一种卤化铯铅晶体的生长方法技术

本发明专利技术公开了一种卤化铯铅晶体的生长方法，包括以下步骤：原料的密封：将卤化铯和卤化铅粉末干燥后，置于石英安培瓶中抽真空进行密封；多晶料的制备：将石英安培瓶置于摇摆炉内进行分阶段升温至690～700℃后，保温，然后将炉温降至室温，得到多晶料；卤化铯铅晶体的制备：将装有多晶料的安培瓶置于区熔炉的顶部，将区熔炉的温度升至690～730℃，待温场稳定之后将安培瓶向下移动，完成晶锭的生长；最后进行退火处理。本发明专利技术制备方法简单，容易控制，生长周期较短，温度梯度可调。本发明专利技术制备的晶体无明显的杂质，具有良好的光学性能，可以用于作为闪烁晶体用于辐射探测等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种卤化铯铅晶体的生长方法
本专利技术涉及晶体生长
，具体涉及一种卤化铯铅晶体的生长方法。
技术介绍
近些年，闪烁晶体在高能物理、核仪表、辐射测量、医学成像、核断层摄影、天体物理学等科学和工程领域的应用需求逐步扩大，从而加速了对新型快速闪烁材料的研究。卤化铯闪烁晶体具有较高的能量分辨率和辐射稳定性，高能γ射线的探测效率比碘化钠的高，机械性能好，是一种具有优良性能的闪烁晶体材料，目前在辐射探测等领域有重要应用。但纯卤化铯晶体发光强度和光产额在室温下较低，纯CsI晶体的光产额在室温下只有CsI(Tl)晶体的5％左右，并且随着温度的升高而降低，这样对实际的应用是不利的。因此，生长高质量的掺杂卤化铯晶体是解决晶体发光问题的必要条件，从而满足闪烁晶体在各个领域的应用。目前生长卤化铯晶体主要是采用坩埚下降法进行生长。但是坩埚下降法生长晶体的周期长，生长过程中原料全部熔融，导致晶体生长过程中组成成分的严重挥发，影响晶体成分分布不均匀，使制备的晶体的发光性能差。另外，现在并没有针对卤化铯铅晶体的报道，只有少数卤化铯铅纳米棒的研究，而纳米棒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种卤化铯铅晶体的生长方法，其特在于，包括以下步骤：/n（1）原料的密封/n将卤化铯和卤化铅粉末于真空条件下，在150℃干燥24h；然后在氮气的氛围下称量干燥后的卤化铯和卤化铅粉末，并置于石英安培瓶中抽真空进行密封；/n（2）多晶料的制备/n将步骤（1）中密封后的石英安培瓶置于摇摆炉内，然后进行分阶段升温至690～700℃后，保温0.5-2h，同时摇摆炉以30r/min的频率进行摆动，然后将炉温降至室温，得到多晶料；/n（3）卤化铯铅晶体的制备/n将装有多晶料的安培瓶置于区熔炉的顶部，将区熔炉的温度升至690～730℃，并保温10～15h，所述区熔炉内的温度梯度设定为30-40℃/cm，然...

【技术特征摘要】
1.一种卤化铯铅晶体的生长方法，其特在于，包括以下步骤：
（1）原料的密封
将卤化铯和卤化铅粉末于真空条件下，在150℃干燥24h；然后在氮气的氛围下称量干燥后的卤化铯和卤化铅粉末，并置于石英安培瓶中抽真空进行密封；
（2）多晶料的制备
将步骤（1）中密封后的石英安培瓶置于摇摆炉内，然后进行分阶段升温至690～700℃后，保温0.5-2h，同时摇摆炉以30r/min的频率进行摆动，然后将炉温降至室温，得到多晶料；
（3）卤化铯铅晶体的制备
将装有多晶料的安培瓶置于区熔炉的顶部，将区熔炉的温度升至690～730℃，并保温10～15h，所述区熔炉内的温度梯度设定为30-40℃/cm，然后将安培瓶以0.5～1mm/h的速度由高温区向低温区移动，多晶料在经过高温区时进行熔融，并在移动过程中逐渐结晶，完成晶锭的生长；将区熔炉冷却至室温，得到卤化铯铅晶体；
（4）退火处理
将步骤（3）中得到的卤化铯铅晶体切片，并置于空气、真...

【专利技术属性】
技术研发人员：申慧，王娜，徐家跃，张彦，田甜，储耀卿，
申请(专利权)人：上海应用技术大学，
类型：发明
国别省市：上海;31