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本发明属于晶体材料制备技术领域，尤其涉及一种去除籽晶残余应力的退火装置及退火方法。为解决PVT法制备AlN籽晶过程中产生的残余应力容易造成晶体内大量裂纹和缺陷的问题，本发明提供了一种去除籽晶残余应力的退火装置及退火方法。该退火装置包括多层内...该专利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司授权不得商用。