本发明提出了一种界面色调调节方法、一种界面色调调节系统、一种输入系统和一种终端，其中，界面色调调节方法包括：获取应用程序界面上的主体区域的主色调；将所述主体区域的主色调设置为所述应用程序界面的主色调；根据所述应用程序界面的主色调和所述输...

本发明实施例公开了一种制作二极管的方法。本发明的上述实施例中，在外延层上生长氧化层；对所述氧化层进行光刻刻蚀，至少刻蚀掉场限环对应的沟槽区域的氧化层；生长掩膜层，并对所述掩膜层进行光刻刻蚀，形成所述氧化层的侧墙；对相邻的所述氧化层间的区...

本发明提供了一种基于新闻客户端的数据采集方法及装置，其中采集方法包括：在用户访问移动终端上的新闻客户端时，获取当前新闻客户端的新闻链接地址；根据所述新闻链接地址，确定所述新闻客户端中当前频道的页面的数据结构；根据所述数据结构，查找与所述...

本发明提供了一种VDMOS的制作方法，包括：在N型衬底上依次形成N型外延层、第一氧化层和氮化硅层；在所述氮化硅层上形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行刻蚀形成沟槽；在所述多晶硅层表面形成第二氧化层，对所述N型外延层进行P型离子注入，依次形...

本发明提供一种BiCMOS集成电路的制造方法，包括：在衬底的表面上依次形成第一氧化层和氮化硅层；去除预设的第一区域内的所述氮化硅层，在所述第一区域内形成第二氧化层，所述第二氧化层的边缘呈厚度渐变的鸟嘴，鸟嘴延伸至所述第一区域之外的区域表...

本发明提供一种CMOS集成电路，该电路包括：非对称型高压NMOS、对称型高压NMOS、非对称型高压PMOS、对称型高压PMOS，其中，所述非对称型高压NMOS的栅极为N型多晶硅；所述对称型高压NMOS的栅极为P型多晶硅；所述非对称型高压...

本发明公开了一种数据处理方法及装置，所述方法包括：接收用户输入的关键词、逻辑表达式；根据所述关键词和所述逻辑表达式，在第一类微博网站获取预设时间段内的微博数据，所述第一类微博网站为微博主注册量大于预设阈值的微博网站；采用预设的分析规则对...

本发明提供了一种超结器件制作方法和超结器件，其中超结器件制作方法包括：在第一导电类型的衬底上形成第一导电类型的外延层，在所述外延层中形成至少一个第二导电类型的深柱区，在所述外延层的表层形成第一导电类型的第一浅层区，在所述外延层的表层形成...

本发明提供了一种防喷墨印刷机喷头长时间晾干的保护系统，该系统包括上位机、运动系统控制器、大平台、刮刀、喷头安装台、气缸及供墨系统。本发明还提供了一种基于上述装置的防喷墨印刷机喷头长时间晾干的保护方法，该方法包括：运动系统控制器根据控制指...

本发明公开了一种耗尽型MOS管的制造方法及器件，该方法包括：通过在第一类型外延层的有源区注入第二类型杂质离子，并驱入形成第二类型体区；在所述第二类型体区上表面生长氧化层，并刻蚀；对没有氧化层的体区上表面进行沟槽刻蚀；以倾斜方式在所述沟槽...

本实用新型提供了一种钢包浇注控制组件及一种钢水浇注装置，其中，所述钢水浇注装置包括钢包和中间包，所述钢包浇注控制组件包括控制装置，安装在所述钢包底部，所述控制装置具有可导通或封闭的流砂通道和可导通或封闭的钢液通道，所述流砂通道和所述钢液...

一种获取知识点语义向量并根据该语义向量确定相关知识点的方法即系统，该方法中，首先，获取各个知识点的语义向量，将知识点的语义信息进行量化，通过数字化的方式来体现其语义特征，然后根据各个知识点的语义向量，确定知识点之间的相似度，根据该相似度...

本发明中提供一种获取知识点的相关知识点的方法及系统，先通过领域内的数字资源来获得候选知识点，然后再获得候选知识点的语义向量，通过计算领域知识点与候选知识点的相似度，来获得与每个领域知识点相关的候选知识点，作为目标知识点。这样，就可以得到...

本发明提供了一种附码易拉盖的制备方法、附码易拉盖和易拉罐，其中，附码易拉盖的制备方法包括：采用紫外线固化喷墨技术将附码喷涂于待制备的易拉盖的易拉手柄区域；控制冲床设备以指定速度对喷涂有附码的易拉盖进行冲压打环，以完成附码易拉盖的制备。通...

本发明提供了一种功率器件的制备方法包括：形成沟道；在沟道形成P型重掺杂区；形成第一氮化硅层；对沟道和氧化层上方的第一氮化硅层进行刻蚀，以形成第一氮化硅侧墙；对P型重掺杂区进行刻蚀；进行N型注入；形成第二氮化硅层；对沟道和氧化层上方的第二...

本发明涉及一种钢的轧制方法，采用对钢加热、轧制以及冷却工艺进行综合控制的方法来实现对钢脱碳层的厚度的控制，具体包括轧制前加热的步骤，轧制的步骤，轧制后冷却的步骤。通过采用合适的轧前加热工艺、轧制工艺、以及轧后冷却工艺使非调质钢的脱碳层的...

本发明提供了一种功率器件的制备方法和一种功率器件，其中，功率器件的制备方法，包括：对依次形成有氧化层和多晶硅层的基片上的多晶硅层进行图形化处理，以形成硅栅结构，并暴露出多晶硅层下方的指定区域的氧化层得到硅栅间氧化层、沟道氧化层和非沟道氧...

本发明提供了一种功率器件的制备方法和一种功率器件，其中，功率器件的制备方法，包括：在依次形成氧化硅层、多个硅栅结构、漏极和源极的基片上对所述硅栅结构进行图形化处理以形成辅助沟槽，所述辅助沟槽暴露出所述多晶硅层下方的指定区域的氧化层，其中...

本发明提供了一种功率器件的制备方法及其功率器件，其中，功率器件的制备方法，包括：在依次形成外延层、氧化层的基片上对所述氧化层进行图形化处理以暴露出所述氧化层的指定区域下方的所述外延层；在经过氧化层的图形化处理的所述基片上形成栅氧层；在形...

本发明提供了一种功率器件的制备方法及其一种功率器件，其中，功率器件的制备方法，包括：在依次形成第一N型外延层、第二N型外延层和第三N型外延层、栅氧化层和多个硅栅结构的基片上进行P型注入，以形成P型体区，所述P型体区的底部接触所述第二N型...