一种二维NdOCl单晶材料的制备方法、产品及应用技术

本发明专利技术属于半导体材料与器件领域，并具体公开了一种二维NdOCl单晶材料的制备方法、产品及应用。所述方法包括：将NdOCl粉末和助熔剂按预设比例混合得到前驱体；将所述前驱体在温度为700～1000℃、惰性气体氛围的条件下保温，然后自然冷却至室温，得到二维NdOCl单晶材料。所述产品采用上述方法制得，且该产品应用于X射线探测器中。本发明专利技术所制备的二维NdOCl单晶材料具有稳定性高、无毒无害、制备简单的特点，同时，基于本发明专利技术NdOCl单晶材料的X射线吸收系数大和耐击穿电压高，因而其尤其适用于X射线探测的应用场合，且所得的X射线探测器具有环境稳定高、无毒无害、分辨率高、灵敏度高的优势。

【技术实现步骤摘要】
一种二维NdOCl单晶材料的制备方法、产品及应用
本专利技术属于半导体材料与器件领域，更具体地，涉及一种二维NdOCl单晶材料的制备方法、产品及应用。
技术介绍
X射线已经成功应用于医学成像、公共安全检测、抢险探生等诸多与我们生活密切相关的领域。不仅如此，X射线在核能安全、放射性物质防护和国防等方面也发挥着至关重要的作用。X射线探测器是X射线探测系统的核心部件，其有两种工作模式，一种是间接模式，通过闪烁体将X射线转换成可见光再经过光电探测器转换成电信号，另一种是直接模式，直接通过半导体将X射线转换成电信号。后者相对于前者具有系统简单、空间分辨率高、便于集成的优势。目前商用的直接式平板探测器仅有非晶硒探测器，这种探测器具有成像质量优异、空间分辨率高、系统结构简单等优势。然而，该探测器寿命较短、对环境要求苛刻、灵敏度低、稳定性差阻碍了其广泛的应用。要实现直接式探测器的大规模应用，需要开发新的光电导材料。目前研究报道的材料主要有MAPbI3(Nature,2017,550,87-91)、MAPbBr3(NaturePhotonics,2017本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二维NdOCl单晶材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将质量比为1：1～5：1的NdOCl粉末和助熔剂混合得到前驱体；将所述前驱体在惰性气体氛围中加热至预设温度，并在预设温度下保温，然后自然冷却，得到二维NdOCl单晶材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种二维NdOCl单晶材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将质量比为1：1～5：1的NdOCl粉末和助熔剂混合得到前驱体；将所述前驱体在惰性气体氛围中加热至预设温度，并在预设温度下保温，然后自然冷却，得到二维NdOCl单晶材料。


2.根据权利要求1所述的一种二维NdOCl单晶材料的制备方法，其特征在于，所述预设温度为700～1000℃，所述保温的时间为10～30min；所述助熔剂为氯化盐，用于降低NdOCl粉末的熔点。


3.根据权利要求1所述的一种二维NdOCl单晶材料的制备方法，其特征在于，所述惰性气体的流量为50～200sccm，所述惰性气体为氩气。


4.根据权利要求1所述的一种二维NdOCl单晶材料的制备方法，其特征在于，将NdCl3·6H2O研磨成粉末，在温度为500～900℃的条件下保温12～24h，从而煅烧得到NdOCl粉末。


5.根据权利要求1-4任一项所述的一种二维NdOCl单晶材料的制备方法，其特征在于，所述二维NdOCl单晶材料为厚度为5～100nm的矩形结构，且该矩形结构的边长为5～30μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：甘霖，李敏，马颖，翟天佑，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42