本发明提供一种半导体器件制造方法，包括：根据预设的工艺流程，形成器件的栅极、体区、源区和漏区；在整个器件的表面上依次形成未掺离子的第一氧化硅层和掺有离子的第二氧化硅层；进行高温回流，回流的温度为800～950℃，回流的时间为30～60分...

本发明提供一种双层多晶硅CMOS的制作方法，该方法包括：制作器件的场氧化层和栅氧化层；在器件的表面上生长第一多晶硅层，并通过光刻和刻蚀工艺对所述第一多晶硅层进行刻蚀，保留位于场氧化层表面上的部分第一多晶硅层和栅氧化层表面上的部分第一多晶...

本发明公开了一种混合整流二极管及其制作方法，该二极管的有源区由若干个单胞并联构成，所述单胞包括依次层叠设置的背面金属层、N+衬底区、N-外延层、位于N-外延层内的P+有源区结、位于N-外延层上的正面金属层；其特征在于，所述单胞还包括一绝...

本发明提供了一种双向瞬态电压抑制器件及其制造方法，方法包括：在生长掺杂硅层的硅片衬底上刻蚀多个沟槽；对形成所述多个沟槽的硅片进行热氧化，在每个所述沟槽内填充氧化硅，并制备掺杂区域；在形成所述掺杂区域的硅片上生长介质层；在所述介质层上制备...

本发明提供了一种用于化学气相沉积工艺的设备，该设备包括：公共腔、多个工艺腔、控制阀、真空泵及氮气系统，其中，公共腔上连接有多个工艺腔，用于为多个工艺腔输送工件，且工艺腔通过控制阀与真空泵及氮气系统连通。该技术方案，利用控制阀直接将氮气系...

本发明提供一种超结器件制造方法及超结器件，其中方法包括：在衬底上形成外延层，在所述外延层上形成氧化层掩膜；对所述氧化层掩膜进行光刻、刻蚀，并在所述氧化层掩膜的掩蔽下，在所述外延层上刻蚀出凹槽；在所述凹槽内形成氧化物层，并采用表面平坦化处...

本发明提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体的制作方法，包括：向衬底中注入第一预设浓度的下沉区离子，并通过高温驱入形成具有第一预设浓度的下沉区；向形成具有第一预设浓度的下沉区的衬底中注入第二预设浓度的体区离子，并通过高温驱入形成具有第二...

本发明公开了一种芯片压焊块的制造方法，包括步骤：在形成导电结构的衬底上生长出第一钝化层；涂覆光刻胶，进行光刻，并刻蚀所述第一钝化层形成芯片的压焊块窗口；去除所述光刻胶；进行等离子体钝化处理，在所述压焊块窗口表面生成第二钝化层，所述第二钝...

本发明公开一种混合二极管及其制作方法，所涉及的混合二极管较现有的混合二极管的抗击穿能力更强，通态压降更低，漏电流更小。所述混合二极管包括：衬底、位于所述衬底上的N型外延层、位于所述N型外延层上的金属层；其中，所述N型外延层包括至少两个沟...

本发明涉及一种多晶硅电容及制造方法，其中方法包括：在不掺杂的多晶硅层的底层注入导电杂质，形成多晶硅电容的低阻值的下极板，在不掺杂的多晶硅层的中层注入绝缘杂质，形成多晶硅电容的绝缘介质层，在不掺杂的多晶硅层的上层注入所述导电杂质，形成多晶...

本发明提供一种VDMOS分压环的制造方法，包括：在N型外延层上形成垫氧化层，在所述垫氧化层上形成氮化硅层；通过光刻、刻蚀和P型离子注入工艺，在所述N型外延层中形成分压环；在高温炉管中对所述分压环进行驱入，同时在所述P型离子注入的区域生长...

本发明提出了一种资源共享方法、一种资源共享装置和一种终端，其中，资源共享方法包括：根据接收到的来自需求方的资源共享请求，确定需求方的位置信息；根据需求方的位置信息和预设资源共享数据库中的多个供应方的资源信息，在多个供应方中为需求方选择目...

本发明提出了一种数据聚类方法和一种数据聚类系统，其中，所述方法包括：接收创建命令，创建反馈词集合；根据所述反馈词集合对当前数据进行聚类，以将所述当前数据聚类成多个当前类别，并将所述多个当前类别呈现给用户；接收所述用户对所述多个当前类别的...

本发明涉及一种功率器件的结终端扩展结构及其制造方法，所述功率器件包括有源区域、结终端扩展结构、截止环区域和划片道区域，其中所述结终端扩展结构设置于所述有源区的外围，所述截止环区域设置于所述结终端扩展结构的外围，所述划片道区域设置于所述截...

本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体硅基底的表面上依次形成了栅氧化层、低阻化多晶硅层和氮化硅层之后，对栅氧化层、低阻化多晶硅层和氮化硅层进行光刻和刻蚀，形成半导体器件的栅极；再形成半导体器件的体区、漂移区、源区、漏区以及P...

本发明提出了一种金属氧化物功率器件的场板的制备方法和一种金属氧化物功率器件的场板，其中，制备方法包括：制备具有介电层的衬底结构，并对介电层进行图形化处理，以形成与金属氧化物功率器件的源区接触的第一接触孔和与金属氧化物功率器件的漏区接触的...

本发明公开了一种具有静电释放保护二极管的半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：S1、对半导体器件衬底的外延层的部分区域进行氧化，形成场氧化区域；S2、对场氧化区域进行刻蚀，使外延层在场氧化区域的上表面低于在非场氧化区域的上表面；S3、...

本发明提供了一种半导体器件的制造方法和一种半导体器件，其中，所述制造方法包括：对N型外延层进行刻蚀，以形成第一沟槽；在第一沟槽的衬底表面生长第一氧化层并进行回刻处理，仅保留第一沟槽的侧壁上的第一氧化层；对第一沟槽进行填充处理，形成P型填...

本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管，其中，场效应晶体管的制备方法，包括：在形成外延层的硅衬底上形成氧化层掩膜和所述氧化层掩膜外围的环形栅极结构，所述环形栅极结构的外围区域即为所述场效应晶体管的硅栅窗口；在形成所述环形栅...

本发明实施例提供一种减小半导体衬底上扩的方法。该方法包括：在衬底中形成氧化层埋层，所述氧化层埋层的上表面与所述衬底的上表面在同一水平面；在所述衬底和所述氧化层埋层的上表面生长外延层；在所述外延层中注入下沉离子，通过高温驱入使所述下沉离子...