本发明公开一种射频横向双扩散MOS器件的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底的表面内形成有所述器件的源区、漏区、漂移区和体区，所述衬底表面上形成有所述器件的栅极；在整个器件的表面上依次沉积第一氧化层和场板；通过光刻，去除预设区域内的所述场...

本发明提出了一种瞬态抑制二极管的制造方法和一种瞬态抑制二极管，其中，瞬态抑制二极管的制造方法包括：在衬底上生长掺杂硅层；在所述掺杂硅层和所述衬底上刻蚀多个深沟槽，且多个所述深沟槽中的每个所述深沟槽的底部均位于所述衬底内；在多个深沟槽中的...

本发明公开了一种MOSFET器件及其制作方法，包括：在第一导电类型的衬底上依次形成第一导电类型的外延层、栅氧化层和多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层形成第一多晶硅层、第二多晶硅层和第三多晶硅层，并进行第二导电类型离子的第一次注入，在所述外延层内...

本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法，其中方法包括：在基底上表面由下至上依次形成栅氧化层、多晶硅层、第一保护层；刻蚀多晶硅层和第一保护层，形成第一凹槽，在第一凹槽下方的基底内形成第一离子注入层，在第一离子注入层内形成第二离子注入层...

本发明提供了一种肖特基二极管及制作方法，其中，肖特基二极管的制作方法包括：制成N型重掺杂衬底；在N型重掺杂衬底的一侧上依次制作M层掺杂浓度不同的N型外延层，其中，与N型重掺杂衬底相接触的为第一个N型外延层，距离N型重掺杂衬底最远的为第M...

本发明提供一种传输保密数据的方法及系统，其中所述方法包括以下步骤：获取保密文件夹的路径，所述保密文件夹中预先存放所述保密数据；判断所述保密文件夹是否为空；当不为空时，判断所述保密文件夹中的所述保密数据是否已经被传输；当所述保密数据未被传...

本发明公开了一种数字资源发布方法及装置，该方法包括：获取数字资源发布请求，所述数字资源发布请求包含待发布数字资源的主题，根据所述待发布数字资源的主题建立主题数据库，所述主题数据库中包含不同资源类型的子数据库，从各资源库中获取与所述待发布...

本发明提供一种超结MOSFET器件的制造方法及器件，包括：在衬底的表面上形成外延层，在所述外延层的表面内形成超结结构；形成围绕超结结构外围的深槽；在深槽的内壁上形成氧化层，并填充多晶硅，形成多晶硅立柱；去除预设区域内的所述氧化层，以暴露...

本发明公开了一种金属刻蚀方法及干法刻蚀机台，主要包括将进行金属湿法刻蚀后的金属元件放入干法刻蚀机台腔体内，向所述干法刻蚀机台腔体内至少充入氟化物气体；将所述氟化物气体电离，形成含氟等离子气体；所述含氟等离子气体与所述元件表面的硅渣在设定...

本发明提出了一种瞬态抑制二极管的制造方法和一种瞬态抑制二极管，其中，瞬态抑制二极管的制造方法包括：在衬底上生长第一氧化层；在所述第一氧化层和所述衬底上刻蚀多个深沟槽；在多个深沟槽中的每个所述深沟槽中生长第二氧化层；在所述第一氧化层和所述...

本发明提供一种平面型VDMOS的制作方法，该方法包括：在基底的表面上依次生长栅氧化层和多晶硅层，并通过光刻和刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀，形成体区窗口；在多晶硅层表面上的光刻胶的阻挡下，通过刻蚀工艺，对所述栅氧化层进行刻蚀，保留一层薄...

本发明提供了一种集成型沟槽瞬态电压抑制器件及其制造方法，方法包括：在生长掺杂硅层的硅片衬底上刻蚀多个第一沟槽；在多个第一沟槽中的每个第一沟槽内填充氧化硅；在填充氧化硅的硅片上刻蚀多个第二沟槽；对形成多个第二沟槽的硅片进行离子注入，并刻蚀...

本发明提供一种HEVC帧内预测编码方法，包括：对当前编码单元进行DCT变换，获得当前编码单元的DCT系数；根据DCT系数确定当前编码单元的图像复杂度，根据当前编码单元的块类型确定当前编码单元的划分深度；根据当前编码单元和与当前编码单元相...

本发明提供了半导体器件的制造方法和半导体器件，方法包括：对依次生长有第一P型外延层、第二P型外延层和第一氧化层的衬底进行光刻、刻蚀处理，形成第一沟槽；通过第一沟槽的侧壁对第一P型外延层注入掺杂离子，使掺杂离子的注入区反型；在形成有第一沟...

本发明提出了一种金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件，其中，制备方法包括：在衬底的正侧形成的金属氧化物功率单元的介质层上形成第一金属电极，同时，在衬底的正侧的预留区域的介质层上形成第二金属电极；在第二金属电极上形成平坦化的电容的介电层...

本发明提供了一种VDMOS器件的过流保护方法及过流保护电路，其中，所述过流保护方法包括：获取所述VDMOS器件的采样元胞的采样电流值；判断所述采样电流值是否大于电流阈值，以及根据判断结果，确定是否对所述VDMOS器件进行过流保护，其中，...

本发明公开了一种功率器件结终端及其制作方法，该方法包括：在硅片的第一导电类型的外延层内形成具有重掺杂第二导电类型的主结区、具有轻掺杂第二导电类型的耗尽区和具有第一导电类型的截止环，耗尽区位于主结区与截止环之间，耗尽区与主结区相连通，耗尽...

本发明提供了一种文件印刷处理方法和印刷终端。该方法包括：接收出版终端发送的文件印刷请求，文件印刷请求包括：待印刷文件的标识信息和第二版本信息；根据标识信息查询当前的印刷锁定标记信息，其中，印刷锁定标记信息包括：与已经接收的文件的标识信息...

本发明提供一种任务分配执行方法及系统，该方法包括：任务分配方将任务文件存入分布式文件服务器并接收其反馈的存储目录，向任务协调服务器发送任务子节点创建请求；任务协调服务器在与所述任务分配方到所述任务执行方对应的父节点下创建以存储目录为标识...

本发明涉及一种高频水平双扩散金属氧化物半导体LDMOS及制造方法，其中方法包括：通过在外延层上依次生长垫氧层和第一氮化硅层，对第一氮化硅层进行光刻刻蚀，形成下沉区窗口，在下沉区窗口内通过垫氧层向外延层进行离子注入和推结，形成下沉区，并形...