一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法，属于单晶材料制备技术领域。为解决氮化铝单晶生长用原料杂质含量较高的问题，本发明专利技术提供了一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法，包括使用混合酸对氮化铝原料粉体进行酸洗、超声波水洗粉体、将粉体依次置于PAS炉和热处理炉内进行高温烧结和热处理，所得粉体研磨、水洗烘干后得到高纯氮化铝原料粉体。本发明专利技术提供的高纯原料制备方法操作简单，使用混合酸进行酸洗能够有效的去除氮化铝原料粉体中的Na、W、Fe和Al

A preparation method of high purity raw materials for AlN single crystal growth

【技术实现步骤摘要】
一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法
本专利技术属于单晶材料制备
，尤其涉及一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法。
技术介绍
高纯度的原料粉体是制备高性能氮化铝晶体材料的前提，而原料粉体中的金属杂质和氧化物是影响其纯度的两大因素。一方面，现有市售AlN粉体的纯度普遍不高，主要是存在Na、W、Fe等金属杂质；另一方面，AlN粉体极易水解生成Al2O3，进而在后续烧结过程中形成Al5O6N、Al7O3N5等Al-O-N杂相。这些杂质都会导致晶体生长过程中发生二次成核，并有可能占据氮化铝晶体点阵中原有Al和N的位置甚至空隙，形成大量的缺陷，裂纹等严重影响晶体的质量，甚至无法生长出大尺寸的晶体。
技术实现思路
为解决氮化铝单晶生长用原料杂质含量较高的问题，本专利技术提供了一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法。本专利技术的技术方案：一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法，步骤如下：步骤一、将HF和HNO3按一定体积比配制成混合酸，一定温度下对氮化铝原料粉体进行混合酸酸洗；利用超声波水洗将酸洗后的氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法，其特征在于，步骤如下：/n步骤一、将HF和HNO

【技术特征摘要】
1.一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法，其特征在于，步骤如下：
步骤一、将HF和HNO3按一定体积比配制成混合酸，一定温度下对氮化铝原料粉体进行混合酸酸洗；利用超声波水洗将酸洗后的氮化铝原料粉体清洗至中性；
步骤二、将步骤一清洗后的氮化铝原料粉体装入坩埚内，置于PAS炉体内；PAS炉体抽真空后，升温至第一烧结温度，在轴向压力下烧结一定时间；随后向PAS炉体内充入氮气，保持原轴向压力，在一定气压和第二烧结温度下继续烧结一定时间后取出坩埚；
步骤三、将坩埚放入热处理炉内，热处理炉抽真空后在第一热处理温度下保持一定时间；随后充入氮气，在一定气压和第二热处理温度下继续保持一定时间，取出热处理后的粉体，研磨成粉，水洗、烘干得到高纯氮化铝原料粉体。


2.根据权利要求1所述一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法，其特征在于，步骤一所述HF和HNO3的体积比为1:1～5；所述酸洗温度为20～50℃，所述酸洗时间为2～20h。


3.根据权利要求1或2所述一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法，其特征在于，步骤一所述超声波水洗的频率为...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙;23