本发明提供一种BiCMOS集成电路制作方法，包括：在衬底的表面形成第一氧化层，衬底包括阱区和集电区；在第一氧化层表面形成第一光刻胶层；以第一光刻胶层为掩膜，对集电区的预设区域进行离子注入，形成第一离子注入区；去除第一光刻胶层；去除第一氧...

本发明实施例公开了控制涂胶机台胶头清洗的方法及装置，本发明实施例通过接收所述机台发出的开始作业信息，根据所述机台的编号，获取所述机台的状态变更记录，并根据状态变更记录中的闲置开始时间点，确定所述机台的闲置时间；判断所述机台的闲置时间是否...

本发明提供一种舆情数据存储方法和服务器，该方法包括：获取待存储舆情数据，确定并将待存储舆情数据对应的话题标识、数据标识、展示字段和排序字段关联存储在缓存中得到待处理缓存数据；确定不存在与待处理缓存数据的话题标识对应的专题标识时，将待处理...

本发明公开了一种电子稿件的出版方法及装置，该方法包括：接收用户上传的电子稿件以及用户选择的出版所述电子稿件的模板；根据所述电子稿件的模板，确定所述电子稿件的模板对应的出版费用，将所述出版费用展示给用户；若接收到所述出版费用已经支付的指令...

本发明实施例提供一种适用于印刷套印的打印控制方法及装置。该方法包括：获取承印物上目标图像的实际尺寸和所述目标图像的理论尺寸；依据所述实际尺寸与所述理论尺寸的比例调整脉冲信号频率获得调整后的脉冲信号频率；依据所述调整后的脉冲信号频率对所述...

本发明提出了一种字符嵌入方法、一种字符嵌入系统、一种浏览器和一种客户端，其中的字符嵌入方法包括：根据来自浏览器的字符嵌入请求，在预设的多个小字库中获取所述字符嵌入请求所请求的目标字符对应的目标小字库，其中，所述多个小字库由服务器中的大字...

本发明提出了一种统一资源定位符的选择方法和一种统一资源定位符的选择装置，其中，方法包括：根据输入的关键词获取与关键词相关的至少一个统一资源定位符；根据至少一个统一资源定位符中的每个统一资源定位符的参数信息和/或至少一个统一资源定位符所使...

本发明提出了一种热点话题搜索方法和一种热点话题搜索装置，其中，所述热点话题搜索方法包括：获取互联网中的话题数据；按不同的地域将所述话题数据进行分类，以将所述话题数据按不同的地域分类存储在每个所述地域的地域话题库中；根据接收到的搜索指令，...

本发明实施例提供一种树形结构数据的网络传输方法及装置。该方法包括：用户端设备判断树形结构数据中各个节点的状态；若所述节点的状态为选中状态，则所述节点作为第一目标节点；若所述节点的状态为半选中状态，则所述节点作为第二目标节点，并继续判断所...

本发明实施例公开了一种晶圆片测试数据处理方法及装置，本发明实施例通过获取第N个批次中的每一片晶圆片的编号和测试数据；检测所述第N个批次中每一片晶圆片的编号与预存的编号是否一致，若否，则做出异常提示，并禁止作业流程后流；获取测试达标规则，...

本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种多晶电阻的制作方法，包括：在半导体单晶片上依次生长氧化层、多晶硅层；对所述多晶硅层进行离子掺杂并刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅电阻条；生长介质层；在所述介质层上涂布光刻胶并刻蚀所述介质层形成所述多晶硅电...

本发明实施例提供一种基准电压源电路。该基准电压源电路包括：第一稳压结构D1、第二稳压结构D2、MOS管、运算放大器、第一电阻R1和第二电阻R2；第一稳压结构D1的阳极接地，第一稳压结构D1的阴极与第一电阻R1的一端相连；第二稳压结构D2...

本发明提供了一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，VDMOS器件，包括：第一导电类型衬底；位于第一导电类型衬底第一表面的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层内第一浓度的第二导电类型体区；位于第一浓度的第二导电类型体区内的第...

本实用新型提供了一种圆筒料仓，该圆筒料仓包括：料仓本体，所述料仓本体上设置有进料口和出料口；多个支架，所述支架在所述料仓本体的内部交错设置，且所述支架位于圆盘给料机的圆盘的上方。本实用新型实施例的圆筒料仓，通过在料仓本体内交错设置多个支...

本发明提供了一种功能按钮切换方法和一种功能按钮切换装置，其中，所述功能按钮切换方法包括：根据接收到的创建命令，为当前应用程序创建快捷功能菜单以及功能菜单；在接收到对所述快捷功能菜单中的任一功能按钮的更改命令时，打开所述功能菜单；以及根据...

本发明提供一种深沟槽的硅外延填充方法，所述方法包括以下步骤：在N型外延层上形成初始氧化层，所述初始氧化层的厚度不超过0.2um；在所述初始氧化层上形成介质层，所述介质层与所述初始氧化层形成复合介质层；去除所述复合介质层中对应于N型外延层...

本发明提供了一种功率器件的分压结构的制备方法和功率器件，其中，功率器件的分压结构的制备方法，包括：在晶圆片上形成外延层；在外延层上形成至少三个深结注入区；在至少三个深结注入区中的每两个相邻深结注入区形成的一个间隔区域形成P型浅结注入区，...

本发明提出了一种数据处理方法、一种数据处理系统和一种服务器，其中，所述方法包括：当Web服务器接收到用户输入的目标公式时，根据所述目标公式建立数学模型；将所述数学模型与非关系型数据库中的目标数据建立关联；在接收到数据处理命令时，从所述非...

本发明提供了一种SOI基片的制作方法和SOI基片，其中，SOI基片的制作方法，包括：在硅衬底的一侧上形成第一氧化层；在所述第一氧化层上形成第二氧化层，以形成所述SOI基片的结构层；采用化学机械平坦化工艺研磨所述硅衬底的另一侧至预定厚度以...

本发明提供一种多晶硅发射极晶体管制造方法，通过在采用局部氧化工艺对所述第一氧化层的外周区域进行氧化获得第二氧化层之后，去除第一氧化层并在去除所述第一氧化层的衬底表面生长获得第三氧化层，以及分别在第一预设区域和第二预设区域，对生长有第三氧...