内部收纳SiC单晶用原料，所述坩埚上部具有顶部和侧部，在所述顶部设置有籽晶设置部，/n在所述坩埚下部的侧部的外周设置阳螺纹，/n在所述坩埚上部的侧部的内周设置与所述阳螺纹螺合的阴螺纹，/n所述SiC单晶制造装置具备旋转机构，所述旋转机构使所述坩埚上部和所述坩埚下部中的至少一者旋转，使所述坩埚上部和所述坩埚下部相对地上下移动。/n

【技术特征摘要】
20181114 JP 2018-2139021.一种SiC单晶制造装置，是在配置于坩埚内的籽晶的生长面上进行结晶生长从而制造SiC单晶的SiC单晶制造装置，
所述坩埚包含坩埚下部和坩埚上部，所述坩埚下部具有底部和侧部，且能够在内部收纳SiC单晶用原料，所述坩埚上部具有顶部和侧部，在所述顶部设置有籽晶设置部，
在所述坩埚下部的侧部的外周设置阳螺纹，
在所述坩埚上部的侧部的内周设置与所述阳螺纹螺合的阴螺纹，
所述SiC单晶制造装置具备旋转机构，所述旋转机构使所述坩埚上部和所述坩埚下部中的至少一者旋转，使所述坩埚上部和所述坩埚下部相对地上下移动。


2.根据权利要求1所述的SiC单晶制造装置，
所述旋转机构具有圆筒体和侧部突起部，所述圆筒体的内径大于所述坩埚上部的外径，且具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤川阳平，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP