【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开大体上涉及半导体制造工艺和与其相关的模块。确切地说，本公开涉及可光图案化含金属膜的形成，其可充当极紫外(euv)光刻工艺的光阻(pr)。本公开进一步涉及含有pr残余物的半导体结构。
技术介绍
1、可靠地生产纳米构件为半导体制造的关键要求之一。随着集成电路(ic)技术的持续小型化，电路构件的大小和间距的尺寸已对处理能力提出另外需求。先进半导体集成电路(ic)和其它装置上的构件的比例调整正推动光刻技术以改进分辨率。
2、euv光刻可将光刻技术扩展到其光学极限以外，其倾向于运用当前光刻方法可实现的较小成像源波长，以图案化较小关键尺寸构件。在euv光刻中，通过将光子从光子源发射到掩模上并将图案印到感光pr上而印刷图案，借此在pr中引起化学反应，在显影之后，去除pr的某些部分以形成图案。
3、常规光刻技术利用基于聚合物的化学放大型抗蚀剂(car)，即所谓的湿式pr，其通常借助于典型的旋涂式涂覆工艺图案化。car可用作辐射图案化抗蚀剂以使得辐射图案用于改变与图案相对应的car的化学结构。由于car的量子效率较低，因此应在euv光刻中使用厚car以吸收足够的euv光用于引发化学反应。厚car已经不再满足对如3nm(n3)、2nm(n2)节点或更高的先进技术节点的需求，由于电路的尺寸减小，所述节点需要薄pr。car的替代物为可直接光图案化的含金属氧化物的膜(所谓的干式pr)。与car相比，可直接光图案化的含金属氧化物的膜通常具有改进的euv量子效率，使其成为取代car的有前景的候选者。然而，使用可直接光图案化的含金
4、存在对具有高euv量子效率的新颖干式pr的迫切需要，使得其可用厚度不仅满足对先进技术节点的需求并且也降低ic制造成本。
技术实现思路
1、以下展现本公开的基本构件的简化概述，以便提供对其一些方面的基本理解。
2、本公开人出乎意料地发现根据本公开的含金属膜展示显著改进的euv量子效率。因此，在相同透镜(ttl)条件下，euv辐射的曝光剂量可在很大程度上减少，因此根据本公开的含金属膜特别适用于具有极低euv辐射剂量的光刻技术。
3、在一些实施例中，本公开提供一种用于制造含金属膜的模块。所述模块包括反应器腔室；用于向所述反应器腔室提供有机金属前体的入口；和用于提供反应性气态物种的入口，以与所述有机金属前体反应形成含金属膜。所述反应性气态物种包括具有三个至五个价电子的元素以及一个或多个选自氢、c1-c3烷基和c1-c3烷氧基的基团。
4、在一些实施例中，本公开提供一种制造含金属膜的方法。所述方法包括以下操作：通过使有机金属前体与反应性气态物种反应产生含金属膜。所述反应性气态物种包括具有三个至五个价电子的元素以及一个或多个选自氢、c1-c3烷基和c1-c3烷氧基的基团。
5、在一些实施例中，本公开提供含有已经历显影工艺的含金属膜的残余物的半导体结构。所述半导体结构包括衬底、所述衬底上的一个或多个构件和所述含金属膜的残余物。
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1.一种模块，其包含
2.根据权利要求1所述的模块，其中所述含金属膜为极紫外(EUV)光阻。
3.根据权利要求1所述的模块，其中具有三个至五个价电子的所述元素选自IIIA族元素、IVA族元素和VA族元素。
4.根据权利要求1所述的模块，其中具有三个至五个价电子的所述元素为B、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、N、P、As或Sb。
5.根据权利要求1所述的模块，其中所述基团为H、CH3或OCH3。
6.根据权利要求1所述的模块，其中所述反应性气态物种为B2H6、CH4、SiH4、GeH4、SnH4、NH3、PH3、AsH3或SbH3。
7.根据权利要求1所述的模块，其中所述有机金属前体具有下式：M(R1)w(R2)x(R3)y(R4)Z，其中
8.根据权利要求7所述的模块，其中M为Ti、Zn、Zr、Ru、Sn、Sb或Hf。
9.根据权利要求7所述的模块，其中所述有机金属前体为Ti(CH3)4、TiCl(CH3)3、TiCl2(CH3)2、TiCl3CH3、ZnClCH3、Zn(CH
10.一种半导体结构，其包含
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一金属元素由两个或更多个具有三个至五个价电子的所述元素围绕。
12.根据权利要求10所述的半导体结构，其中具有三个至五个价电子的所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种模块，其包含
2.根据权利要求1所述的模块，其中所述含金属膜为极紫外(euv)光阻。
3.根据权利要求1所述的模块，其中具有三个至五个价电子的所述元素选自iiia族元素、iva族元素和va族元素。
4.根据权利要求1所述的模块，其中具有三个至五个价电子的所述元素为b、al、ga、in、c、si、ge、sn、n、p、as或sb。
