本发明提出了一种信息识别方法和一种信息识别系统，其中，所述信息识别方法包括：通过特征词获取模块获取所述当前数据的特征词；通过关键词关联模块在关键词数据库中确定与所述特征词相关联的关键词；通过变异词确定模块确定所述关键词的多个变异词；通过...

本发明提供一种MOSFET器件的制作方法，包括：在基底中形成深槽，所述基底包括自下而上依次包括第一导电类型的衬底、第一导电类型的第一结构层、第二导电类型的第二结构层；在所述深槽的侧壁形成氧化层；在所述深槽中形成第二导电类型的第三结构层，...

本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管，其中，所述制备方法包括：在对所述第一类离子区域进行驱入处理的过程中，形成第一介质层，以完成所述结型场效应管的制备；在判定所述第一介质层的厚度处于预设厚度范围后，对待制备的分压环进行光...

本发明公开了一种功率器件结构及其制作方法，包括依次设置的衬底、第一导电类型的外延层和第二导电类型的延伸区；所述外延层内具有重掺杂第二导电类型的主结区和具有第一导电类型的截止环，所述延伸区位于所述主结区与所述截止环之间，所述延伸区与所述主...

本发明提供一种点对点即时通信方法，包括：目标用户客户端接收服务器发送的包括序号的通信消息，并将该通信消息的序号添加到已接收通信消息序号列表中；根据目标用户的在线状态和已接收通信消息的序号的连续状况，在确定存在待重发通信消息时，向服务器发...

本发明公开了超结结构及其刻蚀方法及具有超结结构的场效应晶体管，本发明中，用多晶硅代替超结结构中插入外延层中的P柱或N柱，在外延层与多晶硅之间制备一定厚度的氧化层，并且氧化层厚度随沟槽深度增大而增大，沟槽内填充多晶硅，多晶硅和栅极短接，由...

本发明公开一种结终端扩展结构及该结构的制造方法，所涉及的结终端扩展结构较现有的结终端扩展结构的抗击穿能力更强。所述结构包括：P型注入区域；其中，所述P型注入区域包括P-注入区域和至少2个P+注入区域，所述P+注入区域和所述P-注入区域接...

本发明公开了一种半导体流程菜单的自动生成装置及方法，该方法包括：接收用户选择的半导体产品的工艺流程的指令；根据所述指令向用户发送输入所述工艺流程预设参数的对话框；接收用户在对话框中输入的预设参数，生成并保存与所述预设参数相对应的工艺流程...

本发明提供一种电子报抓取方法和装置，电子报抓取装置在收到抓取请求后，首先根据待抓取电子报的标识获取待抓取电子报的总览页源码，对总览页源码进行分析抓取电子报的叠信息及版面列表，再对版面列表中各个版面的源码进行分析抓取电子报的版面信息，再通...

本发明公开了一种结终端延伸结构及其制作方法，包括：第一导电类型的集电区；位于所述集电区上的第二导电类型的漂移区；所述漂移区内的第一区域具有第一导电类型的主结区以及与所述主结区相通的具有第一导电类型的延伸区，漂移区内的第二区域具有第二导电...

本发明涉及一种超结功率器件及其制造方法，所述超结功率器件包括有源区、分压区域、截止环区域和划片道区域，所述分压区域设置于所述有源区的外围，所述截止环区域设置于所述有源区的外围，所述划片道区域设置于所述截止环区域的外围，所述分压区域内形成...

本发明提供了一种基于信号量的线程池共享方法，包括：当接收到包括线程池标识的功能请求后，判断系统的所有线程池中是否存在请求队列为空的线程池；所述功能请求包括线程池标识；若存在请求队列为空的线程池，则利用所述线程池执行所述功能请求的任务；若...

本发明公开了一种带埋层沟槽功率器件及其制作方法，其中，制作方法包括：在形成有第一外延层和第二外延层的衬底上形成第一氧化层，第二外延层位于第一外延层上方；对第一氧化层、第二外延层及第一外延层进行刻蚀形成贯穿第一氧化层、第二外延层的底部位于...

本发明实施例提供一种调节平面VDMOS开启电压的方法。该方法包括：在N型外延层的表面上依次生长栅氧化层和多晶硅层；对多晶硅层中的预设区域进行刻蚀形成多晶硅栅极；沿着预设区域向N型外延层注入P型离子形成体区；通过光刻处理在多晶硅栅极的两端...

本发明提供一种平面型VDMOS的制作方法，该方法包括：在外延层的表面上生长一层薄氧化层；通过光刻和刻蚀工艺定义环区，刻蚀的深度小于所述薄氧化层的厚度，并在环区表面的薄氧化层下方做离子注入；环区离子驱入，形成位于环区下方的外延层表面内的第...

本发明实施例提供一种降低沟槽型VDMOS的导通电阻的方法。该方法包括：在N型浓衬底的N型外延层中形成沟槽；在包括沟槽的N型外延层的表面生长栅氧化层，并在栅氧化层上沉积多晶硅，多晶硅填满沟槽；保留沟槽中距离沟槽底部第一预定距离的多晶硅，第...

本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种超结半导体器件的外延片及其制作方法，包括：依次设置的衬底和漂移区，所述衬底由第一导电类型外延层形成，所述漂移区由第一导电类型的半导体单晶片形成；所述漂移区内包括间隔设置的第二导电类型掺杂柱，所述第二...

本实用新型涉及一种变压器散热装置，包括每一所述变压器本体对应的两台散热风机，以及每一散热风机相连的一风管；两台散热风机对称设置于所述变压器本体两侧的、所述防护壳体的内侧壁上，且散热风机的出风口朝向所述防护壳体内部；每一所述风管的入风口均...

本发明提供一种粒子群服务选择方法和系统，所述方法包括：构建云服务组合模型；根据所述云服务组合模型进行云服务的服务质量属性计算；基于所述云服务组合模型和所计算的服务质量进行粒子群服务选择，获取优化的服务组合。本发明能够快速、高效地从众多的...

本发明公开了一种无线传感网安全评价方法及装置，该方法主要包括：建立无线传感网安全指标体系，记录所述无线传感网安全指标体系的第一指标层的正常运行指标值和被攻击时的攻击指标值；根据所述第一指标层的正常运行指标值、所述攻击指标和隶属度函数，确...