【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将含钼或钨材料气相沉积至微电子衬底上。
技术介绍
1、钼和钨由于其极高熔点、低热膨胀系数、低电阻率和高热导率的特征而渐增地用于制造半导体装置中，包括用于扩散掩模、电极、光罩、电力电子衬底、低电阻率栅极和互连件。
2、此类效用已激励人们努力实现用于此类应用的钼和钨膜的沉积，所述应用的特征在于沉积膜的高保形性和高沉积速率以适应高效大批量制造操作。这转而促使人们努力开发适用于气相沉积操作的改进的钼和钨源试剂，以及利用此类试剂的改进的工艺参数。此外，在钼沉积至某些衬底，例如金属、金属氮化物、介电材料(氧化物)、半导体和超导体上时常常遇到困难，因为沉积延迟可常与在所需逐层沉积之前在衬底表面上建立晶核的困难相关。随着沉积温度降低，整体沉积速率通常降低且对各种衬底表面的敏感性通常更明显。
3、仍需要实现以更高沉积速率沉积含钼和钨材料以适应高效大批量制造操作。
技术实现思路
1、在某些实施例中，本专利技术提供一种在气相沉积条件下、在降低的温度(即低于约400℃)下将高度保形、含金属(例如含钼和含钨的膜)快速沉积至微电子装置上的方法，从而使沉积方法能够用于包括逻辑装置制造的更广泛范围的整合方案中。在本专利技术的实践中，进行第一成核步骤，同时使用比反应区中通常存在的金属前体浓度总体上更低的金属前体浓度。此较低浓度的使用可通过调节安瓿(容纳前体)的温度、前体的浓度、反应区中的压力和脉冲的持续时间来实现。以此方式，使用总体上较低的浓度以形成大于或等于约3埃或至多约9、
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1.一种用于将含钼或钨膜气相沉积至表面上的方法，其包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一前体浓度为所述第二前体浓度的约10％至约50％。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述表面选自氮化物、氧化物、金属、半导体和超导体。
4.一种在反应区中将含钼或钨膜气相沉积至微电子装置的表面上的方法，所述反应区在约1托至约1000托的压力和约300℃至约1000℃的温度下操作；其中所述表面选自氮化物、氧化物、金属、半导体和超导体，所述方法包含：
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述前体选自WCl6、WCl5、WOCl4、MoO2Cl2、MoCl5和MoOCl4。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述前体为MoO2Cl2。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述反应区中的所述压力为约20托至约200托。
8.根据权利要求4所述的方法，其中所述前体的所述第一浓度为约20ppm至约500ppm。
9.根据权利要求4所述的方法，其中所述反应区中的所述温度为约350℃至500℃。
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