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本发明涉及一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法，属于单晶材料制备技术领域。为解决氮化铝单晶生长用原料杂质含量较高的问题，本发明提供了一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法，包括使用混合酸对氮化铝原料粉体进行酸洗、超声波水洗粉体、将粉体依次...该专利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司授权不得商用。