5.根据权利要求1所述的模块，其中所述基团为h、ch3或och3。
6.根据权利要求1所述的模块，其中所述反应性气态物种为b2h6、ch4、sih4、geh4、snh4、nh3、ph3、ash3或sbh3。
7.根据权利要求1所述的模块，其中所述有机金属前体具有下式：m(r1)w(r2)x(r3)y(r4)z，其中
8.根据权利要求7所述的模块，其中m为ti、zn、zr、ru、sn、sb或hf。
9.根据权利要求7所述的模块，其中所述有机金属前体为ti(ch3)4、ticl(ch3)3、ticl2(ch3)2、ticl3ch3、znclch3、zn(ch3)2、zr(ch3)4、zrcl(ch3)3、zrcl2(ch3)2、zrcl3ch3、ru(ch3)4、rucl(ch3)3、rucl2(ch3)2、rucl3ch3、sn(ch3)4、sncl(ch3)3、sncl2(ch3)2、sncl3ch3、sbcl(ch3)2、sbcl2ch3、sb(ch3)3、hf(ch3)4、hfcl(ch3)3、hfcl2(ch3)2、hfcl3ch3、ti(och3)4、ticl(och3)3、ticl2(och3)2、ticl3och3、zncloch3、zn(och3)2、zr(och3)4、zrcl(och3)3、zrcl2(och3)2、zrcl3och3、ru(och3)4、rucl(och3)3、rucl2(och3)2、rucl3och3、sn(och3)4、sncl(och3)3、sncl2(och3)2、sncl3och3、sbcl(och3)2、sbcl2och3、sb(och3)3、hf(och3)4、hfcl(och3)3、hfcl2(och3)2、hfcl3och3、ti(nh2)4、ticl(nh2)3、ticl2(nh2)2、ticl3nh2、znclnh2、zn(nh2)2、zr(nh2)4、zrcl(nh2)3、zrcl2(nh2)2、zrcl3nh2、ru(nh2)4、rucl(nh2)3、rucl2(nh2)2、rucl3nh2、sn(nh2)4、sncl(nh2)3、sncl2(nh2)2、sncl3nh2、sbcl(nh2)2、sbcl2nh2、sb(nh2)3、hf(nh2)4、hfcl(nh2)3、hfcl2(nh2)2、hfcl3nh2、ti(nhch3)4、ticl(nhch3)3、ticl2(nhch3)2、ticl3nhch3、znclnhch3、zn(nhch3)2、zr(nhch3)4、zrcl(nhch3)3、zrcl2(nhch3)2、zrcl3nhch3、ru(nhch3)4、rucl(nhch3)3、rucl2(nhch3)2、rucl3nhch3、sn(nhch3)4、sncl(nhch3)3、sncl2(nhch3)2、sncl3nhch3、sbcl(nhch3)2、sbcl2nhch3、sb(nhch3)3、hf(nhch3)4、hfcl(nhch3)3、hfcl2(nhch3)2、hfcl3nhch3、ti[n(ch3)2]4、ticl[n(ch3)2]3、ticl2[n(ch3)2]2、ticl3n(ch3)2、zncln(ch3)2、zn[n(ch3)2]2、zr[n(ch3)2]4、zrcl[n(ch3)2]3、zrcl2[n(ch3)2]2、zrcl3n(ch3)2、ru[n(ch3)2]4、rucl[n(ch3)2]3、rucl2[n(ch3)2]2、rucl3n(ch3)2、sn[n(ch3)2]4、sncl[n(ch3)2]3、sncl2[n(ch3)2]2、sncl3n(ch3)2、sbcl[n(ch3)2]2、sbcl2n(ch3)2、sb[n(ch3)2]3、hf[n(ch3)2]4、hfcl[n(ch3)2]3、hfcl2[n(ch3)2]2或hfcl3n(ch3)2。
10.一种半导体结构，其包含
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一金属元素由两个或更多个具有三个至五个价电子的所述元素围绕。
12.根据权利要求10所述的半导体结构，其中具有三个至五个价电子的所述元素与具有2至4价数的第三过渡元素化学键结。
13.根据权利要求10所述的半导体结构，其中具有三个至五个价电子的所述元素选自iiia族的元素、iva族的元素和va族的元素。
14.根据权利要求10所述的半导体结构，其中具有三个至五个价电子的所述元素为b、al、ga、in、c、si、ge、sn、n、p、as或sb。
15.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一金属元素为ti、zn、zr、ru、sn、sb或hf。
16.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第二金属元素为ti、zn、zr、ru、sn、sb或hf。...
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