本发明提供制备某些具有烷基和芳基取代基的有机锡化合物的简易方法。这些化合物可用作合成某些经烷胺基‑和烷氧基‑取代的烷基锡化合物的中间体，所述烷基锡化合物转而可用作在用于微电子装置制造的例如极端紫外光(EUV)光刻技术中沉积高纯度氧化锡膜...

本发明提供了适用于抛光通常存在于微电子器件上的含过渡金属表面的组合物。在一个方面中，本发明提供了一种组合物，其包括：液体载剂；二氧化钛磨料粒子，其中所述粒子至少部分经氧化铝或非晶硅石涂覆以提供经涂覆的二氧化钛磨料粒子；其中所述经涂覆的二...

在一种晶片容器中，扩散器经定位使得其更靠近所述晶片容器的中心线。此改进所述晶片容器内的清洁气体的分布。所述扩散器能够经定位使得其的位置对应于后壁的凹入中心面板。所述扩散器能够经定位使得所述扩散器之间相对于容纳于所述晶片容器内的晶片的中心...

本发明提供用于抛光例如具有大于约6的莫氏硬度的硬质材料的硬质材料的经改进浆液。示范性硬质表面包含蓝宝石、碳化硅、氮化硅及氮化镓及金刚石。在本发明的组合物及方法中，令人惊讶地发现包括添加剂的唯一组合的新颖组合物在浆液中均匀地分散具有广泛范...

一种设备包含光罩盒。所述光罩盒包含具有第一表面的基座板、具有第二表面的盖及至少一个层。所述第一表面包含第一配合表面。所述第二表面包含第二配合表面。所述至少一个层经接合到所述第一配合表面的至少一部分及所述第二配合表面的至少一部分中的一或多...

一种无菌低温耦合组合件包含第一连接器、第二连接器，及经安置于第一或第二连接器中的垫圈。所述第一及第二连接器包含经配置以将所述第一及第二连接器耦合在一起且对准所述第一及第二连接器中的开口的第一保持特征及第二保持特征。所述垫圈经形成以在被冷...

本公开涉及一种过滤器滤筒和一种用于过滤器滤筒中的过滤器部件的端盖。所述过滤器滤筒包含：外壳；过滤器部件，其安置在所述外壳内；和端盖，其安置在所述外壳内，位于所述过滤器部件与所述外壳之间。所述外壳包含具有入口的第一末端、与所述第一末端相对...

本发明涉及用于选择性湿式蚀刻含有氮化硅(SiN)和多晶硅两者的微电子装置表面的组合物和方法。如所描述的蚀刻组合物包含磷酸、某些多晶硅腐蚀抑制剂以及某些硅烷。发现所述两种组分的组合可极大地改进所述氮化硅蚀刻组合物在多晶硅存在下的选择性。

本发明提供一种在气相沉积条件下使高度保形的含钼或钨膜快速沉积至微电子装置衬底上的方法。在本发明的实践中，进行第一成核步骤，同时使用比反应区中通常使用的金属前体浓度总体上更低的金属前体浓度。此较低金属前体浓度的使用可通过调节安瓿(容纳所述...

一种半导体衬底携载容器，其包含延伸穿过底壁的一或多个扩大清洗端口。所述清洗端口允许将清洗流体调节元件插入所述容器的内部空间，其方法是通过从所述容器外部穿过所述清洗端口来安装所述清洗流体调节元件。所述清洗端口经设定大小及定位以使得所述容器...

提供适用于在半导体装置制造中形成含硅膜的某些硅前体化合物，且更具体来说提供用于形成此类含硅膜、如包含二氧化硅的膜的组合物和方法。

用于晶片容器的衬垫包含密封主体及保持突起。所述保持突起包含从所述密封主体延伸的保持段、从所述保持段延伸的压缩释放段及安置于所述压缩释放段的一端处的凸边。所述压缩释放段具有小于所述保持段的横截面宽度的横截面宽度。所述凸边具有包含具有大于所...

本发明涉及在氧化硅、多晶硅和/或金属硅化物存在下以高蚀刻速率及高选择性对氮化硅进行选择性蚀刻的组合物及方法。描述可在不同的溶解二氧化硅负载窗使用以提供并保持高选择性蚀刻速率及选择性的添加剂。

一种用于在原子层沉积(ALD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺或这两者中使用的固体前体材料的递送系统的安瓿的托盘。所述托盘经配置为当被压缩时能够具有减少的轮廓大小以增强所述托盘可插入到所述安瓿中的简易性，且所述托盘经配置以扩展大小以与所...

本公开提供一种用于产生含金属膜的模块，其包括反应器腔室；用于向所述反应器腔室提供有机金属前体的入口；和用于提供反应性气态物种以与所述有机金属前体反应形成含金属膜的入口。所述反应性气态物种包括具有三个至五个价电子的元素以及一个或多个选自氢...

本发明提供经改良的浆料组合物，其适用于玻璃和其它电介质材料的CMP研磨。在一个方面中，本发明的组合物包含水、二氧化硅磨料、阳离子表面活性剂和二氧化铈磨料。所述组合物实现高移除速率且同时限制在单独使用二氧化铈时通常观察到的划痕数。

本发明提供可用于清洁微电子装置结构的组合物

本申请涉及氮化硅的选择性沉积

本申请涉及非对称聚合物多孔滤膜及相关方法

本发明提供一种用于将氮化钛硅