北大方正集团有限公司专利技术

北大方正集团有限公司共有3991项专利

  • 一种沟槽型功率器件及其制作方法
    本发明公开了一种沟槽型功率器件及其制作方法,该制作方法包括:在衬底上形成N型外延层,并对N型外延层进行刻蚀形成沟槽;在沟槽内注入P型离子形成深P型注入区域,并在沟槽内填充绝缘介质;在N型外延层表面非沟槽区域交替注入P型离子和N型离子,形...
  • 高频晶体管
    本发明提出了一种高频晶体管,包括:多个并行的发射区窗口;多个并行的发射极金属,多个所述发射极金属中的每个所述发射极金属均覆盖在多个所述发射区窗口中的每个所述发射区窗口的上方,其中,多个所述发射极金属中的第一个发射极金属和最后一个发射极金...
  • 一种对布线后晶圆进行合金化处理的方法
    本发明提供一种对布线后晶圆进行合金化处理的方法,该方法包括:将布线后的晶圆置于一腔体内,向腔体内连续通入用于载气的氮气,并将腔体温度升温至第一预设温度;保持第一预设温度,向腔体内以预设流量通入一含有预设比例氢气的混合气体并持续第一预设时...
  • 一种超结功率器件和制造方法
    本发明涉及一种超结功率器件及其制造方法,所述超结功率器件包括有源区、分压区域、截止环区域和划片道区域,所述分压区域设置于所述有源区的外围,所述截止环区域设置于所述有源区的外围,所述划片道区域设置于所述截止环区域的外围,所述分压区域包括多...
  • 即时通信的离线通信方法及装置
    本发明实施例提供一种即时通信的离线通信方法及装置。该方法包括:用户端记录各接收消息的标识号,标识号为连续的标识号;用户端依据标识号获得最近接收消息的标识号和/或间断的标识号;用户端将最近接收消息的标识号发送给服务器,以使服务器返回离线消...
  • MOSFET器件的制作方法
    本发明提供一种MOSFET器件的制作方法,其特征在于,包括:在基底上形成掩膜层;以掩膜层为掩膜,对基底进行刻蚀,同时形成第一沟槽和第二沟槽;在第一沟槽中形成第一填充层,且在第一填充层上形成遮挡层;以遮挡层和掩膜层为掩膜,对第二沟槽进行刻...
  • 一种稳压二极管及其制作方法
    本发明提供一种稳压二极管,包括:第一导电类型的衬底,设置于所述衬底表层的第二导电类型的第一掺杂区,在所述衬底上依次设置的第一氧化层、第二氧化层,以及设置于所述第一掺杂区中有源区的第一导电类型的第二掺杂区和第二导电类型的第三掺杂区;所述第...
  • 结终端延伸结构及其制作方法
    本发明公开了一种结终端延伸结构及其制作方法,包括:第一导电类型的集电区;位于所述集电区上的第二导电类型的漂移区,所述漂移区内具有第一导电类型的主结区、与所述主结区相连通的第一导电类型的延伸区、第二导电类型的截止环,所述延伸区与所述截止环...
  • 油墨预置曲线的确定方法和油墨预置曲线的确定装置
    本发明提出了一种油墨预置曲线的确定方法和一种油墨预置曲线的确定装置,其中,方法包括:获取印刷机的印版上的多个墨区中的每个墨区的每种色墨的油墨覆盖率和与油墨覆盖率相对应的墨键值;根据每个墨区的每种色墨的油墨覆盖率和墨键值,确定与墨键值相对...
  • 字帖推荐方法和字帖推荐系统
    本发明提出了一种字帖推荐方法和一种字帖推荐系统,所述字帖推荐方法包括:根据接收到的字帖推荐命令,获取每份字帖的属性信息;根据所述每份字帖的属性信息,确定所述每份字帖所属的字帖类别,并统计所述每份字帖的使用频率信息;根据所述每份字帖的使用...
  • 一种硅晶片形成牺牲氧化层的方法
    本发明公开了一种硅晶片形成牺牲氧化层的方法,包括:对清洗后的硅晶片进行第一退火处理;对第一退火处理后的硅晶片进行第二退火处理,形成氧化硅层结构;对氧化硅层结构进行热氧化处理,形成牺牲氧化层结构,得到具有牺牲氧化层的硅晶片。该方法通过对硅...
  • 一种稿件的多平台发布方法及系统
    本发明提供一种稿件的多平台发布方法,包括:当接收到生成稿件的消息时,从所述生成稿件的消息中解析获得稿件标识;根据所述稿件标识,从数据库中获取所述稿件的内容;根据终端类型,选取与该终端类型匹配的稿件模板及发布规则;利用所述稿件模板处理所述...
  • 非调质钢棒材及其制造方法
    本发明实施例提供一种非调质钢棒材及其制造方法,所述非调质钢棒材包括以下含量(wt.%)的元素:C为0.40‑0.50,Si为0.10‑0.50,Mn为0.50‑1.50,Cr为0.10‑0.50,V为0.05‑0.30,Ti为0.01‑...
  • 本发明公开了一种PAD制作方法,主要技术方案包括:将第一类导电层上的氧化层刻蚀成有源区接触孔;对所述氧化层上形成的多晶硅层进行刻蚀,形成栅极;在所述栅极上和所述氧化层上生长一层介质层;在所述有源区上和所述介质层上制作金属层,形成PAD;...
  • 本发明实施例涉及导体芯片制作工艺技术领域,尤其涉及一种二极管及其制作方法,用以解决现有技术中存在的因制作工艺参数的限制,不容易得到较宽横流区的恒流二极管的问题。本发明实施例包括:在外延层表面形成沟槽;通过高能粒子注入方式分M次向沟槽内注...
  • 本发明提供了一种双极型晶体管的基区形成方法。该方法包括:将在集电区的设定区域形成离子注入掺杂区的半导体晶圆放入炉管中;对半导体晶圆进行高温处理期间,以半导体晶圆的圆心为中心对半导体晶圆进行旋转处理,以形成双极型晶体管的基区。该方法使双极...
  • 本发明公开一种热点信息处理方法和系统,所述方法包括:接收用户输入的网站类别和用于筛选热点信息的筛选条件;根据所述网站类别,搜索网站类别中各网站对应的网页;根据所述筛选条件,在搜索到的网页中获取与筛选条件相匹配的热点信息;将所述热点信息向...
  • 本发明所述的场效应管的制备方法,先在栅极氧化层上形成图案化的第一光刻胶层,以第一光刻胶层为掩膜进行离子注入以形成P+体区;再形成栅极,以栅极为掩膜形成P-体区;这就能够通过第一光刻胶层的图案控制P+体区在整个P体区中的相对面积,从而降低...
  • 一种连续印刷中色标的控制方法及系统
    本发明提供了一种连续印刷中色标的控制方法及系统,该方法包括:在印刷过程中,对承印物进行色标检测;色标检测过程中,在确定检测到第一色标,并且在预设区间内没有检测到第二色标时,在所述承印物的当前位置添加虚拟色标,以使印刷设备根据所述虚拟色标...
  • 本发明提供了一种应用解锁方法及装置,其中方法包括:在用户终端当前界面上显示应用解锁界面;获取用户在所述应用解锁界面中输入的触点信息;判断所述触点信息与预设的解锁信息是否一致,所述解锁信息在所述终端上显示的应用解锁界面在第一预设时间段内无...