功率器件的制备方法和功率器件技术

本发明专利技术提供了一种功率器件的制备方法及其功率器件，其中，功率器件的制备方法，包括：在依次形成外延层、氧化层的基片上对所述氧化层进行图形化处理以暴露出所述氧化层的指定区域下方的所述外延层；在经过氧化层的图形化处理的所述基片上形成栅氧层；在形成所述栅氧层的所述基片上形成多个硅栅结构、漏极、源极和介质层，所述多个硅栅结构中的相邻硅栅结构之间的区域为主沟槽；在形成介质层的所述基片上依次对所述介质层和所述栅氧化层进行图形化处理，以暴露出所述主沟槽下方的所述外延层；形成金属连接从而完成所述功率器件的制备。通过本发明专利技术的技术方案，有效降低了非沟槽区的氧化层厚度，增大了栅漏电容间距，有效减小了栅漏电容和导通损耗。

【技术实现步骤摘要】
201510031163

【技术保护点】
一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在依次形成外延层、氧化层的基片上对所述氧化层进行图形化处理以暴露出所述氧化层的指定区域下方的所述外延层；在经过氧化层的图形化处理的所述基片上形成栅氧层；在形成所述栅氧层的所述基片上形成多个硅栅结构、漏极、源极和介质层，所述多个硅栅结构中的相邻硅栅结构之间的区域为主沟槽；在形成介质层的所述基片上依次对所述介质层和所述栅氧化层进行图形化处理，以暴露出所述主沟槽下方的所述外延层；形成金属连接从而完成所述功率器件的制备。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在依次形成外延层、氧化层的基片上对所述氧化层进行图形化处理以暴露出所述氧化层的指定区域下方的所述外延层；在经过氧化层的图形化处理的所述基片上形成栅氧层；在形成所述栅氧层的所述基片上形成多个硅栅结构、漏极、源极和介质层，所述多个硅栅结构中的相邻硅栅结构之间的区域为主沟槽；在形成介质层的所述基片上依次对所述介质层和所述栅氧化层进行图形化处理，以暴露出所述主沟槽下方的所述外延层；形成金属连接从而完成所述功率器件的制备。2.根据权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，在依次形成外延层、氧化层的基片上对所述氧化层进行图形化处理前，包括以下具体步骤：在所述基片上形成所述外延层；在所述外延层上形成所述氧化硅层。3.根据权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，在形成栅氧层的所述基片上形成多个硅栅结构、漏极、源极和介质层，包括以下具体步骤：在所述氧化硅层上形成所述多晶硅层；对所述多晶硅进行图形化处理，以形成所述多个硅栅结构；对所述主沟槽所在区域下方的所述基片进行离子注入，以形成所述漏极；在形成所述漏极的所述基片上进行图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：李理，马万里，赵圣哲，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11