一种高效晶体退火装置及其退火方法制造方法及图纸

一种高效的晶体退火装置及其退火方法，它属于晶体生长加工领域。本发明专利技术包括坩埚本体，坩埚盖，坩埚本体内底部设置有支架卡槽、粉料筒卡槽，支架卡槽连接组合支架，粉料筒卡槽连接粉料筒，坩埚本体顶端设置有坩埚盖，粉料筒底部设置有第一定位键，组合支架包括第一支架、第二支架，第一支架为凹型支架，第一支架的顶端两侧设置有键槽，第一支架的中部内侧设置有第一凹槽，第二支架为桥形支架，第二支架的底端两侧设置有第二定位键，第二支架的顶端中心位置设置有第二凹槽，4个支架卡槽呈正方形分布，粉料筒卡槽位于坩埚本体底部中心位置。本发明专利技术可有效去除晶体中存在的热应力及机械加工应力，避免后续切割工艺过程中产生晶片翘曲和开裂问题。

【技术实现步骤摘要】
一种高效晶体退火装置及其退火方法
本专利技术属于晶体生长加工领域；具体涉及一种高效晶体退火装置及其退火方法。
技术介绍
在使用PVT(PhysicalVaporTransport，物理气相沉积)法进行晶体(碳化硅、氮化铝等)生长时，由于在生长过程中热场温度的变化，使得晶体内部存在较大的剪切热应力，并且高温会引发生长面附近较大的热应变，由于受到边界约束的制约，随着晶体的生长，热应力不断积累增大，当超过临界值时会产生大量位错或晶裂。晶锭在去平边及滚圆等机械加工过后，也会在晶体中产生热应力，如果应力得不到释放，在后续的切割、研磨、抛光等加工过程中，容易发生晶片翘曲，严重时发生开裂。普通去应力方法的效率低，且在高温状态下晶体表面容易发生反向升华，致使损失和表面的污染损伤。
技术实现思路
本专利技术目的是提供了一种高效的晶体退火装置及其退火方法。本专利技术通过以下技术方案实现：一种高效晶体退火装置，所述的高效晶体退火装置包括坩埚本体，坩埚盖，所述的坩埚本体内底部设置有支架卡槽和粉料筒卡槽，所述的支架卡槽连接组合支架，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高效晶体退火装置，其特征在于：所述的高效晶体退火装置包括坩埚本体(1)，坩埚盖(8)，所述的坩埚本体(1)内底部设置有支架卡槽(2)和粉料筒卡槽(3)，所述的支架卡槽(2)连接组合支架(5)，所述的粉料筒卡槽(3)连接粉料筒(4)，坩埚本体(1)顶端设置有坩埚盖(8)。/n

【技术特征摘要】
1.一种高效晶体退火装置，其特征在于：所述的高效晶体退火装置包括坩埚本体(1)，坩埚盖(8)，所述的坩埚本体(1)内底部设置有支架卡槽(2)和粉料筒卡槽(3)，所述的支架卡槽(2)连接组合支架(5)，所述的粉料筒卡槽(3)连接粉料筒(4)，坩埚本体(1)顶端设置有坩埚盖(8)。


2.根据权利要求1所述的一种高效晶体退火装置，其特征在于：所述的粉料筒(4)底部设置有第一定位键(14)，所述的组合支架(5)包括第一支架(6)和第二支架(7)，所述的第一支架(6)为凹型支架，所述的第一支架(6)的顶端两侧设置有键槽(10)，所述的第一支架(6)的中部内侧设置有第一凹槽(11)，所述的第二支架(7)为桥形支架，所述的第二支架(7)的底端两侧设置有第二定位键(12)，所述的第二支架(7)的顶端中心位置设置有第二凹槽(13)。


3.根据权利要求2所述的一种高效晶体退火装置，其特征在于：所述的第一凹槽(11)的直径大于晶体(9)直径0.1～0.2mm，所述的第一凹槽(11)的宽度大于晶体(9)厚度0.1～0.2mm，所述的第一凹槽(11)的高度为晶体(9)直径的1/6～1/2，所述的第二凹槽(13)的直径大于晶体(9)直径0.1～0.2mm，所述的第二凹槽(13)的宽度大于晶体(9)厚度0.1～0.2mm，所述的第二凹槽(13)的高度为晶体(9)直径的1/6～1/2倍。


4.根据权利要求1所述的一种高效晶体退火装置，其特征在于：所述的支架卡槽(2)的个数为4个，4个支架卡槽(2)呈正方形分布于坩埚本体(1)底部，所述的粉料筒卡槽(3)位于坩埚本体(1)底部中心位置。


5.根据权利要求1所述的一种高效晶体退火装置，其特征在于：所述的坩埚本体(1)与所述的坩埚盖(8)通过螺纹连接，所述的坩埚本体(1)的材...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙;23