【技术实现步骤摘要】
一种去除籽晶残余应力的退火装置及退火方法
本专利技术属于晶体材料制备
,尤其涉及一种去除籽晶残余应力的退火装置及退火方法。
技术介绍
在PVT法制备氮化铝籽晶过程中,无论是由外延生长出的AlN籽晶,还是由氮化铝晶体切片制备出来的籽晶,都会在单面或是双面上经过切磨倒角等工艺,这类切磨倒角工艺会在制备出来的籽晶表面甚至是内部形成大量的残余应力。这样的残余应力不但会导致籽晶在与坩埚盖粘接时粘接剂与晶片间形成裂纹,还会在晶体生长过程中因升温过程中不同材料热膨胀系数的差异造成晶体内大量的裂纹和缺陷,严重影响晶体的质量。
技术实现思路
为解决PVT法制备AlN籽晶过程中产生的残余应力容易造成晶体内大量裂纹和缺陷的问题,本专利技术提供了一种去除籽晶残余应力的退火装置及退火方法。本专利技术的技术方案:一种去除籽晶残余应力的退火装置,包括多层内坩埚、外坩埚、加热器、保温层、炉体外壳和感应线圈;所述多层内坩埚设于外坩埚内,所述加热器设于外坩埚外部两侧,所述保温层围设于外坩埚和加热器外周,所述炉体外壳围设于保温层外周,所述感应线圈设于炉体外壳外部两侧与加热器位置对应;所述多层内坩埚包括内坩埚顶盖、碳化钽片、籽晶支架、内坩埚隔环和内坩埚底盖,多个籽晶支架叠加设置在内坩埚底盖上,籽晶支架之间还设置有内坩埚隔环,相邻的两个籽晶支架和所夹持的内坩埚隔环形成一个夹持空间,所述夹持空间用于容纳背面相对放置的两片碳化钽片,所述碳化钽片正面粘接有籽晶,最上层碳化钽片上盖设有内坩埚顶盖。进一步的,所 ...
【技术保护点】
1.一种去除籽晶残余应力的退火装置,其特征在于,包括多层内坩埚(1)、外坩埚(2)、加热器(3)、保温层(4)、炉体外壳(5)和感应线圈(6);所述多层内坩埚(1)设于外坩埚(2)内,所述加热器(3)设于外坩埚(2)外部两侧,所述保温层(4)围设于外坩埚(2)和加热器(3)外周,所述炉体外壳(5)围设于保温层(4)外周,所述感应线圈(6)设于炉体外壳(5)外部两侧与加热器(3)位置对应;/n所述多层内坩埚(1)包括内坩埚顶盖(101)、碳化钽片(102)、籽晶支架(103)、内坩埚隔环(104)和内坩埚底盖(105),多个籽晶支架(103)叠加设置在内坩埚底盖(105)上,籽晶支架(103)之间还设置有内坩埚隔环(104),相邻的两个籽晶支架(103)和所夹持的内坩埚隔环(104)形成一个夹持空间,所述夹持空间用于容纳背面相对放置的两片碳化钽片(102),所述碳化钽片(102)正面粘接有籽晶(106),最上层碳化钽片(102)上盖设有内坩埚顶盖(101)。/n
【技术特征摘要】
1.一种去除籽晶残余应力的退火装置,其特征在于,包括多层内坩埚(1)、外坩埚(2)、加热器(3)、保温层(4)、炉体外壳(5)和感应线圈(6);所述多层内坩埚(1)设于外坩埚(2)内,所述加热器(3)设于外坩埚(2)外部两侧,所述保温层(4)围设于外坩埚(2)和加热器(3)外周,所述炉体外壳(5)围设于保温层(4)外周,所述感应线圈(6)设于炉体外壳(5)外部两侧与加热器(3)位置对应;
所述多层内坩埚(1)包括内坩埚顶盖(101)、碳化钽片(102)、籽晶支架(103)、内坩埚隔环(104)和内坩埚底盖(105),多个籽晶支架(103)叠加设置在内坩埚底盖(105)上,籽晶支架(103)之间还设置有内坩埚隔环(104),相邻的两个籽晶支架(103)和所夹持的内坩埚隔环(104)形成一个夹持空间,所述夹持空间用于容纳背面相对放置的两片碳化钽片(102),所述碳化钽片(102)正面粘接有籽晶(106),最上层碳化钽片(102)上盖设有内坩埚顶盖(101)。
2.根据权利要求1所述一种去除籽晶残余应力的退火装置,其特征在于,所述外坩埚(2)为外坩埚顶盖(201)、压片隔环(202)、隔筒(203)和外坩埚底盖(204)组成的封闭壳体,多层内坩埚(1)分层堆叠放置于外坩埚(2)壳体内。
3.根据权利要求2所述一种去除籽晶残余应力的退火装置,其特征在于,所述压片隔环(202)和隔筒(203)内部设有1~4个轴向中空通孔,用于放置多层内坩埚(1)。
4.根据权利要求1-3任一所述一种去除籽晶残余应力的退火装置,其特征在于,所述保温层(4)为顶部石墨保温层(401)、侧部石墨保温层(402)和底部石墨保温层(403)组成的封闭保温层。
5.根据权利要求4所述一种去除籽晶残余应力的退火装置,其特征在于,还包括托盘(7)、坩埚支撑杆(8)和坩埚旋转电机(9);所述托盘(7)设于保温层(4)内,所述外坩埚(2)置于托盘(7)上,托盘(7)连接有所述坩埚支撑杆(8),所述坩埚支撑杆(8)沿保温层(4)和炉体外壳(5)底部的开孔伸出,所述坩埚支撑杆(8)与炉体外壳(5)外部的坩埚旋转电机(9...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:黑龙;23
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