【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上是关于用于研磨玻璃和其它电介质表面的经改良的组合物和方法。
技术介绍
1、微电子器件晶片是用于形成集成电路。所述微电子器件晶片包含诸如硅的衬底，在衬底中区域图案化以沉积具有绝缘、导电或半导电性质的不同材料。
2、除微电子器件之外，也使用材料诸如玻璃和其它电介质材料作为计算机、智能手机和其它电子器件的光学透明屏幕。
3、为获得正确图案化，必须移除用于在衬底上形成层的过量材料。此外，为制造功能性且可靠的电路，在后续处理前制备一个平整或平坦微电子晶片表面通常为重要的。因此，有必要平坦化和/或研磨微电子器件晶片的某些表面。另外，对于光学器件，可有必要平滑所述表面用以光传输或移除次表面损坏。
4、化学机械研磨或平坦化(“cmp”)是一种从微电子器件晶片的表面移除材料，且通过结合物理过程诸如磨损与化学过程诸如氧化或螯合使所述表面平坦化和研磨的过程。在其最基本形式中，cmp涉及将浆料(例如磨料和活性化学物的溶液)涂敷到研磨垫以研磨微电子器件晶片的表面，以达成移除、平坦化和研磨过程。通常不希望所述移除或研磨过程包含纯物理或纯化学作用，而是希望两者的协同组合以达成快速、均匀的移除。在集成电路的制造中，所述cmp浆料也应能够优先移除包括金属和其它材料的复合层的膜，从而可生产高度平坦表面用于后续光蚀刻法、图案化、蚀刻和薄膜加工。在常规cmp操作中，衬底载体或研磨头是安装在载体组合件上且与cmp装置中的研磨垫接触放置。所述载体组合件对所述衬底提供可控压力，将所述衬底压在所述研磨垫上。所述垫是相对于所述
5、用于研磨电介质材料诸如玻璃、二氧化硅和二氧化硅-氮化硅结构的工业标准磨料是二氧化铈(ceo2)。二氧化铈一般表现与待研磨的表面的高反应性，这导致相对高移除速率。然而，二氧化铈趋于导致这些衬底上的不良表面光制，因为一般会形成不可接受的深划痕，导致最终表面区域具有高缺陷。因此，需要经改良的磨料和含有这些磨料的浆料用于研磨电介质材料(诸如玻璃)。
技术实现思路
1、总之，本专利技术提供适用于电介质材料的cmp研磨的经改良的浆料组合物。在一个实施例中，所述电介质材料是玻璃。在一个方面中，本专利技术的组合物包含水；二氧化硅磨料，其任选地经用成核剂处理所得的涂层修饰；然后是过化合物(per-compound)；和阳离子表面活性剂。这些组合物可用作添加到常规二氧化铈浆料组合物中的性能增强添加剂，从而形成本专利技术的组合物。因此，本专利技术提供浆料组合物，其实现高移除速率且同时限制在单独使用二氧化铈浆料时通常观察到的缺陷水平。
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1.一种组合物，其包括：
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述二氧化硅磨料经胶体金属氧化物至少部分涂覆。
3.根据权利要求2所述的组合物，其中所述胶体金属氧化物涂层是由用成核剂和过化合物处理所述二氧化硅所得的涂层。
4.根据权利要求2所述的组合物，其中所述金属氧化物是氧化锰。
5.根据权利要求3所述的组合物，其中所述成核剂具有下式
6.根据权利要求3所述的组合物，其中所述成核剂是选自2-(双-2-羟乙基)氨基)乙酸和N-(2-羟基-1,1-双(羟甲基)乙基)甘氨酸。
7.根据权利要求3所述的组合物，其中所述过化合物是选自过锰酸钾、过锰酸钠、过氧硼酸钾、过氧铬酸钾、过氧二硫酸钾和过铼酸钾或其混合物。
8.根据权利要求1所述的组合物，其中所述阳离子表面活性剂是选自C6-C18卤化铵。
9.根据权利要求1所述的组合物，其中所述阳离子表面活性剂是选自C12-C18卤化铵。
10.根据权利要求1所述的组合物，其中所述阳离子表面活性剂是选自十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基氯化铵
11.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括一种或多种选自阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂的表面活性剂。
12.一种用于化学机械研磨包含含有电介质材料的表面的衬底的方法，所述方法包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述二氧化硅磨料经胶体金属氧化物至少部分涂覆。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属氧化物是氧化锰。
15.根据权利要求12所述的方法，其中所述阳离子表面活性剂是选自C12-C18卤化铵。
16.根据权利要求12所述的方法，其中所述阳离子表面活性剂是选自十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基氯化铵和苯扎氯铵。
17.根据权利要求12所述的方法，其中所述电介质表面是选自玻璃、正硅酸四乙酯、氟化硅玻璃、掺碳硅玻璃、玻璃陶瓷、硅酸锆、钛酸钡、氮化硅、氧氮化硅和掺碳氧化硅。
18.根据权利要求12所述的方法，其中所述电介质表面是玻璃。
19.一种试剂盒，其在一个或多个容器中包含选自根据权利要求1所述的组分a.、b.、c.和d.的组分。
20.根据权利要求19所述的试剂盒，其中b.是二氧化硅，c.是选自十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基氯化铵和苯扎氯铵的阳离子表面活性剂。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种组合物，其包括：
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述二氧化硅磨料经胶体金属氧化物至少部分涂覆。
3.根据权利要求2所述的组合物，其中所述胶体金属氧化物涂层是由用成核剂和过化合物处理所述二氧化硅所得的涂层。
4.根据权利要求2所述的组合物，其中所述金属氧化物是氧化锰。
5.根据权利要求3所述的组合物，其中所述成核剂具有下式
6.根据权利要求3所述的组合物，其中所述成核剂是选自2-(双-2-羟乙基)氨基)乙酸和n-(2-羟基-1,1-双(羟甲基)乙基)甘氨酸。
7.根据权利要求3所述的组合物，其中所述过化合物是选自过锰酸钾、过锰酸钠、过氧硼酸钾、过氧铬酸钾、过氧二硫酸钾和过铼酸钾或其混合物。
8.根据权利要求1所述的组合物，其中所述阳离子表面活性剂是选自c6-c18卤化铵。
9.根据权利要求1所述的组合物，其中所述阳离子表面活性剂是选自c12-c18卤化铵。
10.根据权利要求1所述的组合物，其中所述阳离子表面活性剂是选自十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基氯化铵和苯扎氯铵。
11.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·拉乔帕德耶，R·K·辛格，S·德，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：
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