本发明提出了一种功率器件的制备方法和一种功率器件，其中，所述制备方法包括：在制备有二极管和功率单元的氧化层保护层上形成光阻层；去除所述功率单元的有源区的所述氧化层保护层上的所述光阻层，并保留所述二极管的静电防护区的所述氧化层保护层上的所...

本发明公开了一种超结MOSFET结构及其制备方法，采用深槽刻蚀技术，避免了传统工艺中多次光刻、离子注入以及外延生长等复杂工艺，有效降低了制造成本，且通过在超结MOSFET中生长厚氧区，在保证导通电阻的同时有效提高了器件的击穿电压。

本发明公开了一种VDMOS器件的制作方法，包括：在第一导电类型的衬底上形成第一导电类型的外延层；在所述外延层对应有源区的部分形成第一氧化层；进行第一导电类型离子的第一次注入，在所述有源区对应的外延层内形成第一注入区；去除所述第一氧化层，...

本发明公开了一种二甲胺废水回收处理方法。将工业生产中的二甲胺废水进行精馏操作，得到质量百分含量为5％～50％的二甲胺水溶液，然后将二甲胺水溶液与单氰胺在硫酸存在下发生加成反应，得到硫酸二甲胍盐。该方法实现了二甲胺废水的回收利用，解决了农...

本发明提供了一种平面型VDMOS的制造方法。该方法包括：在硅基底上生长栅氧化层；在栅氧化层上沉积N型多晶硅层；在N型多晶硅层上沉积氮化硅层；去除栅氧化层上方左右两端的N型多晶硅层和氮化硅层；在硅基底中形成平面型VDMOS的体区和源区；在...

本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法，包括：在衬底上依次制作外延层、栅氧化层和多晶栅极；对位于相邻的所述多晶栅极之间的所述外延层进行第一次注入形成轻掺杂体区；在所述轻掺杂体区内形成源区注入区，所述源区注入区内的元素具有大原子比重大...

本发明提出了一种功率器件的制备方法及功率器件，其中，制备方法包括：在制备有外延层的基底上依次形成下沉区、场氧化层和栅氧化层；在场氧化层上依次形成防静电二极管单元的N型基区和功率单元的硅栅结构；在形成N型基区后，依次形成体区、漂移区、漏区...

本发明提供一种VDMOS器件的制作方法，包括：在基底上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，进行离子注入，形成高浓度的JFET的沟道区；在所述JFET的沟道区上形成氧化层；在所述氧化层上形成栅极；去除所述掩膜层；以所述栅极为掩膜，进行离子注入...

本发明提供一种终端结构制造方法，包括：在外延层表面上形成多个环形阻挡层；进行第一次离子注入并驱入，形成第一漂移区、以及位于相邻第一漂移区之间的场限环；去除所述环形阻挡层；在器件表面形成光刻胶，去除位于预先定义的源区上方和位于所述第一漂移...

本发明提出了一种金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件，其中，所述制备方法包括：在制备有金属氧化物功率单元的衬底的预留区域上形成电容的介电层，用于形成所述电容和所述金属氧化物功率单元的一侧作为所述衬底的正侧；在所述衬底的正侧形成所述金属...

本发明涉及一种MPS二极管及其制造方法，所述MPS二极管包括：衬底，依次设置在所述衬底上的外延层和金属层，所述二极管还包括：埋置在所述外延层内部并与所述金属层接触的多个离子注入区，所述离子注入区通过在所述外延层中注入掺杂离子形成，所述离...

本发明提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，该方法包括：提供基底，定义下沉区，并进行离子注入和驱入；定义有源区，并在有源区以外的区域生长场氧化层；在外延层的表面上依次生长栅氧化层、第一多晶硅层和第一氮化硅层，并形成栅极；...

本发明提供一种超结恒流二极管的制备方法，包括：在半导体硅基底的表面上形成氧化层和氧化层窗口；通过氧化层窗口对硅基底进行干法刻蚀，在硅基底的表面上形成第一沟槽；在氧化层窗口的侧壁和第一沟槽的侧壁上形成氮化硅侧墙；通过第一沟槽对硅基底进行干...

本发明公开了一种功率器件分压结构及其制作方法，包括：在衬底上通过外延生长形成具有第一导电类型的外延层；在所述外延层上设置第一掩膜层，刻蚀所述第一掩膜层，形成第一阻挡墙和第一注入区窗口；进行第一次第二导电类型离子注入，在所述第一注入区窗口...

本发明提供一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管，方法包括：在基底上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，形成沟槽，所述沟槽的底部的宽度小于所述沟槽的顶部的宽度，所述沟槽具有倾斜侧壁。本发明提供的肖特基二极管的制作方法及...

本发明提供了一种选择性氧化层的制备方法、选择性氧化层和集成电路，其中，选择性氧化层的制备方法包括：在依次形成第一氧化层和图形化的第一氮化层的硅衬底上，形成第一场氧化层；以所述第一氮化层为掩膜，对所述第一氧化层进行刻蚀至暴露所述硅衬底为止...

本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件包括划片道区与多个芯片区，划片道区用于分隔多个芯片区，每个芯片区包括截止环区，截止环区邻接划片道区，截止环区上覆盖有金属层，金属层的一部分设置在划片道区上。本发明打破不在划片道内...

本发明提供一种CMOS器件的制作方法，包括：在基底的场氧化层上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的侧壁上形成侧墙，侧墙背离栅极的一边呈弧形，且侧墙的底部大于侧墙的顶部；在基底、第一多晶硅层和侧墙上形成介电材料层；在介电材料层上形成第二多晶...

本发明公开了一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，其中VDMOS器件包括：基底、凹槽、体区，其中，凹槽形成基底内，体区形成在基底内，体区与凹槽相邻，体区包括第一子区部和第二子区部，第二子区部的深度大于第一子区部的深度第一子区部贴...

本发明提供一种肖特基器件制作方法及肖特基器件，其中方法包括：在衬底上形成外延层，在所述外延层中开设沟槽；在所述沟槽中形成栅氧层以及多晶硅；对所述外延层的顶部进行离子注入，形成体区和位于所述体区上方的源区；制作表面金属层，其中，所述表面金...