本发明实施例提供一种局部氧化工艺的优化方法。该方法包括：在衬底上生长垫氧化层，在所述垫氧化层上生长氮化硅层；对部分所述垫氧化层和所述氮化硅层进行光刻、刻蚀处理，以露出所述衬底，使露出的所述衬底的上表面对应形成L形空槽和U形空槽；沿着所述...

本发明涉及一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在外延层上表面依次生成第一垫氧化层和第一氮化硅层；在第一氮化硅层上定义下沉区域，并去除下沉区域的第一氮化硅层的氮化硅；在下沉区域进行离子注入，形成下沉区；在下沉区域...

本发明提供了一种VDMOS器件及其制作方法，涉及半导体芯片制造领域，解决现有VDMOS器件的EAS易失效的问题。本发明的VDMOS器件包括：N型衬底层；位于N型衬底层表面的N型外延层，且N型外延层上设置有第一沟槽，位于N型外延层上的栅极...

本发明公开了一种射频水平双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，本发明利用垫氧化层刻蚀的方法形成下沉区的对准标记，从而定义有源区，这种方法工艺简单，可操作性较强，同时避免了现有技术中通过硅刻蚀形成的凹槽使注入区存在断面情况，从而使注入区...

本发明提供了一种垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管及加工方法，该垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管包括：自下而上依次设置的衬底、外延层、栅极氧化层、多晶栅极和金属层，其中金属层和多晶栅极之间设置有介质层，外延层内形成有体区，...

本发明涉及一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在外延层上表面生成第一预设厚度的垫氧化层；在所述垫氧化层上的第一预设区域定义下沉区域，并在所述下沉区域的垫氧化层上形成预设深度的凹槽，所述凹槽的底部位于所述氧化层中...

本发明公开了一种射频水平双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，本发明在下沉层注入之前，增加一步槽刻蚀工艺，使得形成一个对准槽，作为后续各层光刻层次对准使用，本发明节省了零层光刻程序，节省了成本，而且对器件性能也无任何影响。

本发明提供一种印刷方法和装置，印刷方法包括：获取排版版面的原始墨点阵列，所述原始墨点阵列中包括预设的印刷在所述排版版面上具有墨点的位置信息和未具有墨点的位置信息；根据预设的墨点抽取率获取掩膜墨点队列，所述掩膜墨点队列中包括所述排版版面上...

本发明公开了一种功率器件及其制作方法，本发明的功率器件的衬底减薄过程中，对衬底边缘不进行减薄，从而使衬底边缘的厚度较厚，提高了衬底的强度，降低了工艺中的碎片率，消除了对衬底最小厚度的限制，同时本发明的技术方案无需使用支撑片，工艺简单，生...

本发明公开了功率器件及其制作方法，本发明将与衬底连接的外延层中的氧化层厚度增加，有效减小了氧化层侧壁的寄生电容，进而显著减小了功率器件的栅漏电容，降低了功率器件的导通损耗，同时不会影响功率器件的其他性能。

本发明提供一种铝刻蚀方法及装置，所述方法包括：对镀有铝金属层的衬底进行涂胶光刻后，在真空腔内进行刻蚀，并在刻蚀所获得的铝条侧壁生成用来保护所述侧壁的聚合物；刻蚀后在所述真空腔内去除光刻胶；清洗去除所述聚合物。本发明能够完成铝厚2.0微米...

本发明提供一种半导体器件上形成场氧化层的制备方法，该方法包括：在半导体硅基底的表面上形成垫氧化层之后，在垫氧化层的表面上沉积氮化硅，形成氮化硅层；在氮化硅层的表面上涂覆光阻，形成光阻层；对光阻层、氮化硅层和垫氧化层进行光刻和刻蚀；利用各...

本发明提供了一种VDMOS器件及其制作方法，涉及半导体芯片制造领域，解决现有VDMOS器件的EAS易失效的问题，该制作方法包括：在N型衬底层表面生长第一N型外延层；在第一N型外延层表面生长P型外延层；在P型外延层表面生长第二N型外延层；...

本发明提供一种接触孔刻蚀方法及装置，所述方法包括：对元器件进行涂胶光刻后，在真空腔内进行接触孔刻蚀，并在所述元器件表面生成聚合物，其中所述真空腔的压强为300～500mTorr；在所述真空腔内对所述元器件表面进行物理轰击，去除所述聚合物...

本发明公开了一种集群部署环境中任务调度方法及装置，主要包括：任务控制器接收Web应用通过任务控制接口发送的当前待执行任务的任务查询请求；所述任务控制器根据所述任务查询请求，查询所述任务控制器中第一任务信息；其中，所述第一任务信息为所述任...

本发明提供了一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其中制作方法包括在基底上的栅极表面以及基底的表面形成厚氧化层；刻蚀厚氧化层，形成场氧化层，在场氧化层上形成场板材料层，场板材料层包括第三斜坡部、第四斜坡部和连接于第三斜坡部和...

本发明提供一种半导体器件栅极上形成金属硅化物的制备方法，该方法包括：在半导体硅基底的表面上依次形成栅氧化层、低阻化多晶硅层之后；在低阻化多晶硅层的表面上沉积氮化硅，形成氮化硅层；经过光刻、刻蚀后形成栅极，再形成体区、源区和漏区；整个器件...

本发明涉及一种低栅漏电容沟槽功率器件，包括有源区、分压区、截止环和划片道，所述有源区具体包括衬底，依次设置在所述衬底上的N型外延层、P型外延层和金属层，其特征在于，所述有源区还包括：贯穿设置在所述N型外延层、P型外延层以及金属层内部的多...

本发明提供了一种医学影像文件的获取方法、用户终端及主服务器，该方法包括：接收用户发送的查询请求，查询请求中携带医学影像文件的第一标识信息；根据第一标识信息，获取与第一标识信息对应的医学影像序列文件的第二标识信息；向Hadoop平台的主服...

本发明提供一种功率器件的制造方法及功率器件，所述方法包括：S1、在衬底的第一表面制备所述功率器件的背面结构；S2、在所述背面结构上制备第一氧化层；S3、将具有第二氧化层的支撑片结合到所述第一氧化层，所述第一氧化层与所述第二氧化层键合在一...